子卡冷启动电流

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加入:2014-08-05 13:37
子卡冷启动电流

你好
我们在升压模式下在子板中遵循相同的应用程序(Proximity Reporter_FH),如应用中的应用笔记ANB-011 -Cold启动时序。在应用程序注意中,据解释,冷启动序列所需的总电荷为54.7 UC,所需的时间是146毫秒。但是在功率分析工具中测量时,总电荷约为162 UC为140秒!为什么收费更多?正在升压模式下运行消耗更多的充电?

je_dialog.
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最后一次露面:1个月5天前
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加入:2013-12-05 14:02
亲爱的hrg,你是说140毫秒

亲爱的HRG,你的意思是140ms或140秒?

虽然峰值电流整体高于1.5V升压,平均能量应该是非常相似的。如果你能确定你的意思是140毫秒,我会调查的。人们可能已经预料到一些mS的启动时间会有轻微的变化。

BR JE_DIALOG.

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最后一次露面:2年5个月前
Guru
加入:2014-08-05 13:37
Hi JE\u对话框

Hi JE\u对话框

对不起,它是140毫秒!但升压模式中消耗的电荷比在该应用笔记中提到的3倍!

等待你的回应。

谢谢

je_dialog.
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最后一次露面:1个月5天前
职员
加入:2013-12-05 14:02
你好,hrg,什么都没有

Hello HRG,没有什么明显的,斯普林斯想:你可以确认你的HW和SW设置并验证对女子卡进行升压模式的修改吗?

BR JE_DIALOG.

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最后一次露面:2年5个月前
Guru
加入:2014-08-05 13:37
Hi JE\u对话框

Hi JE\u对话框
HW设置根据用户手册 - J13连接为3-4,用于测量电路的电源。跳线J14为1-2,用于增压配置。软件是Proximity Reporter_FH,没有修改!对于升压模式HW设置 - 根据示意图。电源电压为1.5伏。

bb_dialog.
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最后一次露面:8个月1周前
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加入:2013-12-05 14:44
嗨,hrq,

嗨,hrq,

可以肯定的是,你没有提到J23:这一个应该删除1.5V电源。
虽然我不认为这最终是你测量高消耗电荷的原因。

升压模式不应比降压模式消耗更多的电量。
只有在boost模式下,在冷启动期间,DCDC变换器必须对电容器充电,这会导致较高的初始峰值电流,但这不应超过几个µC。

在您的广告活动中,RX / TX峰值电流约为10mA?
如果是,它表示升压模式板的正常运行。

致以最诚挚的问候。

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最后一次露面:2年5个月前
Guru
加入:2014-08-05 13:37
你好

你好
bb_dialog.

1)
For your referrence J23 is open.The advertising peaks are approx 10 mA as you mentioned .
在3分钟后,接近的报告者进入深度睡眠模式。所以当中断被给予时,它会被冷启动唤醒,对吗?
但是中断后的冷启动似乎非常高(如前所述(162 UC - 150 UC)与冷靴(125UC)相比!
同时也有差异!

由于没有选择附加文件在对话论坛,为您的参考,我附加了文件链接共享的dropbox。

通电期间
https://www.dropbox.com/s/b1rrk73p3d690jg/poweron.png?dl=0

在中断期间

https://www.dropbox.com/s/ob83u162r05ss8j/interrupt.png?dl=0

2) 我还有一个问题,所以我要加上这些。
修改接近报告程序,使其执行一个广告事件并进入深度睡眠,当中断(按钮)时,它执行一个广告事件并再次进入睡眠。
因此,在调试模式下测试时,中断期间的电源都是完美的。编程被烧毁到OTP。但现在在PowerOn期间,第一个广告已经完成,需要约75毫秒即可进入睡眠模式。但是在中断唤醒期间不会发生这种情况。我在这里分享了快照,可以找到它们之间的差异。(注意:它也遭受了与1)问题中提到的同样的问题)。

通电期间

https://www.dropbox.com/s/2b9aj3eg2ayne29/power%20on.png?dl=0

中断期间:
https://www.dropbox.com/s/3h0cuxkga4w79jy/interrupt.png?dl=0.

3)
还有一个疑问。无论何时在一个广告活动后按下交换机K1,也有一个未知的峰值。(注意:此峰值您可以在正常的Proximity_reporter_FH程序中敏锐地观察K1!)以下是这些的快照

https://www.dropbox.com/s/8qt913jtlm9bn42/switch.png?dl=0.

https://www.dropbox.com/s/4ycd4nrl6l85ug4/unknown%20peak.png?dl=0.

谢谢
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bb_dialog.
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最后一次露面:8个月1周前
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加入:2013-12-05 14:44
嗨,hrq,

嗨,hrq,

谢谢你的详细快照。
我们将介绍一下这些。

致以最诚挚的问候。

更新14H30:

我可以确认正常的冷启动时间和消耗的电量:

降压模式:124毫秒 - 67μC。
升压模式:124毫秒 - 128μc。

在升压模式@1.5V时消耗的电荷较高,这可以解释为电流较高:大约是降压模式@3V时的两倍。
不过,电池消耗的能量(J)将大致相同(3 x 67=1.5 x 128)。

我还在努力重现你的中断情况。

最好的问候,bb_dialog

bb_dialog.
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最后一次露面:8个月1周前
职员
加入:2013-12-05 14:44
嗨,hrq,

嗨,hrq,

我和一些同事讨论了第二种情况(中断),

正常情况下,当你从睡梦中醒来时,不需要冷启动。
我们预计约10毫秒到第一个广告,消费费用约10毫秒µC(美元)或20µC(增压)。
这需要额外的初始化时间和费用等。我们没有看到您的屏幕截图中的射频校准。
在真正的冷启动中,RF-cal确实是执行的:在你的PowerOn图片中22100秒之后。
第一advertisi(在正常的广告时间ng takes about 7.5 msec and a charge of 3.5 or 7 µC is consumed).

有几个问题可以进一步帮助您:
您的DA14580是DA14580-01(ES5)吗?
您使用的是哪个SDK版本?你修改了接近码吗?
您使用哪个键/哪个GPIO唤醒BLE芯片?
我们使用了主板上的一个钥匙。

最好的问候,bb_dialog

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最后一次露面:2年5个月前
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加入:2014-08-05 13:37
嗨,BBU对话谢谢你

嗨bb_dialog谢谢你的回复

是的,它是DA14580\ CB\ PXI\ WLCSP 078-05-C ES5。
SDK版本3.0.4.0。
我们在母板中使用K1(接近报告器中的默认值)。
冷启动似乎发生,即使在正常的接近应用程序(即3分钟后,它将进入睡眠,然后按下按钮,它唤醒一些射频校准)。
(您在另一篇文章中提到,在使用深度睡眠模式时,SRAM将在睡眠期间关闭!)

请尽快回复2)和3)问题。

bb_dialog.
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最后一次露面:8个月1周前
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加入:2013-12-05 14:44
嗨,hrq,

嗨,hrq,

第2项)我试图重现您的上电和中断的观察:

上电:我看到电源时刻2秒的总活动。众所周知:允许32kHz XTAL振荡器在进入睡眠模式之前变得稳定。
对我来说,它看起来你的电路板在32khz xtal上没有运行,而是在rcx时钟上运行。这是correct吗?使用RCX时间更短。
如果没有,必须在其他地方找到原因。
但是请注意,在boost模式下使用RCX是不被验证的,也是不被允许的。由于RCX振荡器使用的内部电压不太稳定,因此不能使用。
在升压模式下,必须使用32KHz Xtal振荡器作为睡眠时钟。

中断:在这种情况下,我们还看到了像你这样做的较短活动时间。

请确认您的电路板是否正在XTAL32K或RCX上运行。

最好的问候,bb_dialog。

bb_dialog.
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最后一次露面:8个月1周前
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加入:2013-12-05 14:44
嗨,hrq,

嗨,hrq,

项目3)抱歉,我们没有看到您的屏幕截图中的峰值:

我们用32KHz Xtal振荡器来测试升压模式,用RCX来测试降压模式。
两种模式都不显示额外的峰值。

根据您对第2项的回答):这可能与在升压模式下使用RCX振荡器有关。
请告诉我们。

致以最诚挚的问候。

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最后一次露面:2年5个月前
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加入:2014-08-05 13:37
嗨bb_dialog.

嗨bb_dialog.

2) 使用了32KHz XTAL,但为了测试目的,稳定时间被减少到最少(默认情况下,它是3200,相当于rwip.c文件中的2秒),因此在通电期间,到第一次播发的总时间是126毫秒,它应该进入睡眠状态,但仍然需要77毫秒才能入睡。所以额外的时间可能是由于xtal??

请确认1)关于从深度睡眠中唤醒时的冷启动。我们将在从深度睡眠中唤醒后使用默认的接近报告器进行射频校准,在OTP中没有任何修改。
谢谢

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加入:2014-08-05 13:37
对话团队请给出

对话小组请尽快回复!

bb_dialog.
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最后一次露面:8个月1周前
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加入:2013-12-05 14:44
嗨,hrq,

嗨,hrq,

2)是的,可能是由所需的32K晶体开始时间引起的额外时间。

1) 在你的照片里的射频校准事件。
我们看到在电动时在冷启动期间执行此RF-CAL,但不会在深度睡眠时执行。
如前所述,我们不希望这里出现冷场。
只有在芯片的温度会发生5摄氏度或更多时,才会执行RF-CAL。

致以最诚挚的问候。

更新:给你的请求。
你可以在你的设备中加载相同的项目,但不是使用深睡眠,使用扩展睡眠模式?
不需要在OTP中烧录,只需使用连接管理器或智能代码段将其加载到SysRam中即可。
我们想知道的是:当按下中断按钮时,您是否也看到RF cal?
这对我们有所帮助。

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最后一次露面:2年5个月前
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加入:2014-08-05 13:37
嗨对话小组

嗨对话小组

在SRam的调试模式下,从深度睡眠中醒来时没有RF cal(即使在长时间睡眠中也是如此)。编程OTP后,从深度睡眠中醒来时,冷启动中有RF cal。因此,在SRAM模式下按中断键时,我们找不到RF cal!。
在编程OTP后,请咨询此问题。

bb_dialog.
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最后一次露面:8个月1周前
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加入:2013-12-05 14:44
嗨,hrq,

嗨,hrq,

在OTP中具有程序,我们确实期待有冷启动时的RF-CAL。
但是,除非温度变化(> = 5°C),否则预计不会看到这一点。

致以最诚挚的问候。