你好,
我正在尝试使用OTP通过SmartSnippets编程（上传固件上）我的DA14580芯片，我收到此错误：
地址0x81FEC（MSB第一）附加错误信息：FF FF FF FE
记忆燃烧失败了。
我在另一个论坛中阅读了同样的问题，但我已经解决了所提供的解决方案，我仍然收到错误（我拥有最新版本的SmartSnippets）。
一些可能有助于排除故障的更多信息:我正在使用基本的开发工具包JTAG连接。我已经尝试使用Keil测试固件。ARM CORTEX-M SW被检测到，我可以运行程序，但我无法检测BLE设备与我的手机。我知道代码工作，我的连接是正确的，因为我在几个月前尝试了这个，它工作，但它只是不会再检测了。
我已经检查了TP2的电压，在那里我已经用连接器焊接电线以接口，测量6.6V（不是6.8V）。这可能是这个问题吗？它应该是6.8V吗？如果没有，任何想法可能是什么？
此外，是否有一个头针连接，使我可以校准晶体?我在我的MCU中把它连接到P0.5，但我不能把它连接到dev. kit板上的这个引脚，因为我的Tx线占用了它。还有其他选择吗?
提前感谢你的帮助。
设备：
嗨,哈桑,
谢谢你在网上提出的问题
你提到“我用Keil测试了固件。ARM CORTEX-M SW被检测到，我可以运行程序，但我无法用手机检测到BLE设备。”
请在调试模式下运行代码吗？你不能检测到你的设备有点奇怪。我建议您确保代码正常运行，芯片是广告的。关于广告，您可以使用SmartSnippets Toolbox的Power Profiler。
通常，您应该按照以下步骤才能燃烧选择。
你应该从SmartSnippets工具箱(推荐最新版本)中选择OTP程序员。
OTP标题区域，其中放置了定义设备操作的标志和特定值（关于OTP报头的值的更多信息，可以在智能代码片段用户指南中找到）。
当用户试图刻录OTP时，他必须确保编程电压干净，不得超过6.8V。另外，6.8V只能在VBAT3V供应后应用于VPP，必须在VBAT3V被移除之前从VPP移除，否则可能会损坏芯片。
要使用最常用的配置刻录OTP，请按照以下说明操作：
注意:如果应用程序标志被烧毁，而JTAG启用标志被禁用，那么该设备将无法访问。
记住，OTP代表一次性可编程，因此你不能擦除和重写OTP多次，但你只能翻转位仍然设置为0，并把他们变成1。
谢谢,PM_Dialog
你好管理员,
感谢您的提示，详细和有助的反馈。这是一个很大的支持，非常感谢。
我只想谈谈你的一些观点:
我正在调试模式下运行我的代码。我启动一个调试会话，它很好地启动，然后我选择Run，它运行，没有遇到错误并停止，直到我自己停止它。因此，实际软件在没有问题的情况下运行，但我只是因为某种原因无法检测到它。
至于你的解决方案的第二部分关于使用SmartSnippets工具箱上载OTP，我通过这些步骤的顺序，但这是导致我收到的错误，我上面提到:
地址0x81FEC（MSB第一）附加错误信息：FF FF FF FE
记忆燃烧失败了。
所以听你的。3、我不能烧毁图像，因为我得到这个错误。
你认为这和通过TP2提供的电压(目前是6.6V)有关吗?如果是这样，这也会导致设备不显示时试图与Keil调试?
在用Keil调试时，我甚至需要将这个电压应用到Vpp吗?或者我只需要这个连接时，实际上传固件到OTP?
谢谢。
嗨,哈桑,
我正在调试模式下运行我的代码。我启动一个调试会话，它很好地启动，然后我选择Run，它运行，没有遇到错误并停止，直到我自己停止它。因此，实际的软件运行没有问题，但我就是无法检测它的原因。”
您能否请使用SmartSnippets Toolbox的电源分布器，以确保设备正确启动广告？您是否尝试运行任何SDK示例，或者您已开发自定义应用程序？然后，我建议您运行SDK的BLE_APP_BAREBONE示例（因为它提供，没有任何修改）。DA14580正确的广告吗？您是否能够在NLE移动应用程序中检测到它？
关于你的问题如何编程OTP,我会建议你首先确保固件功能齐全,然后程序OTP,你不能擦除和重写OTP多次,但你仍然只能翻转的位设置为0,把它们为1。
正如我在之前的回答中提到的，您应该确保编程电压是干净的，不得超过6.8V。另外，6.8V只能在VBAT3V供应后应用于VPP，必须在VBAT3V被移除之前从VPP移除，否则可能会损坏芯片。根据数据表，对于OTP编程，应使用VPP = 6.7 V±0.1 V。
在用Keil调试时，我甚至需要将这个电压应用到Vpp吗?
在通过Keil下载固件时，系统RAM是刻录的，并且从那里烧毁设备靴子。这样做，无需提供VPP。
我只需要这个连接时，实际上传固件到OTP?
当固件功能完备时，您需要这个设置，并且您想要刻录OTP。
谢谢,PM_Dialog