对于电池驱动应用程序，我正在考虑使用DA14580。该计划仅在4年期间每天打开一次（从全能下降）。在尽可能尽可能地从电池中获得尽可能多的寿命，我想推动芯片的操作低于2.5V。Datasheet显然指出，由于OTP损坏，冷启动不足低于2.5V。进一步说明不建议在2.35V以下运行。这提出了几个问题：
1. DA14580可以从2.5V以下的外部存储器启动吗？
2.我知道罗布堆栈包含在ROM中。ROM可以在2.5V，2.35V下可靠运行吗？
3.在低于2.35V的情况下运行时，芯片的性能是以任何方式损害的吗？
4.在降压模式下在低电压下运行时，电流抽出增加吗？如果我假设恒定功率，我计算了以下曲线。这是准确的吗？
马·弗斯
5.10 3.0
5.16 2.9
5.36 2.8
5.56 2.7
5.79 2.6
6.02 2.5
6.28 2.4
6.56 2.3
6.87 2.2
7.21 2.1
7.57 2.0
感谢您可以提供的任何启蒙。
嗨markhillig，
在冷启动期间，某些修剪和校准值读出OTP并保存在寄存器中。在生产过程中读取这些寄存器值是可行的（虽然电压足够高）并将其存储在外部存储器中。在字段中启动时，您将从外部内存中读出这些设置并将其保存在相应的寄存器中。该问题仅符合OTP，因此没有其他块受到影响。同样，这种方法是麻烦的，但是可行的。
您实际上可能想考虑使用Boost模式而不是降压模式。氧化银电池（纽扣电池）具有更好的性能而不是典型的锂电池。氧化银电池也将具有较大的能量密度（每个体积MWH），并且它们几乎将其标称电压保持在末端。在Boost模式下，您不必担心OTP电压。
我不确定如何计算消费数据。首先，您的数字似乎捕获峰值电流，而且这些不是平均功耗的良好指标。其次，3.0V的PEEK电流正低于5mA（其中包括从降压调节器，微控制器和接收器打开的损失的所有内容）。但请记住，芯片大部分时间都在睡觉 - 在您的案例中，这将是深度睡眠，约为1.2ua @ 1.5V的550na @ 3v。在这些当前级别，定时器正在运行，并将允许每日唤醒。
谢谢回复。
我们正在使用专有电池化学，目前正在定义电池性能特性需要。我列出了峰值电流的原因是我们试图通过整体能量密度平衡瞬时电池采购能力。它们在混合不同的电池化学时均衡。升压模式需要太多的瞬时采购容量（> 10mA），为我们的应用程序提供电子设备中的电荷存储空间。我们了解“平均”当前消耗计算。在降压模式下，根据数据表，峰值电流在3.0V时约为5.1mA（RX）。
你好，
这里有一些当前的消耗数据：降压模式下的DA14580-01 @ 2.0V;2.4V;2.8V。
天线以50欧姆负载终止。
VBAT3V = 2.0V：TX PK = 6.35 mA;rx pk = 7.2 ma;IAVG = 0.96 mA
VBAT3V = 2.4V：TX PK = 5.25 mA;rx pk = 6.0 ma;IAVG = 0.85 mA
VBAT3V = 2.8V：TX PK = 4.75 mA;rx pk = 5.3 ma;IAVG = 0.74 mA
最好的问候，bb_dialog。
谢谢你提供的详情！这个答案问题4.您是否有关于1-3问题的想法？
嗨markhilliq，
我认为mhvid_dialog在他的回复中提供了大多数答案。
一般来说，低于2.35V，不能再读取OTP。
因此，如果您的应用程序不使用OTP（但闪光灯从闪存启动），DA14580可在降压模式下使用2.35V。
最好的问候，bb_dialog
如果您使用的是外部内存，则可以选择将电压设置为3V在生产测试中，读取XTAL修剪值并将其存储在闪存中。
BR JE_DIALOG.