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SLG59H1126V.
SLG59H1126V.
HFET1™高压集成功率控制开关
一支工程师组织准备回答你的问题
12 V，18MΩ，6个具有V的集成电源开关在锁定选择和iDS.当前监视器输出
SLG59H1126V是一种高性能，自动的18MΩNMOS电源开关，专为所有4.5到12 V电源轨为5 A.使用专有MOSFET设计，SLG59H1126V实现稳定的18MΩR达森跨越宽输入电压范围。在结合新型FET设计和铜柱互连方面，SLG59H1126V封装也表现出用于高电流操作的低热阻。设计用于在-40°C至85°C范围内，SLG59H1126V可提供低热电阻，符合RoHS兼容，1.6 x 3.0 mm STQFN封装。
特征
- 优化为电信设备，高性能企业计算，电机驱动器
- 18mΩr.达森
- 最大连续开关电流：6 a
- 宽操作电源电压：4.5 V至13.2 V
- 自动NFET SOA保护
- 2级，引脚可选的VIN过压锁定
- 电容器可调浪涌电流控制
特征
- 两级电流限制保护：
- 电阻可调的主动电流限制
- 固定0.5A短路电流限制
- 开关控制：活跃高
- 包1.6 x 3.0 x 0.55 mm stqfn-18
雷竞技安卓下载
- 企业计算和电信设备5V和12V负载点配电
- PCI / PCIe适配器卡
- 通用高压，电源轨开关
- 多功能打印机
- 风扇电机控制
包
STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）
资源
数据表
- SLG59H1126数据表（925.9 KB）
申请笔记
- AN-1112改善HFET1的VIN瞬态保护（375.58 KB）
- AN-CM-268：在双向应用中应用对话框集成电源开关雷竞技安卓下载（1.44 MB）
- AN-CM-272扩展对话框的IPS最大工作电流（1.19 MB）
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