你好,
当VBAT为1.7V, Flash由V33供电时，是否可以写入外部Flash ?一个闪存需要10mA来执行一个写周期。
问候,
罗纳德。
设备:
⚠️
大家好. .谢谢你来到论坛。令人兴奋的消息!我们现在正在转移到新的论坛平台，它将提供更好的功能，包含在主对话网站中。所有岗位和账户都已迁移。我们现在只接受新论坛的流量-请在上面发布任何新帖子//www.wsdof.com/support．我们将在未来几天修复bug /优化搜索和标记。
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嗨,罗纳德,
如果VBAT是1.7V，那么V33的1V8和1V8P也将略低于1.7V。如果1.7V在FLASH的操作限制内，它应该工作，如果不(例如，如果这是一个3.3V FLASH)，它将不能工作。请注意，如果VBAT是3.3V-4.5 v，那么V33将是3.3V。如果附加的FLASH是1.8V，它将在这个电压下损坏
你也可以考虑使用1.8V的FLASH，因为1.8V的FLASH比3.3V的消耗更少的电力。大多数1.8V FLASH可以工作到1.65V，而闪存制造商的趋势是1.8V。请注意，对于VBAT1< 2.45V, DC-DC效率低于ldo。
在任何情况下，如果电池能够提供所需的mA，每一个1V8, 1V8P和V33可以提供高达75mA的有源模式和高达~3mA的休眠模式。
因此，可以从任何可用的rails提供您的FLASH。
另外，请不要在OpenThread部分发布58x或68x的相关问题，除了你的问题可能没有得到回答的事实(我偶然看到你的帖子)，每个帖子都应该发布在相关的主题。
由于MT_dialog