你好,
当VBAT为1.7V且Flash由V33供电时,是否可以写入外部Flash?一个闪存需要10mA来执行一个写入周期。
当做,罗纳德
嗨,罗纳德,
如果VBAT为1.7V,V33将略低于1.7V,1V8和1V8P也是如此。如果1.7V在闪光灯的工作极限范围内,它应该工作,如果不是(例如,如果这是一个3.3V闪光灯),它将不工作。另请注意,如果VBAT为3.3V-4.5V,则V33将为3.3V。如果附带的闪光灯为1.8V,则会在此电压下损坏
此外,您可能还需要考虑使用1.8V闪存,因为1.8V闪存比3.3V闪存消耗的功率更小。大多数1.8V闪存可以工作到1.65V,闪存制造商的趋势是1.8V。请注意,对于VBAT1<2.45V,DC-DC效率低于LDO。
在任何情况下,如果蓄电池能够提供所需的mA,则1V8、1V8P和V33中的每一个在活动模式下可提供高达75mA的电流,在睡眠模式下可提供高达3mA的电流。
所以可以从任何可用的rails提供FLASH。
另外,请不要在OpenThread部分发布58x或68x相关的问题,除了您的问题可能没有得到回答(我意外地看到您的帖子)之外,每个线程都应该发布在相关的主题上。
谢谢你的对话
嗨,罗纳德,
如果VBAT为1.7V,V33将略低于1.7V,1V8和1V8P也是如此。如果1.7V在闪光灯的工作极限范围内,它应该工作,如果不是(例如,如果这是一个3.3V闪光灯),它将不工作。另请注意,如果VBAT为3.3V-4.5V,则V33将为3.3V。如果附带的闪光灯为1.8V,则会在此电压下损坏
此外,您可能还需要考虑使用1.8V闪存,因为1.8V闪存比3.3V闪存消耗的功率更小。大多数1.8V闪存可以工作到1.65V,闪存制造商的趋势是1.8V。请注意,对于VBAT1<2.45V,DC-DC效率低于LDO。
在任何情况下,如果蓄电池能够提供所需的mA,则1V8、1V8P和V33中的每一个在活动模式下可提供高达75mA的电流,在睡眠模式下可提供高达3mA的电流。
所以可以从任何可用的rails提供FLASH。
另外,请不要在OpenThread部分发布58x或68x相关的问题,除了您的问题可能没有得到回答(我意外地看到您的帖子)之外,每个线程都应该发布在相关的主题上。
谢谢你的对话