你好我们有DA14583芯片的问题，它在延长睡眠模式下作为外设工作。在VBAT3V上我们放置了47uC电容，以减少广告/连接时的功率电压峰值下降。取出电池后，DA14583上的电源电压下降缓慢，插入电池DA后，电源上经常卡住约200uA电流。设置RST引脚短为高帮助和DA引导。我们需要在拔插电池之间等待超过6秒才能正确引导DA。有任何解决方案来解决这个问题(没有外部复位)?
问候Andrzej
嗨Andrzej里歇尔,
最可能的是，您正在经历的是电池反弹问题，在这种情况下，设备只能通过发出复位恢复，关于这一点，您有两个选择，您可以放置一个外部管理器或您可以放置一个1uF电容之间的RST和VBAT3V。
由于MT_dialog
嗨似乎问题是低VBAT3V(低于约0.65V)到DA14583自复位。如果VBAT3V低于2.3V但不低于0.65V，而VBAT3V升到标称3V时，经常会出现芯片卡死的情况(例如DA在延长睡眠模式下拆卸电池后，VBAT3V上的47uF - VBAT3V下降缓慢，然后在VBAT3V上插入标称3V电池)。我认为问题是VBAT3V的自复位电压太低。我没有在DA14583中找到任何关于brown out reset的信息。RST和VBAT3V之间的1uF电容完全没有解决问题，但帮助不大。使用1uF电容时，芯片更难以粘住，而且拆卸和插入电池(芯片复位)所需的时间也更短。谢谢
关于Brown out信息，583不实施一个Brown out检测电路，因此将不能恢复，是的，电容将不能完全解决问题，但它肯定改善了它，为100%的恢复一个外部主管建议。
你好,你推荐一个外部电阻(如果是，什么值)复位电路与一个1uF电容或一个内部下拉仅?
嗨Andrzej,
只需电容将做，复位针配备了一个内部25K下拉电阻。
嗨Andrzej里歇尔,
最可能的是，您正在经历的是电池反弹问题，在这种情况下，设备只能通过发出复位恢复，关于这一点，您有两个选择，您可以放置一个外部管理器或您可以放置一个1uF电容之间的RST和VBAT3V。
由于MT_dialog
嗨
似乎问题是低VBAT3V(低于约0.65V)到DA14583自复位。
如果VBAT3V低于2.3V但不低于0.65V，而VBAT3V升到标称3V时，经常会出现芯片卡死的情况(例如DA在延长睡眠模式下拆卸电池后，VBAT3V上的47uF - VBAT3V下降缓慢，然后在VBAT3V上插入标称3V电池)。
我认为问题是VBAT3V的自复位电压太低。
我没有在DA14583中找到任何关于brown out reset的信息。
RST和VBAT3V之间的1uF电容完全没有解决问题，但帮助不大。
使用1uF电容时，芯片更难以粘住，而且拆卸和插入电池(芯片复位)所需的时间也更短。
谢谢
嗨Andrzej里歇尔,
关于Brown out信息，583不实施一个Brown out检测电路，因此将不能恢复，是的，电容将不能完全解决问题，但它肯定改善了它，为100%的恢复一个外部主管建议。
由于MT_dialog
你好,
你推荐一个外部电阻(如果是，什么值)复位电路与一个1uF电容或一个内部下拉仅?
嗨Andrzej,
只需电容将做，复位针配备了一个内部25K下拉电阻。
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