- 字节/网页编程
- 快速页面删除
- 低功耗模式
- 停电保护
- 数据的完整性和安全性
DataFlash先进的双SRAM缓存架构使得它最有效的内存数据日志记录。它还包含了一套高级功能,节省系统功率,减少处理器开销,简化软件开发,并提供全面的数据安全性和完整性的选择。
特性
宽Vcc
双SRAM缓冲
低功耗操作扩展系统电池寿命
Byte-write提供串行eepm功能在一个串行闪存设备
超深在> 400 na断电操作
扩展Vcc操作允许系统内存操作在整个电压范围
全面安全和惟一的ID特性保护设备以外的篡改
DataFlash™SPI的记忆
密度 | 产品/数据表 | 速度 | Vcc范围 | 接口 | 细节 | 状态 | 样品 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
64 mbit | AT45DB641E | 104兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
32兆比特 | AT45DB321E | 104兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
32兆比特 | AT45DQ321 | 70 - 104 mhz | 2.3 v - 3.6 v | SPI、双、四I / O | ●活跃的 | 订单样品 | |
32兆比特 | AT45DQ321 (105°C) | 40 - 104 mhz | 2.3 v - 3.6 v | SPI、双、四I / O | ●活跃的 | 订单样品 | |
16 mbit | AT45DB161E | 104兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
16 mbit | AT45DQ161 | 100兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI、双、四I / O | ●活跃的 | 订单样品 | |
8兆比特 | AT45DB081E | 133兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
4兆比特 | AT45DB041E | 104兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
4兆比特 | AT45DB041E (125°C) | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
2 mbit | AT45DB021E | 70兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB641E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB641E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB641E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB641E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB641E-MWHN-Y | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB641E-MWHN-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB641E-CCUN-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DB641E-UUN-T | WLCSP——接触Adesto |
AT45DB641E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB641E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB641E-MWHN2B-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB641E-CCUN2B-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DB641E-UUN2B-T | WLCSP——接触Adesto |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB321E-CCUF-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DB321E-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB321E-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB321E-MWHF-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB321E-MWHF-Y | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB321E-MWHF2B-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DB321E-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB321E-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHFHA-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB321E-SHFHC-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ321-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ321-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ321-MWHF-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DQ321-MWHF-Y | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DQ321-CCUF-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DQ321-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-MWHF2B-T | MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8 |
AT45DQ321-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB161E-MHD-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHD-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHD2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB161E-SHD-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHD-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHD2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SSHD-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHD-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHD2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB161E-SSHF-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHF-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-SSHF2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB161E-UUF2B-T | 11-WLCSP |
AT45DB161E-UUF-T | 11-WLCSP |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ161-SHF-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SHF-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-MHF-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ161-MHF-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ161-SSHF-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-SSHF-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-CCUF-T | UBGA 9 cc19 - 6 x6 |
AT45DQ161-SHF2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SSHF2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-MHF2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DQ161-SHFHB-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SSHFHB-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DQ161-SHFHD-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ161-SSHFHD-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB081E-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB081E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB081E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB081E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB081E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB081E-SSHN2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB081E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB081E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB081E-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB081E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB081E-DWF | 看到Wafer-Die解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB041E-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB041E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB041E-SSHN2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB041E-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB041E-DWF | 看到Wafer-Die解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB021E-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB021E-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB021E-MHN2B-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT45DB021E-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB021E-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB021E-SHN2B-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB021E-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB021E-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB021E-SSHN2B-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT45DB021E-UUN-T | 8-WLCSP |
AT45DB021E-DWF | 看到Wafer-Die解决方案菜单 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DQ321-SHFHB-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DQ321-SHFHB-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT45DB041E-SHNHT-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-SHNHT-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT45DB041E-SSHNHT-B | SOIC 105毫升8 s1 8 |
AT45DB041E-SSHN-T | SOIC 105毫升8 s1 8 |
微米M25PE替代品
密度 | 产品/数据表 | 速度 | Vcc范围 | 接口 | 细节 | 状态 | 样品 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
16 mbit | AT25PE16 | 85兆赫 | 2.3 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
8兆比特 | AT25PE80 | 85兆赫 | 1.7 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
4兆比特 | AT25PE40 | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 | |
2 mbit | AT25PE20 | 85兆赫 | 1.65 v - 3.6 v | SPI | ●活跃的 | 订单样品 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE16-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE16-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE16-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE16-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE16-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE16-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE20-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE20-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE20-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE20-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE20-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE20-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE40-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE40-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE40-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE40-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE40-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE40-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
订购代码 | 包 |
---|---|
AT25PE80-SSHN-B | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE80-SSHN-T | SOIC 150毫升8 s1 8 |
AT25PE80-SHN-B | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE80-SHN-T | SOIC 208毫升8 s2 8 |
AT25PE80-MHN-Y | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
AT25PE80-MHN-T | UDFN 8 ma1 8 - 5 x6 |
小页擦除
也没有Flash系统提高灵活RW SRAM缓冲区
DataFlash™SPI内存产品雷电竞官网登录
产品 | 商店 | ||||
---|---|---|---|---|---|
AT45DB641E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB321E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DQ321 | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DQ321 (105°C) | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB161E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DQ161 | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB081E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB041E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB041E (125°C) | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
AT45DB021E | Digikey | 箭头 | Avnet我们 | 逮老鼠 | 未来的电子产品 |
5月9日th2022年,所有产品论坛活动雷竞技电竞平台网站将会迁移到一个新的平台RenesasRulz。瑞萨电子公司(“瑞萨”)将服务提供者和处理器管理半导体公司此举代表对话框。雷竞技电竞平台(“雷竞技电竞平台半导体”对话框)。如果你有问题或者评论网站的对话框,您将收到一封电子邮件与进一步的细节。
回的结果
内存
5个月前
AT25SL321仿真模型说明
发布的aeva15分 2回答我想寻求澄清的重置行为Verilog仿真模型提供AT25SL321 SPI闪存设备。
//www.wsdof.com/sites/default/files/verilog_at25sl321.zip
我想检查的行为是QPI模式在设备重置。数据表的状态”。软件重置使用重置后(99 h)指令,设备的默认状态是标准/双/四SPI模式”。
这一点,我们解释意味着QPI模式禁用由软件复位。四使钻头在状态寄存器2非易失性,这将保持但与SPI Flash应该访问指令集后立即复位。
Verilog模型具有不同的行为(RTL代码片段连接)。QPI模式是软件复位后保留,因为状态寄存器2四启用(QE)位集QPI_Mode直接复位程序。这种匹配解释行为(和其他对话框中看到内存设备)QPI_Mode RST_Event过程中应该设置为0。
模型是错的还是我解释数据表不正确?
谢谢
安德鲁
附件 | 大小 |
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321年_rst_event.png | 40.45 KB |
4个月前
你好安德鲁,
数据表描述AT25SL321设备的正确操作。我们正在与产品工程正确然后补发verilog仿真文件。