你好,
我们正在考虑BLE申请DA14680，然而，我们希望采取一些时间敏感的行动。关于flash管理的一些澄清将非常感激。
1)如果flash被擦除，我们还能执行蓝牙操作吗?数据表说明，当闪存正在擦除，芯片必须从RAM或缓存运行，但我理解蓝牙读取ROM，中断应该禁用时，闪存正在擦除。有办法绕过这些限制吗?
2) flash写/擦除时间和功耗的统计是什么?我在资料表中找不到它们。
3)如果一个进程试图访问flash，而它正在被擦除?
4)数据表表明，控制QSPI与flash通信的FSM需要在上电时进行初始化。它也必须在睡眠后初始化吗?初始化需要多长时间?
谢谢
关键词:
设备:
嗨MThib,
如果闪光被擦除是什么意思?68x可以运行在闪存或镜像模式(直接从sysram)，当然，当设备运行在镜像模式的内存数量是相当有限的，这就是为什么缓存模式是首选。正如你能理解的，如果flash被擦除，没有应用程序代码，ROM代码实现堆栈不能自己运行，所以你必须有一个应用程序在flash中，以便BLE操作。现在,如果你想知道,如果你能擦掉一部分flash和还有祝福操作然后NVMS适配器会照顾,还有选择的SDK时flash操作执行装置没有未决任务和闲置,所以在进入睡眠之前，flash操作将被执行(这将确保在很大程度上你不会在flash操作时丢失BLE事件)。
2)对于680上的flash，所使用的部件在功能上和电上都相当于W25Q80EW，所以你可以查看该flash数据表的信息。
3)如上所述，SDK提供了适配器来访问flash，所以如果一个任务擦除flash，这个源被保护，没有其他任务可以访问flash，而另一个进程正在使用该资源。
4)是的，这是在每次唤醒后执行的，但需要的时间是几个周期的16MHz时钟，而且你也不必担心，因为SDK会照顾所有上述操作。
以上所有关于flash的问题都要知道，这些类型的操作对用户是透明的，因为SDK和免费的RTOS OS提供了适当的结构和功能，以处理flash操作。您可以查看UM-B-044-DA1468x软件平台参考。pdf，以了解SDK如何在68x SoC上运行。
由于MT_dialog
1)我正在谈论如何当闪存被擦除发送一个擦除命令，如擦除一个4kb的扇区，整个闪存将是不可访问的，直到擦除完成。这通常会构成45毫秒到最大400毫秒的时间，在这段时间中，我们必须要么暂停，要么依赖于从RAM操作。有些芯片的内存控制器只能在擦除过程中阻止对特定闪存块的访问，但我想验证我们唯一的选择是在擦除过程中缓冲数据并从RAM中运行。我知道SDK可以减少在擦除过程中导致flash发生的操作的可能性，但我们需要100%的保证它不会发生。
2-5)谢谢你的帮助，这些都充分回答了我的问题。非常感谢您的快速回复!
嗨MThib,
这是正确的,事实上你是擦除的flash将flash inaccesible 68 x,但由于flash操作在自动模式,在消除的情况下,如果你想从flash(获取代码或数据)读取设备将暂停擦除操作和执行读取、然后设备将继续删除操作(这个开关会自动完成在这两种情况下当flash操作下手动或自动模式,但在第二种情况下这样做是通过qspi控制器和从SDK)在第一种情况下,在任何情况下这是对最终用户透明。此外,正如上面提到的SDK是配备了一个机制,将执行所有的操作flash设备一直闲置,这是必须的,因为你想成为100%安全,flash操作不会影响和造成任何延迟设备的functionallity。
由于MT_dialog
挂起擦除来读取数据的限制是什么?例如，设备是否可以挂起页擦除来读取数据，或者它必须等待页擦除完成后才能读取数据?在擦除页的中间挂起来对flash来说是相当令人印象深刻的。如果要擦除超过一个页面，我会怀疑它可以在擦除页面之间挂起，否则必须等待。如果情况不是这样，我很想知道。
再次感谢,
MThib
嗨MThib,
是的，如上所述，在擦除的情况下，设备会暂停擦除以便从闪存读取数据，读取完成后，它将继续擦除闪存，现在，如果在擦除过程中发生读操作，设备将发送挂起命令，擦除将被挂起(flash挂起和恢复擦除的时间在每个flash设备之间是不同的)，一旦擦除被挂起，设备将开始执行读命令，一旦读命令结束，它将恢复擦除命令。这个特性也是flash应该支持的。数据表12.1.6 Erase Suspend/Resume解释了整个功能
由于MT_dialog