使用I2C时的NVM预期寿命

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星期一，2018-10-29 21:58
＃1
Peterpotnin.
离线
最后一次露面：2年2个月前
加入：2018-10-29 21:18
使用I2C时的NVM预期寿命

你好，
我正在根据SLG46533设计基本上是I2C-to-PWM输出驱动程序的内容。

对于PWM，我正在使用2018年9月GreenPak Cookbook的DFF +延迟电路，第38页：“技术：设置恒定占空比”。要控制PWM占空比，我将使用应用程序注意AN-1144“I2C IO控制器8位总线”。通过发送命令来修改相应的寄存器，我通过I2C更新CNT / DLY模块的计数器数据;例如，SLG46533中的CNT2 / DLY2为REG <1543：1536>。该解决方案在仿真中工作很好，但......

我的问题是：每次我修改计数器数据时，我都在重写nvm？我可以做多少次有限吗？是否可能是通过I2C控制最多3个PWM输出的占空比的更优雅的方式？

我也将我的设计附加到这条消息

谢谢！

附件：
包图标46533_pwm.zip.
设备：
DA14580.
设备编号：
SLG46533
星期二，2018-10-30 13:52
帕德洛兹
离线
最后一次露面：10个月3周前
职员
加入：2018-01-31 12:50
嗨Peterpotnin，你也可以

嗨Peterpotnin，你也可以看到https：//www.dialog-semicondondondiondum/sites/default/files/an-cm-248_pwm_c ...PWM实现。所有计数器数据更改都在电依赖存储器中，因此在芯片重置后，所有寄存器再次从NVM复制。那些像RAM这样的寄存器具有巨大的写作周期计数。

星期二，2018-10-30 17:02
Peterpotnin.
离线
最后一次露面：2年2个月前
加入：2018-10-29 21:18
谢谢你们所以

谢谢你们的响应和知识渊博！除了Pavloz的答案外，这是我从对话框的Alex Richardson通过电子邮件（解决我的困境）：

简短的答案是，当您重新编写计数器数据时，您未重写NVM，并且对此可以完成的次数没有任何过硬的限制。

我们所有的设备都有两层编程;NVM层和寄存器层。寄存器在POR序列期间加载，其中数据中的数据中的数据。我们的OTP设备具有I2C兼容性，可以重新编写其寄存器，但在电源周期上，它们将从NVM重新加载原始数据。SLG46533是OTP设备，因此您当前的设计，这将是预期的行为。

我们的MTP设备，SLG46826和SLG46824，除了寄存器之外，还可以具有它们的NVM重新编写，但它们具有1000个NVM的续航限制