你好,
我正在尝试再现图1所示的结果。1 AN-B-011“冷启动时序和电源细节”。
我想刻录近距离报告器应用程序进入OTP,从母板上拔下子板,当1.5 VDC应用于正确的引脚时,将芯片进行冷启动。
到目前为止我已经编译了Reporter_FH项目并刻录了生成的Flash中的Full_emb_sysram.hex。当USB输入到子板的USB连接到5VDC源时,这效果很好,主板+子板引导。我可以看到嗅探器上的BLE广告数据包。
我假设需要以下后续步骤:
1.编辑eporter_fh / da14580_config.fh并更改以下值:
一种。用“#define development_debug 0”替换“#define development_debug 1”
湾用“#define app_boot_from_otp”替换“#undef app_boot_from_otp”
C。用“#define read_nvds_struct_fromet_from_otp”替换“#undef read_nvds_struct_from_otp”
2.重新编译报告_FH并生成一个新的full_emb_sysram.hex
3.在Smart Scompets中使用OTP程序员将Full_emb_sysram.hex刻录到OTP图像中。智能代码段的默认设置在OTP存储器中设置偏移量= 0000
4.在SMART代码段中使用OTP程序员刻录默认OTP标题,但在刻录之前进行以下更改:
一种。更改应用标志1从否定到是
湾更改应用标志2从否定到是
C。将0x47FF4(Remaping标志)从“SRAM以0”更改为“OTP at 0”
天。更改0x47FFC(JTAG启用标志)从已启用到禁用
我会保留其他默认值:
0x47F70(包装包)= WLCSP,0x47F74(32 kHz源选择)= XTAL32KHz,0x47FD0(签名算法)=无,
5.不要将任何东西刻录到NVDS中。这样对吗?
然后,我假设OTP将包含报告_FH应用程序,并且当我从主板断开子板并将1.5 VDC源旋转到正确的引脚时,芯片将冷启动和Reporter_FH将在从Flash启动时执行。
这是正确的吗?我错过了什么吗?
谢谢,
Jon.
嗨Hull39,
您必须修改子卡HW以在升压模式下运行。子板示意图指定所需的更改。
嗨mikael,
此外,在您的建议(感谢此),在步骤4中,我首先读取OTP报头值,然后如上所述在刻录标题之前修改它们。
保留了芯片上的一些修剪值,但智能片段未知。
在刻录标题之前,我还确保刻录图像。
这给了我一个从3V来源运行的女儿板。在Boost模式下运行它的硬件修改正在进行中。
谢谢,
Jon.
嗨乔恩,
这是个好消息。如上所述,在编辑之前读取OTP设置,保留已存储的重要数据。
完成Boost操作的硬件MOD后,请确保在主板上正确设置跳线。我花了很长时间才意识到我应该将J14移动到1和2; O)
如果要运行Boost模式配置的子卡而不将其插入主板,则应提供 - 而不是VBAT;但通过VBAT1V(Connector上的BR7)
如何在DA14580中读写内部EEPROM?
嗨Hantig,
580上没有内部EEPROM,580只有一个OTP,设备将内容从中镜像到SYSRAM。OTP只能使用Smart Spippets工具和OTP刻录机工具写一次。
谢谢mt_dialog.