对于电池驱动的应用程序，我正在考虑使用DA14580。计划是在4年的时间里，每天只打开该部件一次(从全功率关闭)。为了尽可能延长电池的使用寿命，我希望将芯片的操作控制在2.5V以下。数据表清楚地说明，由于OTP损坏，在2.5V以下不可能冷启动。进一步说，不建议在2.35V以下运行。这就引出了几个问题:
1.DA14580能否从2.5V以下的外部内存启动?
2.我知道BLE堆栈包含在ROM中。ROM能否在2.5V或2.35V以下可靠运行?
3.当运行在2.35V以下时，芯片的性能是否会受到影响?
4.在低压降压模式下工作时，电流是否增加?如果我假设幂是常数，我计算了下面的曲线。这是准确的吗?
马Vbatt
5.10 - 3.0
5.16 - 2.9
5.36 - 2.8
5.56 - 2.7
5.79 - 2.6
6.02 - 2.5
6.28 - 2.4
6.56 - 2.3
6.87 - 2.2
7.21 - 2.1
7.57 - 2.0
感谢你提供的任何启示。
嗨Markhillig,
在冷启动期间，从OTP中读出特定的修整和校准值并保存在寄存器中。在生产过程中读出这些寄存器值是可行的(当电压足够高时)，并将它们存储在外部存储器中。当您在字段中启动时，您将从外部内存中读取这些设置，并将它们保存在适当的寄存器中。这个问题只与OTP有关，因此不会影响其他块。同样，这种方法很麻烦，但是可行的。
实际上，您可能需要考虑使用升压模式而不是降压模式。氧化银电池(纽扣电池)比一般的锂电池有更好的性能。银氧化物电池也将有更大的能量密度(每体积mWh)，他们保持他们的标称电压几乎所有的方式到最后。在升压模式下，您不必担心OTP电压。
我不知道你是怎么计算出消费数字的。首先，你的数据似乎捕捉了峰值电流，这些不是平均功耗的良好指标。其次，在3.0V的peek电流刚好低于5mA(这包括从buck调节器的损失，微控制器和接收机打开)。但是请记住，BLE芯片大部分时间都处于睡眠状态——在你的情况下是深度睡眠状态，大约是550nA @ 3V, 1.2uA @ 1.5V。在这些当前级别，计时器正在运行，并将允许每日唤醒。
谢谢您的回复。
我们正在使用专利电池化学，目前正在定义电池性能特性需要是什么。我列出峰值电流的原因是，我们正试图平衡电池的瞬时电源容量和整体能量密度。当混合不同的电池化学成分时，它们是平衡的。在我们的应用中，Boost模式将需要太多的瞬时源容量(>10mA)，并且我们在电子设备中没有存储电荷的空间。我们非常了解“平均”当前消费计算。在降压模式下，根据数据表，在3.0V时峰值电流约为5.1mA (RX)。
你好,
这里有一些我目前的消费数据:DA14580-01在buck模式@ 2.0V;2.4 v;2.8 v。
天线端接50欧姆负载。
Vbat3V = 2.0V: Tx pk = 6.35 mA;Rx pk = 7.2 mA;Iavg = 0.96 mA
Vbat3V = 2.4V: Tx pk = 5.25 mA;Rx pk = 6.0 mA;Iavg = 0.85 mA
Vbat3V = 2.8V: Tx pk = 4.75 mA;Rx pk = 5.3 mA;Iavg = 0.74 mA
最好的问候,BB_Dialog。
谢谢你的信息!这回答了第4个问题。你对问题1-3有什么想法吗?
嗨markhilliq,
我认为mhvid_dialog在他的回复中提供了大部分答案。
一般在2.35V以下无法读取OTP。
因此，如果你的应用程序不使用OTP(但例如flash从启动)，DA14580可以在2.35V以下的降压模式下使用。
最好的问候,BB_Dialog
如果您正在使用外部存储器，在生产测试中可以选择设置电压为3V，读取XTAL修剪值并将它们存储在FLASH中。
BR JE_Dialog