GPIO驱动力量,或上升时间和下降时间,以及水槽/源电阻

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Tomschreurs.
离线
最后一次露面:1年8个月前
加入:2019-08-23 09:51
GPIO驱动力量,或上升时间和下降时间,以及水槽/源电阻

你好,

我们正在使用SLG46826的GPIO引脚作为输出驱动2个FET的栅极。我们目前正在研究选择哪种FET,以及SLG46826适用于在1或几纳秒内驱动栅极。为此,我们想知道单个GPIO引脚的驱动力。SLG46826数据表似乎没有提供此信息,或者我忽略了什么?或者,300 PF负载的上升和下降时间将非常有趣。

此外,知道GPIO输出级中的推挽晶体管的水槽/源电阻是良好的。

如果您可以帮助我们,请告诉我。

此致,

汤姆

设备:
设备编号:
SLG46286V.
帕德洛兹
离线
最后一次露面:2个月前1年
职员
加入:2018-01-31 12:50
你好汤姆,

你好汤姆,

感谢您的问题,抱歉延迟答案。

不幸的是,我们没有直接数据集上升/下降时间与负载电容,但有V.,V.ol., 一世, 一世ol.规格(见附件)任何您可以计算特定负载的内部信道电阻和上升/下降时间。

Tomschreurs.
离线
最后一次露面:1年8个月前
加入:2019-08-23 09:51
没问题,谢谢你的

没问题,谢谢你的回复。我实际上一直在看那些表并得出结论,这不是我正在寻找的信息,但它是。我的错。

但是,我仍然不明白一件事:数据表对于不同VDD和VDD2的“voh = 2.4 v”(甚至最多= vdd2)。请参阅附图。我希望GPIO高输出电压为VOH = VDD - 0.2或接近该问题的东西。为什么它总是2.4 v?

谢谢你的帮助

汤姆

附件:
帕德洛兹
离线
最后一次露面:2个月前1年
职员
加入:2018-01-31 12:50
你好汤姆,

你好汤姆,

此表显示了引脚处的最大负载,以保持不同VDD的可接受的输出电压(2.4V)。

Tomschreurs.
离线
最后一次露面:1年8个月前
加入:2019-08-23 09:51
清楚,我理解。感谢

清楚,我理解。谢谢!