加载开关

Greenfet高性能负载开关设计和优化，为高侧电源轨控制应用，从0.25 V至25.2V，其中负载电流范围为1 a至9a。雷竞技安卓下载

使用专有的MOSFET设计，所有GreenFET负载开关都实现了超稳定的RDS_在宽输入和电源电压范围。结合专有的MOSFET IP和先进的组装技术，这些先进的最先进的产品可用于从0.56 mm²到5.04 mm²的超小PCB足迹，并表现出高电流操作的低热阻。雷电竞官网登录

与离散的FET电路实现相比，GreenFET产品将高性能NFET或PFET结构，高电流处理能力，电荷泵以及多种保护和控雷电竞官网登录制电路相结合，进入了节省高效的单通道和双通道产品。所有这些高级功能的组合直接导致BOM（物质账单）组件和成本还原以及增加系统可靠性和降低板尺寸。

所有低压和高压绿色料装载开关都设计和完全在商业（0°C至70°C）上，将商业（-20°C至70°C）扩展（-20°C至70°C），工业（-40°C至85°c）或扩展工业（-40°C至125°C）温度范围。与产生非常低的热梯度的一致性，对话载开关具有低热电阻，STDFN / STQFN RoHS标准的封装和晶圆级芯片刻度包装（WLCSP）。

特性

高性能的场效应电晶体场效电晶体

低RDS_在：13.3mΩ
超低Δrds_在/ΔV_在: < 0.05Ω/ V
超低Δrds_在/ΔT：<0.06MΩ/°C

内部保护功能

内部瞬态电压抑制器(选定部件编号)
自动nFET SOA保护(5W和10W选项)
可引脚选择过压和欠压锁定窗口
固定和电容可调的涌流控制
固定和电阻可调的电流限制
内部短路电流限制
热关机
快速的vout排放

开放式的错信令

开路功率信号良好

MOSFET我_DS.模拟电流或功率输出负载监视器(选定部件编号)

UL2367认证(选定部件编号)

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USB Type C高端智能手机和平板电脑

5V，12V，15V和20V系统中的负载点配电

企业计算和电信设备

多功能打印机

风扇电机驱动器

企业复印机

机顶盒

通用，高压电源轨开关

PCIE / PCI适配器卡

保持联系

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产品ID	描述	开关类型	一世_DS. 马克斯（a）	rds._在(mΩ)	V._D./ V_在闵（v）	V._D./ V_在马克斯(V)	供电电压范围(V)	输出电压转换速率设定	/ EN控制	过电压保护	在电压保护下	过电流保护	短路保护	过温保护	内部电视电涌保护	反向电流阻塞	反向电压检测	当前监视器输出	功率监控器输出	权力(PG)好,的错指标	输出放电电路	工作温度范围(℃)	包类型	文档

SLG59H1005V (SLG59H1005 SLG59H1005VTR)	4.8mm²背靠背反向电流阻塞负载开关，具有引脚可选v_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道反向阻止	3.	50	4.5	22	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	是的	没有	是的	没有	的错	没有	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1006V (SLG59H1006 SLG59H1006VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	5.	13.1.	4.5	22	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1007V （SLG59H1007，SLG59H1007VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及负载电源监控输出	单一的n沟道	5.	13.3.	4.5	22	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	没有	是的	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1008V （SLG59H1008，SLG59H1008VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在锁定保护，内部5W NFET SOA保护，我_DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载	单一的n沟道	4.	13.3.	10.8	25.2	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1009V （SLG59H1009，SLG59H1009VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	4.	13.1.	4.5	22	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1010V （SLG59H1010，SLG59H1010VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在锁定保护，内部5W NFET SOA保护，我_DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载	单一的n沟道	5.	13.3.	10.8	25.2	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1012V （SLG59H1012，SLG59H1012VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	6.	13.1.	4.5	22	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1013V （SLG59H1013，SLG59H1013VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在锁定保护，内部5W NFET SOA保护，我_DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载	单一的n沟道	3．5	13.3.	10.8	25.2	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40 + 125	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1016V (SLG59H1016 SLG59H1016VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	3．5	13.1.	4.5	22	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40 + 125	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1017V （SLG59H1017，SLG59H1017VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在锁定保护，内部10W NFET SOA保护，我_DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载	单一的n沟道	4.	13.3.	10.8	25.2	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1019V (SLG59H1019 SLG59H1019VTR)	4.8 mm²负载开关带V_在Ovlo残疾，内部10W NFET SOA保护，我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	5.	13	4.5	25.2	-	电容器	活跃高	没有	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1020V. (SLG59H1020 SLG59H1020VTR)	4.8mm²背靠背反向电流阻塞负载开关，具有引脚可选v_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道反向阻止	3.	50	4.5	20.	-	电容器	活跃高	PIN可选择	没有	可调	是的	是的	没有	是的	没有	是的	没有	的错	没有	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1120V (SLG59H1120 SLG59H1120VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	5.	18	4.5	13.2	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1126V (SLG59H1126 SLG59H1126VTR)	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	6.	18	4.5	13.2	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1127V （SLG59H1127，SLG59H1127VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，电源良好输出	单一的n沟道	4.	15	4.5	13.2	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	PG、故障	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1128V （SLG59H1128，SLG59H1128VTR）	4.8 mm²负载开关可选引脚V_在过电压保护，内部10W NFET SOA保护，以及我_DS.当前监视器输出	单一的n沟道	5.	13.1.	4.5	22	-	电容器	活跃高	PIN可选择	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-18（1.6 x 3.0 mm）	文件
SLG59H1302C （SLG59H1302，SLG59H1302CTR）	5.04mm²电涌保护，28V容差USB型C电源分配器/带电荷泵，LDO和PG信号输出开关	单输入 - 双输出反向阻止	出：6个系统：6	出：12个系统：24	2．7	13	-	没有	OUT: Active Low SYS: Active High	是的	是的	没有	没有	没有	是的	out：没有sys：是的	没有	没有	没有	OUT:没有SYS: PG	没有	-40到+85	WLCSP-28（2.98 x 1.69 mm）	文件
SLG59H1313C (SLG59H1313 SLG59H1313CTR)	2.34mm²浪涌保护，29V容差的NFET负载开关，内部100V电视和WLCSP中可调节的OVP	单一的n沟道	4.5	23	2．5	20.	-	没有	活跃低	可调	没有	内部固定	是的	是的	是的	没有	没有	没有	没有	PG	没有	-40到+85	WLCSP-12 (1.3 x 1.8 mm)	文件
SLG59M1440V. （SLG59M1440，SLG59M1440VTR）	1毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，保护，和4针包	单一的n沟道	1	40	2．5	5.5	-	电阻器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1442V (SLG59M1442 SLG59M1442VTR)	1mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，保护和4针封装	单一的n沟道	1	40	2．5	5.5	-	电阻器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1446V (SLG59M1446 SLG59M1446VTR)	1.6mm²双通道负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	双N频道	1	40	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电阻器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1448V (SLG59M1448 SLG59M1448VTR)	1.6mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	2．5	17	0．9	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件
SLG59M1456V (SLG59M1456 SLG59M1456VTR)	3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	5.	7.8	1．0	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-20 + 70	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M1457V (SLG59M1457 SLG59M1457VTR)	3mm²负载开关，带电荷泵，输出放电和保护	单一的n沟道	6.	7.8	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M1460V. (SLG59M1460 SLG59M1460VTR)	1.6 mm²快速接通和纳米功耗电流负载开关	单一的n沟道	2	30.	0.85	V._DD.- 1.5V.	2.5 - 5.25	没有	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-20 + 70	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件
SLG59M1466V （SLG59M1466，SLG59M1466VTR）	1mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和4针封装	单一的n沟道	1	40	2．5	5.5	-	内部固定	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-20 + 70	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1470V. （SLG59M1470，SLG59M1470VTR）	3 mm²快速接通，纳米功耗电流消耗负载开关	单一的n沟道	6.	9.8	0.85	V._DD.- 1.5V.	3.0 - 5.25	没有	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-9（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M1495V. (SLG59M1495 SLG59M1495VTR)	1毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，保护，和4针包	单一的n沟道	1	80	2．5	5.5	-	电阻器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-20 + 70	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1496V. （SLG59M1496，SLG59M1496VTR）	3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	5.3	7.8	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M1512V (SLG59M1512 SLG59M1512VTR)	1.6 mm²，双通道负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	双N频道	1	80	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电阻器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1515V （SLG59M1515，SLG59M1515VTR）	1.6mm²快速打开负载开关，带斜坡控制，输出放电	单一的n沟道	2	20.	0.85	V._DD.- 1.5V.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件
SLG59M1527V (SLG59M1527 SLG59M1527VTR)	3毫米，双通道负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	双N频道	4.5	14.5	0．9	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M1545V (SLG59M1545 SLG59M1545VTR)	1.6 mm²负载开关，充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	2．5	17	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-20 + 70	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件
SLG59M1551V （SLG59M1551，SLG59M1551VTR）	1mm²，低压负载开关，带电荷泵，输出放电，保护和4针封装	单一的n沟道	2	15．5	0.85	1．9	-	没有	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1556V （SLG59M1556，SLG59M1556VTR）	1平方毫米，低压负载开关充电泵，保护，和4针包	单一的n沟道	2	15．5	0.85	1．9	-	没有	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1557V （SLG59M1557，SLG59M1557VTR）	1 mm²负载开关，输出放电	单一P沟道	1	28.5	1．5	5.5	-	内部固定	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1558V (SLG59M1558 SLG59M1558VTR)	1 mm²负载开关，无输出放电	单一P沟道	1	28.5	1．5	5.5	-	内部固定	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1563V (SLG59M1563 SLG59M1563VTR)	1.6mm²负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵和PG信号输出	单一的n沟道反向阻止	2．5	22.5	1．0	V._DD.	1.5 - 5.5	内部固定	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	是的	没有	没有	没有	PG	没有	-40到+85	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件
SLG59M1568V （SLG59M1568，SLG59M1568VTR）	3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	9.	7.3	1．0	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M1571V. (SLG59M1571 SLG59M1571VTR)	1mm²，低压负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，输出放电，保护和4针封装	单一的n沟道反向阻止	1	14.6	0.85	1．9	-	没有	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-4 (1.0 x 1.0 mm)	文件
SLG59M1598V. （SLG59M1598，SLG59M1598VTR）	1.6mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	2．5	17	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件
SLG59M1599V （SLG59M1599，SLG59M1599VTR）	1.6mm²，双通道负载开关，带电荷泵，斜坡控制和保护	双N频道	1	40	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电阻器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1600V （SLG59M1600，SLG59M1600VTR）	3 mm²负载开关，反向电流阻断，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道反向阻止	9.	7.8	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M1603V (SLG59M1603 SLG59M1603VTR)	3mm²，双通道负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	双N频道反向阻止	4.5	16	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M1606V. （SLG59M1606，SLG59M1606VTR）	3mm²，双通道负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制和保护	双N频道反向阻止	4.5	16	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M1612V (SLG59M1612 SLG59M1612VTR)	3mm²，双通道负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，保护和单通道输出放电	双N频道反向阻止	4.5	16	1．0	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	CH1：是的;CH2：没有	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M1614V (SLG59M1614 SLG59M1614VTR)	3毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电	单一的n沟道	4.	8．5	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M1638V （SLG59M1638，SLG59M1638VTR）	1.6mm²，双通道负载开关，具有反向电流阻塞，反向电压检测，输出放电和有效高开关控制	双p沟道反向阻止	2	45	1．5	5.5	-	没有	活跃高	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	是的	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1639V （SLG59M1639，SLG59M1639VTR）	1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，主动高ON-OFF控制	双p沟道反向阻止	2	45	1．5	5.5	-	没有	活跃高	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	是的	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1640V （SLG59M1640，SLG59M1640VTR）	1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，输出放电，有源低ON-OFF控制	双p沟道反向阻止	2	45	1．5	5.5	-	没有	活跃低	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	是的	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1641V (SLG59M1641 SLG59M1641VTR)	1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，有源低ON-OFF控制	双p沟道反向阻止	2	45	1．5	5.5	-	没有	活跃低	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	是的	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1649V （SLG59M1649，SLG59M1649VTR）	1.6 mm²，负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，输出放电	单一P沟道反向阻止	4.	23	1．5	5.5	-	没有	活跃高	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	是的	没有	没有	的错	是的	-40到+85	STDFN 8（1.0 x 1.6 mm）	文件
SLG59M1655V （SLG59M1655，SLG59M1655VTR）	3毫米²，负载开关与反向电流阻断，电荷泵，斜坡控制和保护	单一的n沟道反向阻止	9.	7.8	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M1657V (SLG59M1657 SLG59M1657VTR)	3毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	4.	8．4	0．9	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40 + 125	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M1658V （SLG59M1658，SLG59M1658VTR）	1.6 mm²，负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	2．5	17	0．9	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	是的	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40 + 125	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件
SLG59M1685C （SLG59M1685，SLG59M1685CTR）	0.82 mm²负载开关，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	2	10	1．3	3．6	-	内部固定	活跃高	没有	是的	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	WLCSP-6L（0.71 x 1.16 mm）	文件
SLG59M1693C. （SLG59M1693，SLG59M1693CTR）	0.56mm²超低功耗负载开关，带电荷泵，输出放电	单一P沟道	1	17.4	0．8	2．0	-	没有	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	WLCSP-4（0.75 x 0.75 mm）	文件
SLG59M1707V. （SLG59M1707，SLG59M1707VTR）	4mm²，带电荷泵的装载开关，i_DS.电流监控输出，输出放电，保护	单一的n沟道	3．5	13	0．8	V._DD.	2.5 - 5.5	内部固定	活跃高	没有	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	是的	没有	的错	是的	-40 + 125	STQFN-16 (1.6 x 2.5 mm)	文件
SLG59M1709V. （SLG59M1709，SLG59M1709VTR）	4mm²，带电荷泵，斜坡控制和保护的负载开关	单一的n沟道	4.	4.	0．8	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	是的	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STQFN-16 (1.6 x 2.5 mm)	文件
SLG59M1710V (SLG59M1710 SLG59M1710VTR)	4mm²，带电荷泵，斜坡控制和保护的负载开关	单一的n沟道	2	4.	0．8	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	是的	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STQFN-16 (1.6 x 2.5 mm)	文件
SLG59M1713V. （SLG59M1713，SLG59M1713VTR）	4毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道	2	4.	0．8	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	是的	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STQFN-16 (1.6 x 2.5 mm)	文件
SLG59M1714V. (SLG59M1714 SLG59M1714VTR)	4 mm²，负载开关带逆电流阻断，电荷泵，I_DS.电流监控输出，输出放电，保护	单一的n沟道反向阻止	4.	15	0．8	V._DD.	2.5 - 5.5	内部固定	活跃高	没有	是的	可调	是的	是的	没有	是的	没有	是的	没有	的错	是的	-40到+85	STQFN-16 (1.6 x 2.5 mm)	文件
SLG59M1717V. （SLG59M1717，SLG59M1717VTR）	4mm²，带电荷泵的负载开关，斜坡控制，输出放电，保护和pg信号输出	单一的n沟道	5.	4.	0．8	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	是的	可调	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	PG	是的	-40到+85	STQFN-16 (1.6 x 2.5 mm)	文件
SLG59M1720V (SLG59M1720 SLG59M1720VTR)	1.4 mm²，带有充电泵的负载开关，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	2	18	0.85	V._DD.	2.5 - 3.6	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-6（1.0 x 1.4 mm）	文件
SLG59M1721V （SLG59M1721，SLG59M1721VTR）	1.4 mm²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	2	18	0.85	V._DD.	2.5 - 3.6	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	STDFN-6（1.0 x 1.4 mm）	文件
SLG59M1730C （SLG59M1730，SLG59M1730CTR）	0.64mm²负载开关，控制涌流，输出放电	单一P沟道	1	33	2．5	5.5	-	没有	活跃高	没有	没有	固定浪涌电流限制	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	WLCSP-4 (0.8 x 0.8 mm)	文件
SLG59M1735C （SLG59M1735，SLG59M1735CTR）	1.5mm²负载泵，坡道控制和保护	单一的n沟道	4.	10.5	0．9	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	wlsp -8 (0.96 x 1.56 mm)	文件
SLG59M1736C （SLG59M1736，SLG59M1736CTR）	0.64mm²负载开关，控制涌流，输出放电	单一P沟道	2．2	33	2．5	5.5	-	没有	活跃高	没有	没有	固定浪涌电流限制	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	WLCSP-4 (0.8 x 0.8 mm)	文件
SLG59M1742C (SLG59M1742 SLG59M1742CTR)	0.82mm²负载开关，总时间550 us，输出放电	单一的n沟道	1	18	0.25	1．5	2.7 - 3.6	内部固定	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	WLCSP-6L（0.71 x 1.16 mm）	文件
SLG59M1746C (SLG59M1746 SLG59M1746CTR)	0.82mm²带输出放电的负载开关	单一的n沟道	1	17.6	0.25	1．5	2.7 - 3.6	内部固定	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	WLCSP-6L（0.71 x 1.16 mm）	文件
SLG59M1748C (SLG59M1748 SLG59M1748CTR)	0.64mm²负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，斜坡控制	单一P沟道反向阻止	2．2	36	1．6	5.0	-	内部固定	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	是的	没有	没有	没有	没有	-40到+85	WLCSP-4 (0.8 x 0.8 mm)	文件
SLG59M1804V. （SLG59M1804，SLG59M1804VTR）	3 mm²，ul2367认证，双通道负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	双N频道	4.5	14.5	0．9	V._DD.	2.5 - 5.0	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-14（1.0 x 3.0 mm）	文件
SLG59M301V (SLG59M301 SLG59M301VTR)	3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	4.	8．5	0.85	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M307V (SLG59M307 SLG59M307VTR)	3毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电	单一的n沟道	4.	7.8	0.85	V._DD.	1.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-20 + 70	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M308V. （SLG59M308，SLG59M308VTR）	3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护	单一的n沟道	3.	7.8	1．0	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M309V. （SLG59M309，SLG59M309VTR）	3平方毫米的负载开关充电泵，斜坡控制，和保护	单一的n沟道	4.	7.8	1．0	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M610V (SLG59M610 SLG59M610VTR)	3 mm²负载开关，反向电流阻断，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护	单一的n沟道反向阻止	4.	22	1．0	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG59M611V. (SLG59M611 SLG59M611VTR)	3mm²负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制和保护	单一的n沟道反向阻止	4.	22	1．0	V._DD.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	内部固定	是的	是的	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	-40到+85	TDFN-8（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG5nt1477v. （SLG5NT1477，SLG5NT1477VTR）	3mm²快速开启，纳米电流消耗负载开关为1 V处理器电源控制	单一的n沟道	6.	9.8	0.85	V._DD.- 1.5V.	3.0 - 5.25	没有	活跃高	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	TDFN-9（1.5 x 2.0 mm）	文件
SLG5nt1533v. (SLG5NT1533 SLG5NT1533VTR)	1.6 mm²快速打开负载开关斜坡控制，输出放电为1v处理器电源控制	单一的n沟道	2．5	20.	0.85	V._DD.- 1.5V.	2.5 - 5.5	电容器	活跃高	没有	没有	没有	没有	是的	没有	没有	没有	没有	没有	没有	是的	-40到+85	STDFN-8 (1.0 x 1.6 mm)	文件

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申请笔记
的名字	日期	版本
AN-1002反向电流与Greenfet Load开关阻塞（450.08 KB）
An-1007 Demoboard（中文）（676 KB）
AN-1008 Demoboard(585.65 KB)
AN-1068绿场效应晶体管和高电压绿场效应晶体管负载开关基础知识(1.28 MB)
AN-1069 12v 5v电源Mux（1.25 MB）
AN-1081 GreenFET负载开关基础知识(日语)（1.74 MB）
AN-1096多路使用pet负载开关的两个电源轨道（749.42 KB）
AN-1112提高高压Greenfet的VIN瞬态保护(375.58 KB)
AN-1149辅助智能手机电池电源管理电路（3.83 MB）
AN-1160电浪涌和噪声敏感应用中的电感负载电源切换雷竞技安卓下载（4.93 MB）
AN-1202用于能量收集应用的升压转换器设计（第1部分）雷竞技安卓下载（583.87 kB）
AN-1207电感负载电源开关注意事项(665.43 KB)
AN-CM-226使用对话负载开关控制切换率涌流(292.99 KB)
AN-CM-240扩展SLG59M1693C的最大工作电流范围(320.36 KB)
AN-CM-246在超级电容应用中使用Dialog的GreenFET负载开关雷竞技安卓下载（430.1 KB）
AN-CM-251选择输入和输出电容，具有对话框Greenfet负载开关（631.8 KB）
AN-CM-260应用对话框Greenfet负载开关在功率分配应用中雷竞技安卓下载（1.1 MB）
AN-CM-268：在双向应用中应用对话框Greenfet负载开关雷竞技安卓下载(389.54 KB)
AN-CM-272扩展对话框负载开关最大工作电流(943.55 KB)	22/02/2019	1．0
AN-CM-289 GreenFET负载开关PCB布局的热考虑(1.36 MB)

PCB库
的名字		日期	版本
GreenFET奥腾库（65.63 kB）
GreenFET鹰图书馆（9.6 KB）
GreenFET OrCAD图书馆(221.1 KB)
高压Greenfet Altium图书馆(23.27 KB)
高压Greenfet Eagle库（2.14 KB）
高压Greenfet Orcad库(61.3 KB)

视频
的名字		日期	版本
GreenFET培训短片(中文)(46.22 MB)
格林菲特培训短片(英文)（50.43 MB）
GreenFET培训短片(日文)（27.86 MB）
GreenFET培训视频(韩语)(11.2 MB)
高电压绿场效应晶体管培训视频(中文)(51.16 MB)
高电压绿场效应晶体管培训视频(英文)(63.92 MB)
高压Greenfet培训视频（日语）(26.39 MB)
高压Greenfet培训视频（韩语）（12.44 MB）

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GreenFET负载开关简介

高压GreenFet负载开关简介

负载开关网络研讨会第一部分

第1部分(中国)

负载开关网络研讨会第2部分

第2部分(中国)

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常见问题解答

Greenfet Load开关的应用程序是什么？

GreenFET高性能负载开关可用于任何需要在0.25 V到25.2 V之间切换电源轨的地方。他们有一个非常小的物理尺寸，非常低的待机电流，和控制的电压斜坡率。

如何控制GreenFET负载开关的电压斜坡速率?

大多数GreenFET负载开关具有可调电压斜坡率。在一些设备中，这是通过外部电容设置的，在其他设备中，这是通过与ON引脚串联的电阻设置的。这个家族中有几个成员有固定的电压斜坡速率。

Dialog是否提供GreenFET的演示套件和评估套件?

对话框提供了评估的演示板。请联系您当地的销售代表或发送在线查询以获得演示板。请指定您计划测试的GreenFET负载开关部件号。

Greenfet上的MSL级别和RoHS状态如何？

整个Greenfet家族包是MSL级别1和6/6 RoHS合规性。

回到结果

2个星期前

SLG46116问题

发布的J4CBO.15分 3回复

0的问题

嗨，我有两个关于SLG46116的问题：

-编程使用什么引脚?我可以在其他greenpak设备的数据表中找到这个，但不在SLG46116或SLG46117数据表中。

- 什么是动力FET的安全操作面积？我想指定PTC热敏电阻，以保护输出免受短路。

GreenPAK

2个星期前

ed_dialog.

你好j4cbo,

SLG46116是基于OTP的部分，并在对话框方面编程，无需额外费用。该过程将为您提供GreenPak设计到您当地的销售人员或FAE，然后他们将验证设计并分配自定义PN。然后，您将使用此自定义PN订购编程部件。我们不支持使用SLG46116的系统编程，并且不提供此过程的工具。生成自定义PN的过程没有NRE，但是MoQ是3K（1 x卷轴）。

我们有两个支持ISP的设备，但它们没有集成的PFET。

您正在寻找哪个PFET参数？

亲切的问候，
埃德

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2个星期前

J4CBO. 15分

为了制作，我将使用Dialog编程。但是对于开发，我希望利用数据表(第3.0节)中提到的支持:“Silego的GreenPAK开发工具可以用来配置连接矩阵和宏单元，而不需要编程NVM，从而允许片上仿真。只要设备还在供电，这种配置就会一直处于激活状态，并可以根据需要重新编写，以促进快速设计更改。”所以我的问题是，在片上仿真情况下，哪些引脚需要连接到开发工具(假设是SLG4DVKADV)?

对于pet，我的问题是，是否有一种方法来实现过流保护的功率FET或它有任何类型的过流保护内置?

谢谢！

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1周前

Ssaravan.

你好j4cbo,

在使用SLG4DVKAdv进行仿真时，将处理编程。也不幸的是，PFET没有内置的电流保护。您可能也可以尝试使用连接的外部电阻并使用SLG46116V中的比较器来实现它

亲切的问候

Shivani

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