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SLG59H1019V
SLG59H1019V
HFET1™高压集成功率控制开关
一组工程师已经准备好回答你的问题
自供电的,24 V, 13 mΩHFET1集成电源开关与V / 5在（ovlo）禁用
SLG59H1019V高性能13 mΩNMOS电源开关用来控制rails 4.5 V至25.2 V电源5。使用专有的MOSFET设计,SLG59H1019V达到一个稳定的13 mΩR达森跨越宽输入电压范围。在结合新型FET设计和铜柱互连时，SLG59H1019V封装也表现出用于高电流操作的低热阻。设计用于在-40°C至85°C范围内操作，SLG59H1019V可提供低热电阻，符合RoHS兼容，1.6 x 3.0 mm STQFN封装。
特征
- 高性能n沟道MOSFET
- 低的R达森: 13 mΩ
- 连续I.DS评分：5 a
- 工作电压范围:4.5 V≤V在≤25.2V
- V在（ovlo）：残疾人士
- V(UVLO): 3.1 v,固定的
- 电容可调启动和急流电流控制
特征
- 两级过电流保护:
- 电阻可调节的有源电流限制为5A
- 固定0.5短路电流限制
- 快0.75 kΩV出卸货
- 热停堆保护
- 开关控制:高电平有效
- 工作温度范围:-40C至85C
- 包1.6 x 3.0 x 0.55 mm stqfn-18
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- 电信设备
- 高性能计算
- 负载点配电
- 电机驱动器
包
STQFN-18 (1.6 x3.0 mm)
资源
数据表
- SLG59H1019V数据表(1.78 MB)
申请笔记
- AN-CM-268：在双向应用中应用对话框集成电源开关雷竞技安卓下载(1.44 MB)
- AN-CM-272扩展对话框的IPS最大运行电流（1.19 MB）
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