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DataFlash™SPI的记忆

最有效的闪存数据日志记录

  • 字节/网页编程
  • 快速页面删除
  • 低功耗模式
  • 停电保护
  • 数据的完整性和安全性

DataFlash先进的双SRAM缓存架构使得它最有效的内存数据日志记录。它还包含了一套高级功能,节省系统功率,减少处理器开销,简化软件开发,并提供全面的数据安全性和完整性的选择。

特性

宽Vcc

双SRAM缓冲

低功耗操作扩展系统电池寿命

Byte-write提供串行eepm功能在一个串行闪存设备

超深在> 400 na断电操作

扩展Vcc操作允许系统内存操作在整个电压范围

全面安全和惟一的ID特性保护设备以外的篡改

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DataFlash™SPI的记忆

密度 产品/数据表 速度 Vcc范围 接口 细节 状态 样品
64 mbit AT45DB641E 104兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DB321E 104兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DQ321 70 - 104 mhz 2.3 v - 3.6 v SPI、双、四I / O 活跃的 订单样品
32兆比特 AT45DQ321 (105°C) 40 - 104 mhz 2.3 v - 3.6 v SPI、双、四I / O 活跃的 订单样品
16 mbit AT45DB161E 104兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
16 mbit AT45DQ161 100兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI、双、四I / O 活跃的 订单样品
8兆比特 AT45DB081E 133兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT45DB041E 104兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT45DB041E (125°C) 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
2 mbit AT45DB021E 70兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
AT45DB641E细节
订购代码
AT45DB641E-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB641E-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB641E-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB641E-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB641E-MWHN-Y MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DB641E-MWHN-T MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DB641E-CCUN-T UBGA 9 cc19 - 6 x6
AT45DB641E-UUN-T WLCSP——接触Adesto
AT45DB641E-SHN2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB641E-MHN2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB641E-MWHN2B-T MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DB641E-CCUN2B-T UBGA 9 cc19 - 6 x6
AT45DB641E-UUN2B-T WLCSP——接触Adesto
AT45DB321E细节
订购代码
AT45DB321E-CCUF-T UBGA 9 cc19 - 6 x6
AT45DB321E-MHF-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB321E-MHF-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB321E-MWHF-T MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DB321E-MWHF-Y MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DB321E-MWHF2B-T MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DB321E-MHF2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB321E-SHF-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB321E-SHF-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB321E-SHF2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB321E-SHFHA-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB321E-SHFHC-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ321细节
订购代码
AT45DQ321-SHF-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ321-SHF-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ321-MHF-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DQ321-MHF-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DQ321-MWHF-T MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DQ321-MWHF-Y MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DQ321-CCUF-T UBGA 9 cc19 - 6 x6
AT45DQ321-SHF2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ321-MWHF2B-T MLF VDFN 8 mw 8 - 6×8
AT45DQ321-MHF2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB161E细节
订购代码
AT45DB161E-MHD-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB161E-MHD-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB161E-MHD2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB161E-MHF-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB161E-MHF2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB161E-MHF-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB161E-SHD-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB161E-SHD-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB161E-SHD2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB161E-SHF-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB161E-SHF2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB161E-SSHD-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB161E-SSHD-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB161E-SSHD2B-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB161E-SHF-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB161E-SSHF-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB161E-SSHF-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB161E-SSHF2B-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB161E-UUF2B-T 11-WLCSP
AT45DB161E-UUF-T 11-WLCSP
AT45DQ161细节
订购代码
AT45DQ161-SHF-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ161-SHF-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ161-MHF-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DQ161-MHF-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DQ161-SSHF-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DQ161-SSHF-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DQ161-CCUF-T UBGA 9 cc19 - 6 x6
AT45DQ161-SHF2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ161-SSHF2B-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DQ161-MHF2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DQ161-SHFHB-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ161-SSHFHB-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DQ161-SHFHD-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ161-SSHFHD-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB081E细节
订购代码
AT45DB081E-SSHN-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB081E-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB081E-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB081E-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB081E-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB081E-SSHN2B-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB081E-SHN2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB081E-MHN2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB081E-SSHN-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB081E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB081E-DWF 看到Wafer-Die解决方案菜单
AT45DB041E细节
订购代码
AT45DB041E-SSHN-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB041E-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB041E-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB041E-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB041E-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB041E-SSHN2B-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB041E-SHN2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB041E-MHN2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB041E-SSHN-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB041E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB041E-DWF 看到Wafer-Die解决方案菜单
AT45DB021E细节
订购代码
AT45DB021E-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB021E-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB021E-MHN2B-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT45DB021E-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB021E-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB021E-SHN2B-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB021E-SSHN-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB021E-SSHN-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB021E-SSHN2B-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT45DB021E-UUN-T 8-WLCSP
AT45DB021E-DWF 看到Wafer-Die解决方案菜单
AT45DQ321 (105°C)的细节
订购代码
AT45DQ321-SHFHB-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DQ321-SHFHB-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB041E (125°C)的细节
订购代码
AT45DB041E-SHNHT-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB041E-SHNHT-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT45DB041E-SSHNHT-B SOIC 105毫升8 s1 8
AT45DB041E-SSHN-T SOIC 105毫升8 s1 8

微米M25PE替代品

密度 产品/数据表 速度 Vcc范围 接口 细节 状态 样品
16 mbit AT25PE16 85兆赫 2.3 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
8兆比特 AT25PE80 85兆赫 1.7 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
4兆比特 AT25PE40 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
2 mbit AT25PE20 85兆赫 1.65 v - 3.6 v SPI 活跃的 订单样品
AT25PE16细节
订购代码
AT25PE16-SSHN-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE16-SSHN-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE16-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE16-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE16-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT25PE16-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT25PE20细节
订购代码
AT25PE20-SSHN-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE20-SSHN-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE20-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE20-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE20-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT25PE20-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT25PE40细节
订购代码
AT25PE40-SSHN-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE40-SSHN-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE40-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE40-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE40-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT25PE40-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT25PE80细节
订购代码
AT25PE80-SSHN-B SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE80-SSHN-T SOIC 150毫升8 s1 8
AT25PE80-SHN-B SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE80-SHN-T SOIC 208毫升8 s2 8
AT25PE80-MHN-Y UDFN 8 ma1 8 - 5 x6
AT25PE80-MHN-T UDFN 8 ma1 8 - 5 x6

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产品简介和总结
的名字 日期 版本
DataFlash产雷电竞官网登录品概述(491.34 KB)
SPI和闪存产品选择器(769.09 KB) 15/03/2022 一个
应用笔记
的名字 日期 版本
AN005牧师主动中断证明更低的能耗(873.64 KB)
AN111:实现超深断电模式AT25xx系列和AT45xx系列(339.24 KB)
AN500:和闪存擦除操作(807.16 KB)
AN501:升高/考虑也不闪(588.11 KB) 01/05/2021 A1
AVR116:穿DataFlash水准(628.62 KB)
AVR335:数字录音机tinyAVR或megaAVR DataFlash(149.29 KB)
AVR335:数字录音机tinyAVR或megaAVR和DataFlash - Zip(12.73 KB)
DataFlash二进制页面大小(129.17 KB)
DataFlash: SRAM缓冲区读取特性描述(451.4 KB)
DataFlash®和串行Flash BGA包(619.13 KB)
停电期间保存数据使用DataFlash®e系列家庭(468.27 KB) 11/12/2020 A0
VCC关机、断电和权力DataFlash家族(270.42 KB)
布局指南
的名字 日期 版本
PCB设计和布局考虑Adesto内存设备(313.89 KB)
软件资源
的名字 日期 版本
仿真工具(29.68 KB)
用户指南和手册
的名字 日期 版本
转换向导微米EOL M45PE产品雷电竞官网登录(276.43 KB)
DataFlash Verilog模型用户手册(50.32 KB)
用户手册DataFlash硬件描述语言(VHDL)模型(35.26 KB)
对话框对话框SoC产品的闪存雷电竞官网登录(184.91 KB) 23/07/2021
RoHS,达到
的名字 日期 版本
认证和语句(29.68 KB)
一般
的名字 日期 版本
Adesto串行Flash节电特性和概念(1.22 MB)
DataFlash内存产品选择器雷电竞官网登录(246.51 KB)
DataFlash®- l:页面删除串行闪存产品概述(222.93 KB)
长寿项目(29.68 KB)
产品更改通知(29.68 KB)

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小页擦除

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也没有Flash系统提高灵活RW SRAM缓冲区

5月9日th2022年,所有产品论坛活动雷竞技电竞平台网站将会迁移到一个新的平台RenesasRulz瑞萨电子公司(“瑞萨”)将服务提供者和处理器管理半导体公司此举代表对话框。雷竞技电竞平台(“雷竞技电竞平台半导体”对话框)。如果你有问题或者评论网站的对话框,您将收到一封电子邮件与进一步的细节。

回的结果

内存

5个月前

AT25SL321仿真模型说明

发布的aeva15分 2回答
0的问题

我想寻求澄清的重置行为Verilog仿真模型提供AT25SL321 SPI闪存设备。

//www.wsdof.com/sites/default/files/verilog_at25sl321.zip

我想检查的行为是QPI模式在设备重置。数据表的状态”。软件重置使用重置后(99 h)指令,设备的默认状态是标准/双/四SPI模式”。

这一点,我们解释意味着QPI模式禁用由软件复位。四使钻头在状态寄存器2非易失性,这将保持但与SPI Flash应该访问指令集后立即复位。

Verilog模型具有不同的行为(RTL代码片段连接)。QPI模式是软件复位后保留,因为状态寄存器2四启用(QE)位集QPI_Mode直接复位程序。这种匹配解释行为(和其他对话框中看到内存设备)QPI_Mode RST_Event过程中应该设置为0。

模型是错的还是我解释数据表不正确?

谢谢

安德鲁

附件 大小
321年_rst_event.png 40.45 KB

4个月前

gordonmacnee 225点

你好安德鲁,

数据表描述AT25SL321设备的正确操作。我们正在与产品工程正确然后补发verilog仿真文件。

3个月前

aeva 15分

由于戈登

有何进展吗?