你好我们有哪些工作作为推广的睡眠模式外围DA14583芯片的问题。在VBAT3V我们把47uC电容来降低电源电压峰值下降时，广告/连接。慢慢地插入电池DA后，除去上DA14583下降的电池，电源电压后往往坚持了关于供应200uA电流。设置RST引脚短，高帮和DA启动。我们需要等待删除之间超过6秒，正确插入电池启动DA。有没有什么解决方案来解决这个问题（无外部复位）？
问候安杰伊
嗨安杰伊·里克特，
最有可能你遇到的是电池的反弹问题，在这种情况下，设备只能通过发出复位恢复，对此你有两个选择，你可以将外部监事或者你可以把RST之间的1μF电容VBAT3V。
由于MT_dialog
你好看来，问题是低VBAT3V（下约0.65V）的DA14583自行复位。芯片往往停留如果VBAT3V下约2.3V下降，但是当DA为扩展睡眠模式后，消除电池不低于约0.65V和VBAT3V加注到标称3V（例如，47UF上VBAT3V - VBAT3V缓慢下降，并插入电池 - 标称3V上VBAT3V）。我认为这个问题是VBAT3V低自复位电压。我还没有发现有关在DA14583掉电复位任何地方的信息。RST和VBAT3V之间的1μF电容完全没有解决问题，但一点帮助。与1uF电容则很难卡住芯片，并除去，然后插入电池（用于芯片复位）短的时间。谢谢
关于布朗出信息，583没有实现掉电检测电路，因此将无法恢复，是电容并不能彻底解决问题，但它肯定提高了，对于100％回收的extenral监督员建议。
嗨，你推荐一个外部电阻器（如果是这样，什么值）与1μF电容或只是一个内部下拉复位电路？
嗨安杰，
就在电容会做，复位引脚配备有一个内置25K下拉电阻。
嗨安杰伊·里克特，
最有可能你遇到的是电池的反弹问题，在这种情况下，设备只能通过发出复位恢复，对此你有两个选择，你可以将外部监事或者你可以把RST之间的1μF电容VBAT3V。
由于MT_dialog
你好
看来，问题是低VBAT3V（下约0.65V）的DA14583自行复位。
芯片往往停留如果VBAT3V下约2.3V下降，但是当DA为扩展睡眠模式后，消除电池不低于约0.65V和VBAT3V加注到标称3V（例如，47UF上VBAT3V - VBAT3V缓慢下降，并插入电池 - 标称3V上VBAT3V）。
我认为这个问题是VBAT3V低自复位电压。
我还没有发现有关在DA14583掉电复位任何地方的信息。
RST和VBAT3V之间的1μF电容完全没有解决问题，但一点帮助。
与1uF电容则很难卡住芯片，并除去，然后插入电池（用于芯片复位）短的时间。
谢谢
嗨安杰伊·里克特，
关于布朗出信息，583没有实现掉电检测电路，因此将无法恢复，是电容并不能彻底解决问题，但它肯定提高了，对于100％回收的extenral监督员建议。
由于MT_dialog
嗨，
你推荐一个外部电阻器（如果是这样，什么值）与1μF电容或只是一个内部下拉复位电路？
嗨安杰，
就在电容会做，复位引脚配备有一个内置25K下拉电阻。
由于MT_dialog