跳到主要内容

DataFlash™SPI的记忆

最有效的数据记录闪存

  • 字节/页编程
  • 快速页面删除
  • 低功耗模式
  • 停电保护
  • 数据完整性和安全性

DataFlash先进的双SRAM缓冲区架构使其成为数据日志记录最有效的内存。它还包含了一套高级功能,可以节省系统功耗,减少处理器开销,简化软件开发,并提供全面的数据安全和完整性选项。

特性

宽Vcc

双SRAM缓冲

低功耗操作延长系统电池寿命

字节写入在串行NOR闪存设备中提供串行EEPROM功能

超深断电在>400nA运行

扩展Vcc操作允许系统内存在整个电压范围内运行

全面的安全性和独特的ID功能保护设备免受外部篡改

保持联系

直接通过我们的全球销售办事处联系我们,或联系我们的全球分销商和代表之一。

调查 分销商和代表 注册通讯

DataFlash™SPI的记忆

密度 产品/数据表 速度 Vcc范围 接口 细节 状态 样品
64 mbit AT45DB641E 104兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DB321E 104兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DQ321 70 - 104 mhz 2.3 v - 3.6 v SPI,双,四I/O 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DQ321(105°C) 40 - 104 mhz 2.3 v - 3.6 v SPI,双,四I/O 活跃的 订单样品
16 mbit AT45DB161E 104兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
16 mbit AT45DQ161 100兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI,双,四I/O 活跃的 订单样品
8兆比特 AT45DB081E 133兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT45DB041E 104兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT45DB041E(125°C) 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
2 mbit AT45DB021E 70兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
AT45DB641E细节
订购代码
AT45DB641E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB641E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB641E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB641E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB641E-MWHN-Y MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB641E-MWHN-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB641E-CCUN-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DB641E-UUN-T WLCSP -联系Adesto
AT45DB641E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB641E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB641E-MWHN2B-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB641E-CCUN2B-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DB641E-UUN2B-T WLCSP -联系Adesto
AT45DB321E细节
订购代码
AT45DB321E-CCUF-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DB321E-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB321E-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB321E-MWHF-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB321E-MWHF-Y MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB321E-MWHF2B-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DB321E-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB321E-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHFHA-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB321E-SHFHC-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321细节
订购代码
AT45DQ321-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ321-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ321-MWHF-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DQ321-MWHF-Y MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DQ321-CCUF-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DQ321-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-MWHF2B-T MLF VDFN 8MW 8 - 6x8
AT45DQ321-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E细节
订购代码
AT45DB161E-MHD-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHD-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHD2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB161E-SHD-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHD-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHD2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SSHD-B Soic 150mil 8s1 8
AT45DB161E-SSHD-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB161E-SSHD2B-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB161E-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB161E-SSHF-B Soic 150mil 8s1 8
AT45DB161E-SSHF-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB161E-SSHF2B-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB161E-UUF2B-T 11-WLCSP
AT45DB161E-UUF-T 11-WLCSP
AT45DQ161细节
订购代码
AT45DQ161-SHF-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SHF-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-MHF-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ161-MHF-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ161-SSHF-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DQ161-SSHF-B Soic 150mil 8s1 8
AT45DQ161-CCUF-T UBGA 9CC19 - 6x6
AT45DQ161-SHF2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SSHF2B-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DQ161-MHF2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DQ161-SHFHB-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SSHFHB-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DQ161-SHFHD-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ161-SSHFHD-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB081E细节
订购代码
AT45DB081E-SSHN-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB081E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB081E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB081E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB081E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB081E-SSHN2B-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB081E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB081E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB081E-SSHN-B Soic 150mil 8s1 8
AT45DB081E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB081E-DWF 参见晶圆模解决方案菜单
AT45DB041E细节
订购代码
AT45DB041E-SSHN-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB041E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB041E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB041E-SSHN2B-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB041E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB041E-SSHN-B Soic 150mil 8s1 8
AT45DB041E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB041E-DWF 参见晶圆模解决方案菜单
AT45DB021E细节
订购代码
AT45DB021E-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB021E-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB021E-MHN2B-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT45DB021E-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB021E-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB021E-SHN2B-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB021E-SSHN-B Soic 150mil 8s1 8
AT45DB021E-SSHN-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB021E-SSHN2B-T Soic 150mil 8s1 8
AT45DB021E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB021E-DWF 参见晶圆模解决方案菜单
AT45DQ321(105°C)的细节
订购代码
AT45DQ321-SHFHB-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DQ321-SHFHB-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E(125°C)的细节
订购代码
AT45DB041E-SHNHT-B Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-SHNHT-T Soic 208mil 8s2 8
AT45DB041E-SSHNHT-B Soic 105mil 8s1 8
AT45DB041E-SSHN-T Soic 105mil 8s1 8

微米M25PE替代品

密度 产品/数据表 速度 Vcc范围 接口 细节 状态 样品
16 mbit AT25PE16 85兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
8兆比特 AT25PE80 85兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT25PE40 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
2 mbit AT25PE20 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
AT25PE16细节
订购代码
AT25PE16-SSHN-B Soic 150mil 8s1 8
AT25PE16-SSHN-T Soic 150mil 8s1 8
AT25PE16-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE16-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE16-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE16-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE20细节
订购代码
AT25PE20-SSHN-B Soic 150mil 8s1 8
AT25PE20-SSHN-T Soic 150mil 8s1 8
AT25PE20-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE20-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE20-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE20-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE40细节
订购代码
AT25PE40-SSHN-B Soic 150mil 8s1 8
AT25PE40-SSHN-T Soic 150mil 8s1 8
AT25PE40-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE40-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE40-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE40-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE80细节
订购代码
AT25PE80-SSHN-B Soic 150mil 8s1 8
AT25PE80-SSHN-T Soic 150mil 8s1 8
AT25PE80-SHN-B Soic 208mil 8s2 8
AT25PE80-SHN-T Soic 208mil 8s2 8
AT25PE80-MHN-Y UDFN 8MA1 8 - 5x6
AT25PE80-MHN-T UDFN 8MA1 8 - 5x6

保持联系

直接通过我们的全球销售办事处联系我们,或联系我们的全球分销商和代表之一。

调查 分销商和代表 注册通讯
产品简介和摘要
的名字 日期 版本
DataFlash产雷电竞官网登录品概述(491.34 KB)
SPI NOR Flash产品选择器(769.09 KB) 15/03/2022 一个
应用笔记
的名字 日期 版本
AN005改进的有源中断被证明可以降低功耗(873.64 KB)
AN111:在AT25xx系列和AT45xx系列中实现超深下电模式(339.24 KB)
AN500:NOR闪存擦除操作(807.16 KB)
AN501: NOR闪存的上电/下电考虑(588.11 KB) 01/05/2021 A1
AVR116:在DataFlash上磨损调平(628.62 KB)
AVR335:数字录音机tinyAVR或megaAVR和DataFlash(149.29 KB)
AVR335:数字录音机tinyAVR或megaAVR和DataFlash - Zip(12.73 KB)
DataFlash二进制页面大小(129.17 KB)
DataFlash: SRAM缓冲区读特性描述(451.4 KB)
DataFlash®和串行Flash BGA包(619.13 KB)
使用DataFlash®e系列系列在掉电时保存数据(468.27 KB) 11/12/2020 A0
使用DataFlash家族的VCC关机、断电和开机(270.42 KB)
布局指南
的名字 日期 版本
Adesto存储设备的PCB设计和布局考虑(313.89 KB)
软件资源
的名字 日期 版本
仿真工具(29.68 KB)
用户指南和手册
的名字 日期 版本
转换指南Micron EOL M45PE产品雷电竞官网登录(276.43 KB)
DataFlash Verilog模型用户手册(50.32 KB)
DataFlash VHDL模型用户手册(35.26 KB)
用于Dialog SoC产品的Dialog闪存雷电竞官网登录(184.91 KB) 23/07/2021
RoHS,达到
的名字 日期 版本
认证和语句(29.68 KB)
一般
的名字 日期 版本
Adesto串行闪存省电功能和概念(1.22 MB)
DataFlash内存产品选择器雷电竞官网登录(246.51 KB)
DataFlash®-L: Page Erase Serial Flash产品概述(222.93 KB)
长寿项目(29.68 KB)
产品更改通知(29.68 KB)

保持联系

直接通过我们的全球销售办事处联系我们,或联系我们的全球分销商和代表之一。

调查 分销商和代表 注册通讯
视频缩略图,点击打开播放

小页擦除

视频缩略图,点击打开播放

NOR闪存系统增强灵活的RW SRAM缓冲区

所有产品论坛上的活动雷竞技电竞平台网站正在迁移到一个叫做RenesasRulz5月4日通报用户。瑞萨电子公司瑞萨(Renesas)将作为服务供应商和处理器,代表Dialog Semiconductor PLC管理这一举措。雷竞技电竞平台(“雷竞技电竞平台半导体”对话框)。在适当的时候,您将收到来自Renesas的欢迎电子邮件,提供访问您的新RenesasRulz帐户的详细信息。

回的结果

内存

3个月前

AT25SL128A进入保护扇区状态

发布的ArunH97点 8回答说
1 upvote

你好,

我有一个基于AT25SL128A的设计。我开始与standardflash.c和测试它从Adesto github网站和所有测试通过。所以我假设我的SPI集成在我的MCU上是好的。

然后我让它运行一个更长的测试,这样它就可以继续写/读回数据,然后绕到内存的开始。然后我擦掉4K扇区,回收它用于写作。

然而,当我在换行后读取4K擦除后的数据时,我发现我总是读取所有的0。进一步检查发现,状态寄存器1的值为0xFC,这意味着所有的保护位都被设置为1。

Q1:这不是我做的,所以我想知道你是否有什么建议,闪光是否可能由于任何触发器而自己进入这种状态?
Q2:或者它只能发生在MCU写入这个值的时候吗?

注1:我能够通过写一个新值到状态寄存器1恢复到工作状态,但我想检查如何在未来避免这种情况。

Note2:状态寄存器2为0x00,这是默认值。它没有改变。

谢谢!

-阿伦

3个月前

gordonmacnee 225点

你好,阿伦,

我自己没有使用过GitHub的驱动程序,但使用过AT25SL128A,它不应该保护自己。您是否能够分解您的测试以查看STATUS reg 1何时被更改?我也会问我们的一些软件工程师,如果他们看到任何问题的司机。

3个月前

ArunH 97点

你好戈登,

github的驱动程序和测试本身看起来很好。

奇怪的是,这种情况只发生在包装回第一个扇区时,这就是为什么我想问这个问题,即,在擦除或写入或读取之前,是否需要对已经写入的扇区进行保护。

这似乎不太可能,但这是我第一次使用这个闪光部分,所以我想我应该问。

我还不能重复这一点,但它发生在两个单位,并都围绕。

如果这种情况再次发生,我会设法得到更多的信息。

感谢您的回复!

3个月前

gordonmacnee 225点

你能给我更深入地描述一下“包裹”条件吗?

谢谢

3个月前

ArunH 97点

你好戈登,

所谓“绕行”,我的意思是我写入数据(读取滞后于数据),直到闪存结束,然后我返回到闪存的开始。因此,在我再次写入之前,我已经在那里写入了数据,我必须擦除4K扇区(4K扇区号为0)。

谢谢,

阿伦

3个月前

gordonmacnee 225点

嗨ArunH,

只是和我们SW团队的人聊了聊。这些驱动程序是由一名实习生编写的,以帮助我们演示flash部件,并在NXP和ST控制器上进行了测试。注意,这些驱动程序使用“位敲击”方法,其中IO引脚用于模拟SPI硬件。这使它们稍微慢一些,并且不能最好地利用可用的SPI总线硬件。也就是说,它们应该在任何控制器上工作,不应该在没有主机程序请求的情况下保护Flash。

你会让我们知道你正在使用的处理器以及更多的信息,当这种“绕”发生吗?

问候

3个月前

ArunH 97点

你好戈登,

我没有使用从驱动程序的位敲击技术,我用我正在使用的MCU的SPI代码替换了它(SiLabs EFR32BG22)。一般来说,这工作得很好,没有真正发现任何问题,除了这个情况。对不起,我之前忘记提到这一点,我正在使用standardflash.c不变,接口到MCU SPI代码。

当写入到flash末尾(16MByte限制),然后返回到地址0或4K扇区号0时,就会出现换行。数据的回读失败,即只回读0,而不是真正的数据。我不能说写失败了,写了0还是读失败了,读了0。

感谢您的确认,在没有主机程序实际命令的情况下,无论使用的驱动程序都不会在闪存上执行此操作。这正是我想从你这边得到的。

问候,

阿伦

3个月前

gordonmacnee 225点

谢谢你的反馈。我将暂时停止这个话题,但如果有更多的问题,请随意再次打开这个线程。

4星期前

wouter_palmsens 5分

我在使用AT25S时也经历过相同或非常相似的行为F128 a。我使用的是我自己的代码(不是来自GitHub的代码),它已经为我们的第一个原型工作了数周。在对最终产品的测试期间,其中一个闪存设备被写入保护(状态寄存器1的值是0xFC)。我的代码没有包含任何“写状态注册”命令,我完全不知道是什么触发了写保护。清除状态寄存器后,可以再次写入闪存,但我仍然不明白为什么这是必要的。