使用OTA时休眠唤醒后芯片死机

我可能在SDK中发现了一个bug。当我将辅助引导加载程序放入外部闪存时，当芯片从休眠状态唤醒时。如果重新应用带隙寄存器，它将卡在“system_DA14531.c”上。

如果（（GetBits16（HIBERN\u CTRL\u REG，HIBERNATION\u ENABLE）=1）和（&（GetBits16（SYS\u CTRL\u REG，REMAP\u ADR0）>1））{//应用带隙\u REG值SetWord16（带隙\u REG，booter\u val.BANDGAP\u REG）；//应用CLK\u RC32M\u REG值SetWord16（CLK\u RC32M\u REG，booter\u val.CLK\u RC32M\u REG）//应用CLK\u RC32K\u REG值SetWord16（CLK_RC32K_REG，booter_val.CLK_RC32K_REG）//应用调试器配置SetBits16（SYS_CTRL_REG，debugger_ENABLE，booter_val.dbg_cfg）；）

当我们从休眠中唤醒ExtFlash中的二级botloader存储时，无论我们在休眠前设置什么，在唤醒后重新映射ADR0总是>1。它将重新应用这些regs。

但在引导加载程序中，分散文件未定义“otp_cs_booter”部分的地址。这将导致对这些注册表应用不正确的值。这将导致芯片死机！

LR_1 0x07FC0000 0x00008000{；加载区域大小\u区域ER_1+0 0x00002000{；加载地址=执行地址*.o（重置，+First）*（在root$$Sections中）启动\u DA14531.o系统\u DA14531.o}ER_2 0x07FC8000 0x3000{；将其推到SysRAM的末尾。ANY（+RO）。ANY（+RW+ZI）。ANY（堆栈）}在地址0x07FCB000（0x07FC8000+0x3000）上方辅助引导加载程序不应使用RAM，且应保持未初始化状态。DA14531 TRNG软件机制使用的缓冲区必须仅使用未初始化的RAM空间，以便生成随机种子；自DA14531闪存编程以来，可馈送至；TRNG缓冲区的未初始化RAM数据的最大大小为0xA00rammer（UART版本）；保留从0x07FCB000到0x7FCBA00的未附加内存空间。***********************************************************************************************************************************************************************************************************}

这是引导加载程序使用的分散文件。其中没有“otp_cs_booter”部分。

现在，让我们看看SDK关于“otp_cs_booter”部分的分散文件。

LR_IROM1 0x07fc0000 0xc0{；ER_IROM1 0x07fc0000 0xc0{；加载地址=执行地址*.o（重置，+FIRST）.ANY（otp_cs_引导器）}

它设置.ANY（otp\u cs\u引导器）。所以从休眠中唤醒不会导致应用程序卡住，它只会导致辅助引导加载程序卡住！

请告诉我，当我将引导加载程序刻录到OTP时，bug会消失吗？

或者，我可以用这种方法来解决它吗？

ER_1+0 0x00002000{；加载地址=执行地址*.o（重置，+First）.ANY（otp_cs_booter）；在此处添加节*（InRoot$$Sections）启动_DA14531.o系统_DA14531.o}

将节添加到引导加载程序scatter.ANY（otp_cs_booter）；在此处添加节