你好，
我正在升压模式下运行DA14580，因为我在1.2-2V范围内耗尽电池。但是，我也使用外部EEPROM来存储.hex文件。
目前我有一个单独的DC-DC Boost转换器来为EEPROM供电，然后在DA14580引导后必须关闭。
是否可以直接从VBAT3V运行EEPROM。2.7V足以实现EEPROM，但它可以提供所需的2MA左右？
注意：DA14580已启动后，它将使用FET关闭到EEPROM的电源，以保持完整的系统电流尽可能低。
你好乔纳森，会检查你：不应该是一个问题 - 特定规范被埋葬在数据表的某个地方，我刚刚要求HW团队指出我，以便我可以验证。
BR JE_DIALOG.
谢谢JE_DIALOG。我猜这不是一个问题，但我以为我应该检查。我无法在数据表中的DC-DC转换器的VBAT3V输出中找到太多。表289中的信息似乎是指VDCDC输出。实际上，我知道VBAT3V输出默认为2.7V的原因来自这些论坛（请参阅：http：//support.dialog-semicondiondiond.com/voltage-leakage-gpio-pins-eeprom ...）。这一事实（以及可以设置VBAT3V输出电压的寄存器的细节）似乎不存在于数据表中。
乔纳森，
这是可能的，但您必须确保总功率非常低。如果您在RF活动的同时具有EEPROM活动，您可能会看到DCDC无法为系统供电的问题。
问候
tn_dialog.
你好乔纳森，我们没有在升压模式下指定/保证这个值，但只要你没有射频活动
道歉我不能更具体。
你好乔纳森，会检查你：不应该是一个问题 - 特定规范被埋葬在数据表的某个地方，我刚刚要求HW团队指出我，以便我可以验证。
BR JE_DIALOG.
谢谢JE_DIALOG。
我猜这不是一个问题，但我以为我应该检查。我无法在数据表中的DC-DC转换器的VBAT3V输出中找到太多。表289中的信息似乎是指VDCDC输出。
实际上，我知道VBAT3V输出默认为2.7V的原因来自这些论坛（请参阅：http：//support.dialog-semicondiondiond.com/voltage-leakage-gpio-pins-eeprom ...）。
这一事实（以及可以设置VBAT3V输出电压的寄存器的细节）似乎不存在于数据表中。
乔纳森，
这是可能的，但您必须确保总功率非常低。如果您在RF活动的同时具有EEPROM活动，您可能会看到DCDC无法为系统供电的问题。
问候
tn_dialog.
你好乔纳森，我们没有在升压模式下指定/保证这个值，但只要你没有射频活动
道歉我不能更具体。
BR JE_DIALOG.