负荷开关

GreenFET高性能负载开关的设计和优化适用于从0.25 V到25.2 V的高边功率轨控制应用，其中负载电流范围从1a到9a。雷竞技安卓下载

采用专有MOSFET设计，所有绿色FET负载开关均实现超稳定RDS_在…上宽输入和电源电压范围。结合专有的MOSFET IP和先进的组装技术，这些先进的最先进的产品可用于从0.56 mm²到5.04 mm²的超小PCB足迹，并表现出高电流操作的低热阻。雷电竞官网登录

与离散FET电路实现相比，GreenFET产品将高性能FET或FET结构、高电流处理能力、电荷泵以及多重保护和控制电路雷电竞官网登录组合成空间高效的单通道和双通道产品。所有这些高级功能的组合直接导致BOM(物料清单)组件和成本降低，以及增加系统可靠性和减少板尺寸。

所有低电压和高电压GreenFET负载开关的设计和完全特征是在商业(0°C至70°C)，扩展商业(-20°C至70°C)，工业(-40°C至85°C)，或扩展工业(-40°C至125°C)温度范围。与产生非常低的热梯度一致，Dialog负载开关可提供低热阻，STDFN/STQFN rohs兼容封装和晶圆级芯片规模封装(WLCSP)。

特性

高性能的场效应电晶体场效电晶体

低RDS_在…上: 13.3Ω
超低ΔRDS_在…上/ΔV_在里面: < 0.05Ω/ V
超低ΔRDS_在…上/ΔT: < 0.06Ω/°C

内部保护功能

内部瞬态电压抑制器（所选零件号）
自动nFET SOA保护(5W和10W选项)
可引脚选择过压和欠压锁定窗口
固定和电容可调的涌流控制
固定电阻和可调电流限值
内部短路电流限制
热关机
快速输出电压放电

明渠过错信号

开漏功率良好信号

MOSFET I_DS模拟电流或功率输出负载监测器（选定零件号）

UL2367认证（选定零件号）

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USB C型高端智能手机和平板电脑

在5V, 12V, 15V和20V系统中的负载点配电

企业计算和电信设备

多功能打印机

风扇电机驱动

企业复印机

机顶盒

通用，高压电源-轨道开关

作为PCIe / PCI适配器卡

保持联系

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产品ID	描述	开关类型	我_DS Max ()	RDS_在…上（mΩ）	V_D/五_在里面分钟(V)	V_D/五_在里面马克斯(V)	电源电压范围（V）	输出电压转换速率设置	ON/EN控制	过电压保护	欠压保护	过电流保护	短路保护	在温度保护	内部TVS浪涌保护	反向电流闭锁	反向电压检测	当前监视器输出	功率监控器输出	权力(PG)好,过错指示器	输出放电电路	工作温度范围(℃)	包类型	文件

SLG59H1005V (SLG59H1005 SLG59H1005VTR)	4.8 mm²背靠背反向电流阻断负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道反向阻断	3.	50	4.5	22	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	是的	不	是的	不	过错	不	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1006V (SLG59H1006 SLG59H1006VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	5	13．1	4.5	22	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1007V （SLG59H1007、SLG59H1007VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，和负载-功率监控输出	单一的n沟道	5	13．3	4.5	22	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	不	是的	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1008V (SLG59H1008 SLG59H1008VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面锁定保护，内部5W nFET SOA保护，和I_DS当前监视器输出企业打印机/复印机的应用雷竞技安卓下载	单一的n沟道	4	13．3	10．8	25.2	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1009V (SLG59H1009 SLG59H1009VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	4	13．1	4.5	22	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1010V (SLG59H1010 SLG59H1010VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面锁定保护，内部5W nFET SOA保护，和I_DS当前监视器输出企业打印机/复印机的应用雷竞技安卓下载	单一的n沟道	5	13．3	10．8	25.2	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1012V (SLG59H1012 SLG59H1012VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	6	13．1	4.5	22	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1013V (SLG59H1013 SLG59H1013VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面锁定保护，内部5W nFET SOA保护，和I_DS当前监视器输出企业打印机/复印机的应用雷竞技安卓下载	单一的n沟道	3.5	13．3	10．8	25.2	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40至+125	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1016V （SLG59H1016、SLG59H1016录像机）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	3.5	13．1	4.5	22	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40至+125	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1017V (SLG59H1017 SLG59H1017VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面锁定保护，内部10W nFET SOA保护，和I_DS当前监视器输出企业打印机/复印机的应用雷竞技安卓下载	单一的n沟道	4	13．3	10．8	25.2	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1019V (SLG59H1019 SLG59H1019VTR)	4.8 mm²负载开关带V_在里面OVLO禁用，内部10W nFET SOA保护，和I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	5	13	4.5	25.2	-	电容器	活性高	不	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1020V （SLG59H1020、SLG59H1020录像机）	4.8 mm²背靠背反向电流阻断负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道反向阻断	3.	50	4.5	20.	-	电容器	活性高	销可选择的	不	可调	是的	是的	不	是的	不	是的	不	过错	不	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1120V (SLG59H1120 SLG59H1120VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	5	18	4.5	13.2	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1126V (SLG59H1126 SLG59H1126VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	6	18	4.5	13.2	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1127V (SLG59H1127 SLG59H1127VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部5W net SOA保护，功率输出良好	单一的n沟道	4	15	4.5	13.2	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	不	不	PG，故障	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1128V (SLG59H1128 SLG59H1128VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在里面过压保护，内部10W nFET SOA保护，I_DS当前监视器输出	单一的n沟道	5	13．1	4.5	22	-	电容器	活性高	销可选择的	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-18 (1.6 x 3.0 mm)	文档
SLG59H1302C (SLG59H1302 SLG59H1302CTR)	USB C型功率分配器/开关，带有充电泵，LDO和PG信号输出	单输入-双输出反向阻断	输出:6 sys: 6	输出:12 sys: 24	2.7	13	-	不	OUT: Active Low SYS: Active High	是的	是的	不	不	不	是的	OUT:没有，SYS:有	不	不	不	输出：无系统：PG	不	-40 + 85	WLCSP-28 (2.98 x 1.69 mm)	文档
SLG59H1313C (SLG59H1313 SLG59H1313CTR)	2.34 mm²浪涌保护，29V容限net负载开关，内部100V TVS和可调OVP在WLCSP	单一的n沟道	4.5	23	2.5	20.	-	不	活性低	可调	不	内部固定	是的	是的	是的	不	不	不	不	PG	不	-40 + 85	WLCSP-12 (1.3 x 1.8 mm)	文档
SLG59M1440V (SLG59M1440 SLG59M1440VTR)	1 mm²负载开关，带充电泵、斜坡控制、输出放电、保护和4针封装	单一的n沟道	1	40	2.5	5．5	-	电阻器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1442V (SLG59M1442 SLG59M1442VTR)	1毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，保护，和4针包	单一的n沟道	1	40	2.5	5．5	-	电阻器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1446V （SLG59M1446、SLG59M1446VTR）	1.6 mm²双通道负载开关，带电荷泵、斜坡控制、输出放电和保护	双n沟道	1	40	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电阻器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1448V (SLG59M1448 SLG59M1448VTR)	1.6 mm²负载开关，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	2.5	17	0.9	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档
SLG59M1456V (SLG59M1456 SLG59M1456VTR)	3平方毫米的负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	5	7．8	1	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-20 + 70	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M1457V (SLG59M1457 SLG59M1457VTR)	3 mm²带有充电泵的负载开关，输出放电，并有保护	单一的n沟道	6	7．8	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M1460V （SLG59M1460、SLG59M1460录像机）	1.6 mm²快速开启和纳米功耗负载开关	单一的n沟道	2	30.	0.85	V_DD- 1.5 v	2.5 - 5.25	不	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-20 + 70	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档
SLG59M1466V (SLG59M1466 SLG59M1466VTR)	1毫米²负载开关与电荷泵，斜坡控制，输出放电，和4针包	单一的n沟道	1	40	2.5	5．5	-	内部固定	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-20 + 70	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1470V (SLG59M1470 SLG59M1470VTR)	3 mm²快速接通，纳米功耗电流消耗负载开关	单一的n沟道	6	9．8	0.85	V_DD- 1.5 v	3.0 - 5.25	不	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-9 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M1495V (SLG59M1495 SLG59M1495VTR)	1 mm²负载开关，带充电泵、斜坡控制、输出放电、保护和4针封装	单一的n沟道	1	80	2.5	5．5	-	电阻器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-20 + 70	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1496V (SLG59M1496 SLG59M1496VTR)	3平方毫米的负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	5．3	7．8	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M1512V （SLG59M1512、SLG59M1512VTR）	1.6 mm²，双通道负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	双n沟道	1	80	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电阻器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1515V (SLG59M1515 SLG59M1515VTR)	1.6 mm²快速开启负载开关，斜坡控制，输出放电	单一的n沟道	2	20.	0.85	V_DD- 1.5 v	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档
SLG59M1527V （SLG59M1527、SLG59M1527VTR）	3平方毫米，双通道负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	双n沟道	4.5	14．5	0.9	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M1545V (SLG59M1545 SLG59M1545VTR)	1.6 mm²负载开关，带电荷泵、斜坡控制和保护	单一的n沟道	2.5	17	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	不	-20 + 70	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档
SLG59M1551V (SLG59M1551 SLG59M1551VTR)	1 mm²，低压负载开关，带充电泵，输出放电，保护，4脚封装	单一的n沟道	2	15．5	0.85	1.9	-	不	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1556V (SLG59M1556 SLG59M1556VTR)	1 mm²低压负载开关，带电荷泵、保护和4针封装	单一的n沟道	2	15．5	0.85	1.9	-	不	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1557V (SLG59M1557 SLG59M1557VTR)	带输出放电的1 mm²负载开关	单p沟道	1	28.5	1.5	5．5	-	内部固定	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1558V (SLG59M1558 SLG59M1558VTR)	无输出放电的1 mm²负载开关	单p沟道	1	28.5	1.5	5．5	-	内部固定	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1563V (SLG59M1563 SLG59M1563VTR)	1.6 mm²负载开关，具有反向电流阻塞、充电泵和PG信号输出	单一的n沟道反向阻断	2.5	22．5	1	V_DD	1.5 - 5.5	内部固定	活性高	不	不	不	不	是的	不	是的	不	不	不	PG	不	-40 + 85	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档
SLG59M1568V (SLG59M1568 SLG59M1568VTR)	3平方毫米的负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	9	7．3	1	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M1571V （SLG59M1571、SLG59M1571录像机）	1毫米²，低压负载开关，具有反向电流阻塞，充电泵，输出放电，保护，和4脚封装	单一的n沟道反向阻断	1	14．6	0.85	1.9	-	不	活性高	不	不	不	不	是的	不	是的	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-4（1.0 x 1.0毫米）	文档
SLG59M1598V (SLG59M1598 SLG59M1598VTR)	1.6 mm²负载开关，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	2.5	17	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档
SLG59M1599V (SLG59M1599 SLG59M1599VTR)	1.6 mm²，双通道负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	双n沟道	1	40	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电阻器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1600V (SLG59M1600 SLG59M1600VTR)	3 mm²负载开关，反向电流阻断，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道反向阻断	9	7．8	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	是的	不	是的	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M1603V （SLG59M1603、SLG59M1603录像机）	3毫米²，双通道负载开关与反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，输出放电，和保护	双n沟道反向阻断	4.5	16	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	是的	不	是的	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M1606V (SLG59M1606 SLG59M1606VTR)	3毫米²，双通道负载开关与反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，和保护	双n沟道反向阻断	4.5	16	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	是的	不	是的	不	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M1612V （SLG59M1612、SLG59M1612VTR）	3 mm²，双通道负载开关，反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，保护，和单通道输出放电	双n沟道反向阻断	4.5	16	1	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	是的	不	是的	不	不	不	不	CH1:是的;CH2:不	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M1614V （SLG59M1614、SLG59M1614VTR）	3毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电	单一的n沟道	4	8．5	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M1638V (SLG59M1638 SLG59M1638VTR)	1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，输出放电，主动高ON-OFF控制	双P通道反向阻断	2	45	1.5	5．5	-	不	活性高	不	是的	不	不	不	不	是的	是的	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1639V (SLG59M1639 SLG59M1639VTR)	1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，主动高ON-OFF控制	双P通道反向阻断	2	45	1.5	5．5	-	不	活性高	不	是的	不	不	不	不	是的	是的	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1640V (SLG59M1640 SLG59M1640VTR)	1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，输出放电，有源低ON-OFF控制	双P通道反向阻断	2	45	1.5	5．5	-	不	活性低	不	是的	不	不	不	不	是的	是的	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1641V （SLG59M1641、SLG59M1641VTR）	1.6 mm²，双通道负载开关，带反向电流阻断、反向电压检测和有源低通断控制	双P通道反向阻断	2	45	1.5	5．5	-	不	活性低	不	是的	不	不	不	不	是的	是的	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1649V (SLG59M1649 SLG59M1649VTR)	1.6 mm²，负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，输出放电	单p沟道反向阻断	4	23	1.5	5．5	-	不	活性高	不	是的	不	不	不	不	是的	是的	不	不	过错	是的	-40 + 85	STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm)	文档
SLG59M1655V (SLG59M1655 SLG59M1655VTR)	3 mm²，带反向电流阻断、电荷泵、斜坡控制和保护的负载开关	单一的n沟道反向阻断	9	7．8	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	是的	不	是的	不	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M1657V (SLG59M1657 SLG59M1657VTR)	3毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	4	8．4	0.9	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40至+125	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M1658V (SLG59M1658 SLG59M1658VTR)	1.6 mm²，带充电泵、斜坡控制、输出放电和保护的负载开关	单一的n沟道	2.5	17	0.9	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	是的	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40至+125	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档
SLG59M1685C (SLG59M1685 SLG59M1685CTR)	0.82 mm²负载开关，带充电泵、斜坡控制、输出排放和保护	单一的n沟道	2	10	1.3	3.6	-	内部固定	活性高	不	是的	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	wlsp - 6l (0.71 x 1.16 mm)	文档
SLG59M1693C (SLG59M1693 SLG59M1693CTR)	0.56 mm²超低功率负载开关，带充电泵，输出放电	单p沟道	1	17.4	0.8	2	-	不	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	WLCSP-4 (0.75 x 0.75 mm)	文档
SLG59M1707V (SLG59M1707 SLG59M1707VTR)	4 mm²，带充电泵的负载开关，I_DS电流监控输出，输出放电，保护	单一的n沟道	3.5	13	0.8	V_DD	2.5 - 5.5	内部固定	活性高	不	是的	可调	是的	是的	不	不	不	是的	不	过错	是的	-40至+125	STQFN-16（1.6 x 2.5毫米）	文档
SLG59M1709V (SLG59M1709 SLG59M1709VTR)	4毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	4	4	0.8	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	是的	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	STQFN-16（1.6 x 2.5毫米）	文档
SLG59M1710V （SLG59M1710、SLG59M1710录像机）	4毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	2	4	0.8	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	是的	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	STQFN-16（1.6 x 2.5毫米）	文档
SLG59M1713V （SLG59M1713、SLG59M1713VTR）	4毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	2	4	0.8	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	是的	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STQFN-16（1.6 x 2.5毫米）	文档
SLG59M1714V （SLG59M1714、SLG59M1714VTR）	4 mm²，带反向电流阻断的负载开关，电荷泵，I_DS电流监控输出，输出放电，保护	单一的n沟道反向阻断	4	15	0.8	V_DD	2.5 - 5.5	内部固定	活性高	不	是的	可调	是的	是的	不	是的	不	是的	不	过错	是的	-40 + 85	STQFN-16（1.6 x 2.5毫米）	文档
SLG59M1717V (SLG59M1717 SLG59M1717VTR)	4毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，保护，PG信号输出	单一的n沟道	5	4	0.8	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	是的	可调	是的	是的	不	不	不	不	不	PG	是的	-40 + 85	STQFN-16（1.6 x 2.5毫米）	文档
SLG59M1720V (SLG59M1720 SLG59M1720VTR)	1.4 mm²，带有充电泵的负载开关，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	2	18	0.85	V_DD	2.5 - 3.6	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-6 (1.0 x 1.4 mm)	文档
SLG59M1721V (SLG59M1721 SLG59M1721VTR)	1.4 mm²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	2	18	0.85	V_DD	2.5 - 3.6	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	STDFN-6 (1.0 x 1.4 mm)	文档
SLG59M1730C (SLG59M1730 SLG59M1730CTR)	0.64mm²负载开关，控制涌流，输出放电	单p沟道	1	33	2.5	5．5	-	不	活性高	不	不	固定涌流限制	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	WLCSP-4（0.8 x 0.8毫米）	文档
SLG59M1735C (SLG59M1735 SLG59M1735CTR)	1.5mm²负载开关，充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	4	10．5	0.9	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	wlsp -8 (0.96 x 1.56 mm)	文档
SLG59M1736C (SLG59M1736 SLG59M1736CTR)	0.64mm²负载开关，控制涌流，输出放电	单p沟道	2.2	33	2.5	5．5	-	不	活性高	不	不	固定涌流限制	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	WLCSP-4（0.8 x 0.8毫米）	文档
SLG59M1742C (SLG59M1742 SLG59M1742CTR)	0.82mm²负载开关，总接通时间为550 us，输出放电	单一的n沟道	1	18	０．２５	1.5	2.7 - 3.6	内部固定	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	wlsp - 6l (0.71 x 1.16 mm)	文档
SLG59M1746C （SLG59M1746、SLG59M1746CTR）	0.82mm²负载开关，输出放电	单一的n沟道	1	17.6	０．２５	1.5	2.7 - 3.6	内部固定	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	wlsp - 6l (0.71 x 1.16 mm)	文档
SLG59M1748C （SLG59M1748，SLG59M1748CTR）	带反向电流阻断、反向电压检测和斜坡控制的0.64mm²负载开关	单p沟道反向阻断	2.2	36	1.6	5．0	-	内部固定	活性高	不	不	不	不	不	不	是的	是的	不	不	不	不	-40 + 85	WLCSP-4（0.8 x 0.8毫米）	文档
SLG59M1804V (SLG59M1804 SLG59M1804VTR)	3 mm²，UL2367认证，双通道负载开关，带电荷泵、斜坡控制、输出放电和保护	双n沟道	4.5	14．5	0.9	V_DD	2.5 - 5.0	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm)	文档
SLG59M301V (SLG59M301 SLG59M301VTR)	3平方毫米的负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	4	8．5	0.85	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M307V （SLG59M307、SLG59M307VTR）	3毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电	单一的n沟道	4	7．8	0.85	V_DD	1.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-20 + 70	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M308V (SLG59M308 SLG59M308VTR)	3平方毫米的负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	3.	7．8	1	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M309V (SLG59M309 SLG59M309VTR)	带充电泵、斜坡控制和保护的3 mm²负载开关	单一的n沟道	4	7．8	1	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	不	不	不	不	不	不	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M610V （SLG59M610、SLG59M610VTR）	3 mm²负载开关，反向电流阻断，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道反向阻断	4	22	1	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	是的	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG59M611V (SLG59M611 SLG59M611VTR)	3毫米²负载开关与反向电流阻断，电荷泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道反向阻断	4	22	1	V_DD	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	内部固定	是的	是的	不	是的	不	不	不	不	不	-40 + 85	TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG5NT1477V (SLG5NT1477 SLG5NT1477VTR)	3 mm²快速接通，纳米功耗电流消耗负载开关用于1v处理器电源控制	单一的n沟道	6	9．8	0.85	V_DD- 1.5 v	3.0 - 5.25	不	活性高	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	TDFN-9 (1.5 x 2.0 mm)	文档
SLG5NT1533V (SLG5NT1533 SLG5NT1533VTR)	1.6 mm²快速打开负载开关斜坡控制，输出放电为1v处理器电源控制	单一的n沟道	2.5	20.	0.85	V_DD- 1.5 v	2.5 - 5.5	电容器	活性高	不	不	不	不	是的	不	不	不	不	不	不	是的	-40 + 85	STDFN-8（1.0 x 1.6毫米）	文档

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负载开关应用说明

应用笔记
的名字	日期	版本
AN-1002带GreenFET负载开关的反向电流阻断(450.08 KB)
一个- 1007 Demoboard(中国)(676 KB)
一个- 1008 Demoboard(585.65 KB)
AN-1068绿色FET和高压绿色FET负载开关基础(1.28 MB)
AN-1069 12伏5伏电源多路复用器(1.25 MB)
AN-1081绿色FET负载开关基础（日语）(1.74 MB)
AN-1096使用pFET负载开关多路复用两个电源轨(749.42 KB)
AN-1112改进高电压GreenFET的VIN瞬态保护(375.58 KB)
AN-1149辅助智能手机电池电源管理电路(3.83 MB)
AN-1160电源开关用于浪涌和噪声敏感的电感负载雷竞技安卓下载(4.93 MB)
AN-1202一种用于能量收集的升压变换器设计(上)雷竞技安卓下载(583.87 KB)
AN-1207电感负载电源开关注意事项（665.43 KB）
AN-CM-226使用Dialog负载开关通过转换率控制控制涌流(292.99 KB)
AN-CM-240扩展SLG59M1693C的最大工作电流范围（320.36 KB）
AN-CM-246在超级电容应用中使用Dialog的GreenFET负载开关雷竞技安卓下载(430.1 KB)
AN-CM-251用对话GreenFET负载开关选择输入和输出电容(631.8 KB)
AN-CM-260应用对话GreenFET负载开关在功率分割应用雷竞技安卓下载(1.1 MB)
AN-CM-268:双向应用对话GreenFET负载开关雷竞技安卓下载(389.54 KB)
AN-CM-272扩展对话框负载开关最大工作电流(943.55 KB)	22/02/2019	1
AN-CM-289绿色FET负载开关PCB布局的热考虑因素(1.36 MB)

PCB库
的名字		日期	版本
GreenFET奥腾库(65.63 KB)
GreenFET鹰图书馆(9.6 KB)
GreenFET OrCAD图书馆(221.1 KB)
高电压GreenFET Altium库（23.27KB）
高电压GreenFET Eagle库(2.14 KB)
高电压GreenFET OrCAD库(61.3 KB)

视频
的名字		日期	版本
GreenFET培训短片(中文)（46.22 MB）
GreenFET培训视频（英语）(50.43 MB)
GreenFET培训短片(日文)(27.86 MB)
格林菲特培训视频（韩语）（11.2 MB）
高压绿色FET培训视频（中文）(51.16 MB)
高电压绿场效应晶体管培训视频(英文)（63.92 MB）
高电压绿场效应晶体管训练视频(日文)（26.39 MB）
高电压绿场效应晶体管培训视频(韩语)(12.44 MB)

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GreenFET负载开关简介

高电压绿场效应晶体管负载开关简介

负载开关网络研讨会第一部分

第一部分（中文）

负载开关网络研讨会第2部分

第二部分（中文）

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常见问题解答

GreenFET负载开关的应用是什么?

GreenFET高性能负载开关可用于任何需要将电源轨从0.25 V切换到25.2 V的地方。它们具有非常小的物理尺寸、非常低的备用电流和受控的电压斜坡率。

如何控制绿色FET负载开关上的电压斜坡率？

大多数GreenFET负载开关具有可调电压斜坡率。在一些设备中，这是通过外部电容设置的，在其他设备中，这是通过与ON引脚串联的电阻设置的。这个家族中有几个成员有固定的电压斜坡速率。

Dialog是否提供GreenFET的演示套件和评估套件?

对话框提供了评估的演示板。请联系您当地的销售代表或发送在线查询以获得演示板。请指定您计划测试的GreenFET负载开关部件号。

GreenFET的MSL水平和RoHS状态是什么?

整个GreenFET系列产品符合MSL 1级和6/6 RoHS要求。

回的结果

1周前

pet电源开关

邮寄人Yuseungho20分 3答复

0票

亲爱的,

我使用的设备是SLG46517M，它有两个P-FET电源开关。现在，我正在模拟模式下测试设备。

这里我附上我的电路简化设计。

问题是，当开关关闭时，Vout节点有太大的尖峰和尖峰放电非常缓慢。

因此，当它关闭时，它几乎达到输入电压的两倍(500mV输入时~920mV)。负载侧现在只有一个固定电阻，是2Mohm只是为了测试。

(我也附上了波形)

当开关接通时，输出正常，输入电压为500mV。

如图所示，FSM(ASM)在满足条件时打开GPAK中的OSC0, OSC0以25kHz的开关频率触发pet。

我想不出是什么问题。如果你能分享你的意见，我将不胜感激。

谢谢你！

当做

Seungho余

GreenPAK GreenPAK设计师

附件	大小
简单电路结构	111.7 KB
示波器波形	223.86 KB

1周前

ssaravan

嗨Seungho Yu,

谢谢你的帮助。你能把你的GPAK设计文件(.gp)分享给我吗?这样我就可以调查这个问题了。

致以最亲切的问候

希瓦尼

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1周前

Yuseungho 20分

谢谢你的回答。

你能告诉我你的邮箱吗?

因为设计文件可能是个人的，我想通过电子邮件发送给你。

谢谢。

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1周前

Yuseungho 20分

我认为电压放电缓慢的原因是负载电阻电阻太大导致RC时间常数太高。

我把负载电阻从2兆欧姆改为100欧姆，波形比较合理。

但我现在有另一个问题。

根据SLG46517M datasheet, pet的最小输入电压为300mV。

但我发现要打开/关闭PFET，输入应该大于700mV（实验结果）。

当输入电压大于300mV且小于一定值时，pet不能正常输出(与该输入电压不同，在50mV左右，几乎没有信号)。

设计没有改变，还是和以前一样。

请告诉我你的邮箱，我将把我的设计文件发给你。

我期待着收到你的来信。

谢谢你！

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