在Dialog参考设计中，外部闪存芯片的解耦电容规格是0.1uf 16V 10% X7R 0402，可以改成0.1uf 10V 10% X7R 0201还是0.1uf 16V 10% X5R 0201?
我们现在使用的规格是0.1uf 6.3V 10% X5R 0201，然后电容损坏。的原因是什么?
谢谢。
设备:
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大家好. .谢谢你来到论坛。令人兴奋的消息!我们现在正在转移到新的论坛平台，它将提供更好的功能，包含在主对话网站中。所有岗位和账户都已迁移。我们现在只接受新论坛的流量-请在上面发布任何新帖子//www.wsdof.com/support．我们将在未来几天修复bug /优化搜索和标记。
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嗨的歌,
我将在内部与团队进行检查，很快我会让你知道哪个是外部闪光的推荐去耦电容器。
谢谢,PM_Dialog
嗨的歌,
我建议你使用1uF的去耦电容，而不是100nF。你可以使用0.1uf 10V 10% X7R 0201或0.1uf 16V 10% X5R 0201，但我建议你将容量增加到1uF。在我们的设计中，解耦电容的容量改为1uF。不知道为什么0.1uf 6.3V 10% X5R 0201被损坏。
谢谢,PM_Dialog
我发现在你的wearable design example中只保留了VDDIO的解耦电容。在我的设计中，在外闪光的VCC引脚上增加了一个0.1uf的电容。你设计的V18和V18P的解耦电容都是16V，而我的设计是10V。今天我发现我的设备中V18的电容损坏了。为什么是16V?V18去耦电容的损坏是否与外部闪光去耦电容有关?
嗨的歌,
V18使用的是哪种电容?也许你应该参考电容器的规格，所以不确定为什么会发生。
谢谢,PM_Dialog
附件中的C4。
嗨的歌,
正确的- 10μF(0603封装，16V)的去耦陶瓷电容器(C4和C5)必须尽可能靠近V18和V18P引脚。建议C4和C5的去耦电容为:CAP CER 16V 20% X5R - 10 μF - 0603
谢谢,PM_Dialog