你好我们在升压模式下在子板中遵循相同的应用程序（Proximity Reporter_FH），如应用中的应用笔记ANB-011 -Cold启动时序。在应用程序注意中，据解释，冷启动序列所需的总电荷为54.7 UC，所需的时间是146毫秒。但是在功率分析工具中测量时，总电荷约为162 UC为140秒！为什么收费更多？正在升压模式下运行消耗更多的充电？
亲爱的HRG，你的意思是140ms或140秒？
虽然峰值电流总体上升到1.5V在增强中，但平均能量应该非常相似。如果你可以给你的意思是140ms，我会调查一下。Alwasy可以预计某些MS的启动时间略有变化。
BR JE_DIALOG.
嗨je_dialog
对不起，它是140毫秒！但升压模式中消耗的电荷比在该应用笔记中提到的3倍！
Waiitng为您的回复。
谢谢
Hello HRG，没有什么明显的，斯普林斯想：你可以确认你的HW和SW设置并验证对女子卡进行升压模式的修改吗？
嗨je_dialogHW设置根据用户手册 - J13连接为3-4，用于测量电路的电源。跳线J14为1-2，用于增压配置。软件是Proximity Reporter_FH，没有修改！对于升压模式HW设置 - 根据示意图。电源电压为1.5伏。
嗨Hrq，
要确定，您没有提到J23：应删除1.5V电源的此一个。虽然我最终不认为这是您测量的高耗电费用。
Boost模式不应使用比降压模式更多的充电。只有在冷启动期间的升压模式下，DCDC转换器必须为电容器充电，导致高初始峰值电流，但这不应贡献超过几μc。
在您的广告活动中，RX / TX峰值电流约为10mA？如果是，它表示升压模式板的正常运行。
最好的问候，bb_dialog。
你好bb_dialog.
1）供参考J23是开放的。广告峰值约为10毫安，如你所说。proximtiy_reporter_fh进入深度睡眠模式呈现3分钟。所以当中断时，它会用冰靴醒来时醒来吗？但是中断后的冷启动似乎非常高（如前所述（162 UC - 150 UC）与冷靴（125UC）相比！同时也有差异！
由于没有选项在对话框论坛中附加文件，因此您的参考我已附加到Dropbox中共享的文件链接。
在电力期间https://www.dropbox.com/s/b1rrk73p3d690jg/poweron.png?dl=0
在中断期间
https://www.dropbox.com/s/ob83u162r05ss8j/interrupt.png?dl=0.
2）我还有一个问题所以我添加了这些。Proximity_Reporter_FH程序被修改，使其执行一个广告事件并在中断（按钮）后，它确实一个广告事件并再次睡眠。因此，在调试模式下测试时，中断期间的电源都是完美的。编程被烧毁到OTP。但现在在PowerOn期间，第一个广告已经完成，需要约75毫秒即可进入睡眠模式。但是在中断唤醒期间不会发生这种情况。我在这里分享了快照，可以找到它们之间的差异。（注意：它也遭受了与1）问题中提到的同样的问题）。
在Poweron期间
https://www.dropbox.com/s/2b9aj3eg2ayne29/power%20on.png?dl=0
在中断期间：https://www.dropbox.com/s/3h0cuxkga4w79jy/interrupt.png?dl=0.
3）还有一个疑问。无论何时在一个广告活动后按下交换机K1，也有一个未知的峰值。（注意：此峰值您可以在正常的Proximity_reporter_FH程序中敏锐地观察K1！）以下是这些的快照
https://www.dropbox.com/s/8qt913jtlm9bn42/switch.png?dl=0.
https://www.dropbox.com/s/4ycd4nrl6l85ug4/unknown%20peak.png?dl=0.
谢谢HRG.
谢谢你的详细快照。我们将介绍一下这些。
更新14H30：
我可以确认正常的冷启动时间和消耗充电：
降压模式：124毫秒 - 67μC。升压模式：124毫秒 - 128μC。
由于电流越高，可以解释升压模式中的较高消耗电荷@ 1.5V：大约在降压模式@ 3V时高约两倍。从电池中消耗的能量（J）虽然将大致相同（3 x 67 = 1.5 x 128）。
我还在努力重现你的中断情况。
最好的问候，bb_dialog
我讨论了一些同事的第二个案例（中断），
通常在从睡眠中醒来时，没有预期冷靴。我们预计大约10毫秒Upto Provert广告，并且消耗电荷约为10μC（降压）或20μC（升压）。此帐户占用初始化的额外时间和充电等。我们没有看到屏幕捕获中的RF校准。在真正的冷启动中，实际上，RF-CAL被执行：在22,100秒后的PowerOn图片中。（在正常广告中，第一次广告的时间约为7.5毫秒，收费为3.5或7毫秒。）µC消耗）。
几个问题要进一步帮助您：您的DA14580是DA14580-01（ES5）？您使用的是哪个SDK版本？您是否修改了邻近代码？您使用哪个键/哪个GPIO唤醒BLE芯片？我们使用了主板上的一个钥匙。
嗨bb_dialog谢谢你的回复
是的，它是DA14580_CB_PXI_WLCSP 078-05-C ES5。SDK版本3.0.4.0。我们在母板中使用K1（默认在Proximity_reporter_FH中）。冷靴似乎在正常的邻近应用程序中发生（即3分钟后它会睡觉，然后按下按钮，唤醒一些RF校准。）。（您在另一个帖子中提到的，在使用Deepsleep模式时，SRAM将在睡眠期间转换！）
请尽快回复2）和3）问题。
第2项）我试图重现您的上电和中断的观察：
上电：我看到电源时刻2秒的总活动。众所周知：允许32kHz XTAL振荡器在进入睡眠模式之前变得稳定。对我来说，它看起来你的电路板在32khz xtal上没有运行，而是在rcx时钟上运行。这是correct吗？使用RCX时间更短。如果没有，必须在其他地方找到原因。但请注意，在Boost模式下使用RCX未经验证且不允许。由于用于HE RCX振荡器的稳定内部电压，因此不能使用它。在Boost模式中，必须使用32kHz Xtal振荡器进行睡眠时钟。
中断：在这种情况下，我们还看到了像你这样做的较短活动时间。
请确认您的电路板是否正在XTAL32K或RCX上运行。
第3项）抱歉，我们没有看到屏幕中的峰值捕获：
我们尝试了使用32kHz XTAL振荡器的升压模式，并启用RCX的降压模式。这两种模式都没有显示额外的峰值。
根据您的第2项的答案）：可能与升压模式中的RCX-振荡器的使用可能相关。请告诉我们。
嗨bb_dialog.
2）使用32kHz XTAL，但稳定时间减少到至少测试目的（默认情况下，它是3200对应于RWIP.C文件中的2秒），因此在总时间的电源期间为126毫秒，直到第一广告和它应该去睡觉，但仍然需要大约77毫秒前睡觉。所以额外的时间可能是由于xtal ??
请在深度睡眠中唤醒唤醒期间的1）。我们在使用默认Proximity_reporter_FH唤醒后唤醒唤醒后的RF校准，在OTP中没有修改。谢谢
对话团队请尽快给出回复！
2）是的，可能是由所需的32K晶体开始时间引起的额外时间。
1）在图片中的RF-Cal活动上。我们看到在电动时在冷启动期间执行此RF-CAL，但不会在深度睡眠时执行。如前所述，我们不期望这里冷却。只有在芯片的温度会发生5摄氏度或更多时，才会执行RF-CAL。
更新：对您的请求。你可以在你的设备中加载相同的项目，但不是使用深睡眠，使用扩展睡眠模式？无需在OTP中刻录此功能，只需将其加载在Sysram中使用Connection Manager或Smart Spippets。我们想知道的是：在按下中断按钮时，你也看到了rf-cal吗？这对我们有所帮助。
嗨对话小组
在SRAM中调试模式期间，从深睡眠中醒来时没有RF-CAL（甚至在延长睡眠中也是如此）。编程OTP后，从深睡眠唤醒时，冷启动时有RF-CAL。因此，在SRAM模式下按下中断时，我们无法找到RF-CAL！。在编程OTP后，请咨询此问题。
在OTP中具有程序，我们确实期待有冷启动时的RF-CAL。但是，除非温度变化（> = 5°C），否则预计不会看到这一点。
亲爱的HRG，你的意思是140ms或140秒？
虽然峰值电流总体上升到1.5V在增强中，但平均能量应该非常相似。如果你可以给你的意思是140ms，我会调查一下。Alwasy可以预计某些MS的启动时间略有变化。
BR JE_DIALOG.
嗨je_dialog
对不起，它是140毫秒！但升压模式中消耗的电荷比在该应用笔记中提到的3倍！
Waiitng为您的回复。
谢谢
Hello HRG，没有什么明显的，斯普林斯想：你可以确认你的HW和SW设置并验证对女子卡进行升压模式的修改吗？
BR JE_DIALOG.
嗨je_dialog
HW设置根据用户手册 - J13连接为3-4，用于测量电路的电源。跳线J14为1-2，用于增压配置。软件是Proximity Reporter_FH，没有修改！对于升压模式HW设置 - 根据示意图。电源电压为1.5伏。
嗨Hrq，
要确定，您没有提到J23：应删除1.5V电源的此一个。
虽然我最终不认为这是您测量的高耗电费用。
Boost模式不应使用比降压模式更多的充电。
只有在冷启动期间的升压模式下，DCDC转换器必须为电容器充电，导致高初始峰值电流，但这不应贡献超过几μc。
在您的广告活动中，RX / TX峰值电流约为10mA？
如果是，它表示升压模式板的正常运行。
最好的问候，bb_dialog。
你好
bb_dialog.
1）
供参考J23是开放的。广告峰值约为10毫安，如你所说。
proximtiy_reporter_fh进入深度睡眠模式呈现3分钟。所以当中断时，它会用冰靴醒来时醒来吗？
但是中断后的冷启动似乎非常高（如前所述（162 UC - 150 UC）与冷靴（125UC）相比！
同时也有差异！
由于没有选项在对话框论坛中附加文件，因此您的参考我已附加到Dropbox中共享的文件链接。
在电力期间
https://www.dropbox.com/s/b1rrk73p3d690jg/poweron.png?dl=0
在中断期间
https://www.dropbox.com/s/ob83u162r05ss8j/interrupt.png?dl=0.
2）我还有一个问题所以我添加了这些。
Proximity_Reporter_FH程序被修改，使其执行一个广告事件并在中断（按钮）后，它确实一个广告事件并再次睡眠。
因此，在调试模式下测试时，中断期间的电源都是完美的。编程被烧毁到OTP。但现在在PowerOn期间，第一个广告已经完成，需要约75毫秒即可进入睡眠模式。但是在中断唤醒期间不会发生这种情况。我在这里分享了快照，可以找到它们之间的差异。（注意：它也遭受了与1）问题中提到的同样的问题）。
在Poweron期间
https://www.dropbox.com/s/2b9aj3eg2ayne29/power%20on.png?dl=0
在中断期间：
https://www.dropbox.com/s/3h0cuxkga4w79jy/interrupt.png?dl=0.
3）
还有一个疑问。无论何时在一个广告活动后按下交换机K1，也有一个未知的峰值。（注意：此峰值您可以在正常的Proximity_reporter_FH程序中敏锐地观察K1！）以下是这些的快照
https://www.dropbox.com/s/8qt913jtlm9bn42/switch.png?dl=0.
https://www.dropbox.com/s/4ycd4nrl6l85ug4/unknown%20peak.png?dl=0.
谢谢
HRG.
嗨Hrq，
谢谢你的详细快照。
我们将介绍一下这些。
最好的问候，bb_dialog。
更新14H30：
我可以确认正常的冷启动时间和消耗充电：
降压模式：124毫秒 - 67μC。
升压模式：124毫秒 - 128μC。
由于电流越高，可以解释升压模式中的较高消耗电荷@ 1.5V：大约在降压模式@ 3V时高约两倍。
从电池中消耗的能量（J）虽然将大致相同（3 x 67 = 1.5 x 128）。
我还在努力重现你的中断情况。
最好的问候，bb_dialog
嗨Hrq，
我讨论了一些同事的第二个案例（中断），
通常在从睡眠中醒来时，没有预期冷靴。
我们预计大约10毫秒Upto Provert广告，并且消耗电荷约为10μC（降压）或20μC（升压）。
此帐户占用初始化的额外时间和充电等。我们没有看到屏幕捕获中的RF校准。
在真正的冷启动中，实际上，RF-CAL被执行：在22,100秒后的PowerOn图片中。
（在正常广告中，第一次广告的时间约为7.5毫秒，收费为3.5或7毫秒。）µC消耗）。
几个问题要进一步帮助您：
您的DA14580是DA14580-01（ES5）？
您使用的是哪个SDK版本？您是否修改了邻近代码？
您使用哪个键/哪个GPIO唤醒BLE芯片？
我们使用了主板上的一个钥匙。
最好的问候，bb_dialog
嗨bb_dialog谢谢你的回复
是的，它是DA14580_CB_PXI_WLCSP 078-05-C ES5。
SDK版本3.0.4.0。
我们在母板中使用K1（默认在Proximity_reporter_FH中）。
冷靴似乎在正常的邻近应用程序中发生（即3分钟后它会睡觉，然后按下按钮，唤醒一些RF校准。）。
（您在另一个帖子中提到的，在使用Deepsleep模式时，SRAM将在睡眠期间转换！）
请尽快回复2）和3）问题。
嗨Hrq，
第2项）我试图重现您的上电和中断的观察：
上电：我看到电源时刻2秒的总活动。众所周知：允许32kHz XTAL振荡器在进入睡眠模式之前变得稳定。
对我来说，它看起来你的电路板在32khz xtal上没有运行，而是在rcx时钟上运行。这是correct吗？使用RCX时间更短。
如果没有，必须在其他地方找到原因。
但请注意，在Boost模式下使用RCX未经验证且不允许。由于用于HE RCX振荡器的稳定内部电压，因此不能使用它。
在Boost模式中，必须使用32kHz Xtal振荡器进行睡眠时钟。
中断：在这种情况下，我们还看到了像你这样做的较短活动时间。
请确认您的电路板是否正在XTAL32K或RCX上运行。
最好的问候，bb_dialog。
嗨Hrq，
第3项）抱歉，我们没有看到屏幕中的峰值捕获：
我们尝试了使用32kHz XTAL振荡器的升压模式，并启用RCX的降压模式。
这两种模式都没有显示额外的峰值。
根据您的第2项的答案）：可能与升压模式中的RCX-振荡器的使用可能相关。
请告诉我们。
最好的问候，bb_dialog。
嗨bb_dialog.
2）使用32kHz XTAL，但稳定时间减少到至少测试目的（默认情况下，它是3200对应于RWIP.C文件中的2秒），因此在总时间的电源期间为126毫秒，直到第一广告和它应该去睡觉，但仍然需要大约77毫秒前睡觉。所以额外的时间可能是由于xtal ??
请在深度睡眠中唤醒唤醒期间的1）。我们在使用默认Proximity_reporter_FH唤醒后唤醒唤醒后的RF校准，在OTP中没有修改。
谢谢
对话团队请尽快给出回复！
嗨Hrq，
2）是的，可能是由所需的32K晶体开始时间引起的额外时间。
1）在图片中的RF-Cal活动上。
我们看到在电动时在冷启动期间执行此RF-CAL，但不会在深度睡眠时执行。
如前所述，我们不期望这里冷却。
只有在芯片的温度会发生5摄氏度或更多时，才会执行RF-CAL。
最好的问候，bb_dialog。
更新：对您的请求。
你可以在你的设备中加载相同的项目，但不是使用深睡眠，使用扩展睡眠模式？
无需在OTP中刻录此功能，只需将其加载在Sysram中使用Connection Manager或Smart Spippets。
我们想知道的是：在按下中断按钮时，你也看到了rf-cal吗？
这对我们有所帮助。
嗨对话小组
在SRAM中调试模式期间，从深睡眠中醒来时没有RF-CAL（甚至在延长睡眠中也是如此）。编程OTP后，从深睡眠唤醒时，冷启动时有RF-CAL。因此，在SRAM模式下按下中断时，我们无法找到RF-CAL！。
在编程OTP后，请咨询此问题。
嗨Hrq，
在OTP中具有程序，我们确实期待有冷启动时的RF-CAL。
但是，除非温度变化（> = 5°C），否则预计不会看到这一点。
最好的问候，bb_dialog。