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负荷开关

Greenfet高性能负载开关设计和优化，为高侧电源轨控制应用，从0.25 V至25.2V，其中负载电流范围为1 a至9a。雷竞技安卓下载

使用专有MOSFET设计，所有Greenfet负载开关都可以实现超稳定的RDS在宽输入和电源电压范围。结合专有的MOSFET IP和先进的组装技术，这些先进的最先进的产品可用于从0.56 mm²到5.04 mm²的超小PCB足迹，并表现出高电流操作的低热阻。雷电竞官网登录

与离散的FET电路实现相比，GreenFET产品将高性能NFET或PFET结构，高电流处理能力，电荷泵以及多种保护和控雷电竞官网登录制电路相结合，进入了节省高效的单通道和双通道产品。所有这些高级功能的组合直接导致BOM（物质账单）组件和成本还原以及增加系统可靠性和降低板尺寸。

所有低压和高压绿色料装载开关都设计和完全在商业（0°C至70°C）上，将商业（-20°C至70°C）扩展（-20°C至70°C），工业（-40°C至85°c）或扩展工业（-40°C至125°C）温度范围。与产生非常低的热梯度的一致性，对话载开关具有低热电阻，STDFN / STQFN RoHS标准的封装和晶圆级芯片刻度包装（WLCSP）。

使用greenpak的妇女

特性

高性能的场效应电晶体场效电晶体

  • 低RDS.在: 13.3Ω
  • 超低ΔRDS在/ΔV在: < 0.05Ω/ V
  • 超低ΔRDS在/ΔT：<0.06MΩ/°C

内部保护功能

  • 内部瞬态电压抑制器（所选部件号）
  • 自动nFET SOA保护(5W和10W选项)
  • PIN可选过压和欠压锁定窗口
  • 固定和电容可调的涌流控制
  • 固定和电阻可调电流限制
  • 内部短路电流限制
  • 热关机
  • 快速输出电压放电

开放式过错信号

开漏功率良好的信令

MOSFET I.DS.模拟电流或电源输出负载监视器（所选部件号）

UL2367认证（所选部件号）

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USB型高端智能手机和平板电脑

在5V, 12V, 15V和20V系统中的负载点配电

企业计算和电信设备

多功能打印机

风扇电机驱动器

企业复印机

机顶盒

通用，高压电源-轨道开关

作为PCIe / PCI适配器卡

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产品ID 描述 开关类型 一世DS.
马克斯（a）		 rds.在（MΩ） V.D./ V.在分钟(V) V.D./ V.在马克斯(V) 电源电压范围（V） 输出电压转换速率设置 ON / EN控制 过电压保护 欠压保护 过电流保护 短路保护 在温度保护 内部电视电涌保护 反向电流阻止 反向电压检测 当前监视器输出 功率监控器输出 权力(PG)好,过错指示器 输出放电电路 工作温度范围(℃) 包装类型 文件
SLG59H1005V
(SLG59H1005 SLG59H1005VTR)
 4.8 mm²背靠背反向电流阻断负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道反向阻止 3. 50 4.5 22 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 是的 不 是的 不 过错 不 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1006V
(SLG59H1006 SLG59H1006VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 13．1 4.5 22 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1007V.
（SLG59H1007，SLG59H1007VTR）
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过压保护，内部5W nFET SOA保护，和负载-功率监控输出 单一的n沟道 5. 13.3 4.5 22 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 不 是的 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1008V.
（SLG59H1008，SLG59H1008VTR）
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在锁定保护，内部5W nFET SOA保护，和IDS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 4. 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1009V.
(SLG59H1009 SLG59H1009VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 4. 13．1 4.5 22 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1010V
(SLG59H1010 SLG59H1010VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在锁定保护，内部5W nFET SOA保护，和IDS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 5. 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1012V.
（SLG59H1012，SLG59H1012VTR）
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 6. 13．1 4.5 22 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1013V.
(SLG59H1013 SLG59H1013VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在锁定保护，内部5W nFET SOA保护，和IDS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 3.5 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+125 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1016V
（SLG59H1016，SLG59H1016VTR）
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 3.5 13．1 4.5 22 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+125 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1017V
(SLG59H1017 SLG59H1017VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在锁定保护，内部10W NFET SOA保护，我DS.当前监视器输出企业打印机/复印机应用程序雷竞技安卓下载 单一的n沟道 4. 13.3 10.8 25.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1019V.
(SLG59H1019 SLG59H1019VTR)
 4.8mm²负载开关与v在Ovlo残疾，内部10W NFET SOA保护，我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 13. 4.5 25.2 - 电容器 活性高 不 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1020V
（SLG59H1020，SLG59H1020VTR）
 4.8 mm²背靠背反向电流阻断负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道反向阻止 3. 50 4.5 20. - 电容器 活性高 PIN可选择 不 可调节的 是的 是的 不 是的 不 是的 不 过错 不 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1120V
(SLG59H1120 SLG59H1120VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 18. 4.5 13.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1126V
(SLG59H1126 SLG59H1126VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，以及我DS.当前监视器输出 单一的n沟道 6. 18. 4.5 13.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1127V
(SLG59H1127 SLG59H1127VTR)
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过电压保护，内部5W NFET SOA保护，电源良好输出 单一的n沟道 4. 15. 4.5 13.2 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 不 不 PG，故障 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1128V.
（SLG59H1128，SLG59H1128VTR）
 4.8 mm²负载开关可选引脚V在过压保护，内部10W nFET SOA保护，IDS.当前监视器输出 单一的n沟道 5. 13．1 4.5 22 - 电容器 活性高 PIN可选择 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-18（1.6 x 3.0 mm） 文件
SLG59H1302C.
（SLG59H1302，SLG59H1302CTR）
 USB C型功率分配器/开关，带有充电泵，LDO和PG信号输出 单输入-双输出反向阻止 输出:6 sys: 6 输出:12 sys: 24 2.7 13. - 不 OUT: Active Low SYS: Active High 是的 是的 不 不 不 是的 OUT:没有，SYS:有 不 不 不 out：没有sys：pg 不 -40到+85 WLCSP-28 (2.98 x 1.69 mm) 文件
SLG59H1313C.
(SLG59H1313 SLG59H1313CTR)
 2.34 mm²浪涌保护，29V容限net负载开关，内部100V TVS和可调OVP在WLCSP 单一的n沟道 4.5 23 2.5 20. - 不 活性低 可调节的 不 内部固定 是的 是的 是的 不 不 不 不 PG. 不 -40到+85 WLCSP-12 (1.3 x 1.8 mm) 文件
SLG59M1440V
（SLG59M1440，SLG59M1440VTR）
 1mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电，保护和4针封装 单一的n沟道 1 40 2.5 5.5 - 电阻器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1442V
(SLG59M1442 SLG59M1442VTR)
 1mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，保护和4针封装 单一的n沟道 1 40 2.5 5.5 - 电阻器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1446V
（SLG59M1446，SLG59M1446VTR）
 1.6mm²双通道负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 双N频道 1 40 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电阻器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1448V.
(SLG59M1448 SLG59M1448VTR)
 1.6 mm²负载开关，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1456V
(SLG59M1456 SLG59M1456VTR)
 3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 5. 7.8 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -20 + 70 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M1457V
（SLG59M1457，SLG59M1457VTR）
 3 mm²带有充电泵的负载开关，输出放电，并有保护 单一的n沟道 6. 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M1460V
（SLG59M1460，SLG59M1460VTR）
 1.6mm²快速开启和纳米功率电流消耗负载开关 单一的n沟道 2 30. 0.85 V.DD.- 1.5 v 2.5 - 5.25 不 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -20 + 70 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1466V
(SLG59M1466 SLG59M1466VTR)
 1毫米²负载开关与电荷泵，斜坡控制，输出放电，和4针包 单一的n沟道 1 40 2.5 5.5 - 内部固定 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -20 + 70 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1470V
(SLG59M1470 SLG59M1470VTR)
 3 mm²快速接通，纳米功耗电流消耗负载开关 单一的n沟道 6. 9．8 0.85 V.DD.- 1.5 v 3.0 - 5.25 不 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-9（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M1495V
(SLG59M1495 SLG59M1495VTR)
 1mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电，保护和4针封装 单一的n沟道 1 80 2.5 5.5 - 电阻器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -20 + 70 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1496V
（SLG59M1496，SLG59M1496VTR）
 3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 5.3 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M1512V.
（SLG59M1512，SLG59M1512VTR）
 1.6 mm²，双通道负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护 双N频道 1 80 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电阻器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1515V
(SLG59M1515 SLG59M1515VTR)
 1.6 mm²快速开启负载开关，斜坡控制，输出放电 单一的n沟道 2 20. 0.85 V.DD.- 1.5 v 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1527V
（SLG59M1527，SLG59M1527VTR）
 3平方毫米，双通道负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护 双N频道 4.5 14．5 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M1545V.
(SLG59M1545 SLG59M1545VTR)
 1.6mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 不 -20 + 70 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1551V.
（SLG59M1551，SLG59M1551VTR）
 1mm²，低压负载开关，带电荷泵，输出放电，保护和4针封装 单一的n沟道 2 15．5 0.85 1.9 - 不 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1556V.
（SLG59M1556，SLG59M1556VTR）
 1mm²，带电荷泵，保护和4针封装的低压负载开关 单一的n沟道 2 15．5 0.85 1.9 - 不 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1557V.
（SLG59M1557，SLG59M1557VTR）
 1mm²负载开关，输出放电 单一P沟道 1 28.5 1.5 5.5 - 内部固定 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1558V.
(SLG59M1558 SLG59M1558VTR)
 1mm²负载开关，无输出放电 单一P沟道 1 28.5 1.5 5.5 - 内部固定 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1563V.
(SLG59M1563 SLG59M1563VTR)
 1.6mm²负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵和PG信号输出 单一的n沟道反向阻止 2.5 22.5 1.0 V.DD. 1.5 - 5.5 内部固定 活性高 不 不 不 不 是的 不 是的 不 不 不 PG. 不 -40到+85 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1568V.
(SLG59M1568 SLG59M1568VTR)
 3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 9. 7.3 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M1571V.
（SLG59M1571，SLG59M1571VTR）
 1mm²，低压负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，输出放电，保护和4针封装 单一的n沟道反向阻止 1 14．6 0.85 1.9 - 不 活性高 不 不 不 不 是的 不 是的 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-4（1.0 x 1.0 mm） 文件
SLG59M1598V.
（SLG59M1598，SLG59M1598VTR）
 1.6 mm²负载开关，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1599V.
（SLG59M1599，SLG59M1599VTR）
 1.6mm²，双通道负载开关，带电荷泵，斜坡控制和保护 双N频道 1 40 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电阻器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1600V
(SLG59M1600 SLG59M1600VTR)
 3 mm²负载开关，反向电流阻断，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护 单一的n沟道反向阻止 9. 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 是的 不 是的 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M1603V
（SLG59M1603，SLG59M1603VTR）
 3毫米²，双通道负载开关与反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，输出放电，和保护 双N频道反向阻止 4.5 16. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 是的 不 是的 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M1606V
（SLG59M1606，SLG59M1606VTR）
 3毫米²，双通道负载开关与反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，和保护 双N频道反向阻止 4.5 16. 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 是的 不 是的 不 不 不 不 不 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M1612V
（SLG59M1612，SLG59M1612VTR）
 3 mm²，双通道负载开关，反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，保护，和单通道输出放电 双N频道反向阻止 4.5 16. 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 是的 不 是的 不 不 不 不 CH1:是的;CH2:不 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M1614V
（SLG59M1614，SLG59M1614VTR）
 3毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电 单一的n沟道 4. 8．5 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M1638V
(SLG59M1638 SLG59M1638VTR)
 1.6mm²，双通道负载开关，具有反向电流阻塞，反向电压检测，输出放电和有效高开关控制 双P频道反向阻止 2 45 1.5 5.5 - 不 活性高 不 是的 不 不 不 不 是的 是的 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1639V
（SLG59M1639，SLG59M1639VTR）
 1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，主动高ON-OFF控制 双P频道反向阻止 2 45 1.5 5.5 - 不 活性高 不 是的 不 不 不 不 是的 是的 不 不 不 不 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1640V.
(SLG59M1640 SLG59M1640VTR)
 1.6 mm²，双通道负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，输出放电，有源低ON-OFF控制 双P频道反向阻止 2 45 1.5 5.5 - 不 活性低 不 是的 不 不 不 不 是的 是的 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1641V.
（SLG59M1641，SLG59M1641VTR）
 1.6mm²，双通道负载开关，具有反向电流阻塞，反向电压检测和有效低开关控制 双P频道反向阻止 2 45 1.5 5.5 - 不 活性低 不 是的 不 不 不 不 是的 是的 不 不 不 不 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1649V
（SLG59M1649，SLG59M1649VTR）
 1.6 mm²，负载开关，反向电流阻断，反向电压检测，输出放电 单一P沟道反向阻止 4. 23 1.5 5.5 - 不 活性高 不 是的 不 不 不 不 是的 是的 不 不 过错 是的 -40到+85 STDFN 8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1655V.
(SLG59M1655 SLG59M1655VTR)
 3mm²，负载开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制和保护 单一的n沟道反向阻止 9. 7.8 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 是的 不 是的 不 不 不 不 不 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M1657V.
(SLG59M1657 SLG59M1657VTR)
 3毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护 单一的n沟道 4. 8．4 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+125 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M1658V
（SLG59M1658，SLG59M1658VTR）
 1.6mm²，带电荷泵的负载开关，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 2.5 17. 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 是的 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+125 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件
SLG59M1685C.
(SLG59M1685 SLG59M1685CTR)
 0.82mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 2 10. 1.3 3.6 - 内部固定 活性高 不 是的 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 WLCSP-6L（0.71 x 1.16 mm） 文件
SLG59M1693C.
(SLG59M1693 SLG59M1693CTR)
 0.56 mm²超低功率负载开关，带充电泵，输出放电 单一P沟道 1 17.4 0.8 2.0 - 不 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 WLCSP-4（0.75 x 0.75 mm） 文件
SLG59M1707V
（SLG59M1707，SLG59M1707VTR）
 4mm²，带电荷泵的装载开关，iDS.电流监控输出，输出放电，保护 单一的n沟道 3.5 13. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 内部固定 活性高 不 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 是的 不 过错 是的 -40到+125 STQFN-16（1.6 x 2.5 mm） 文件
SLG59M1709V.
(SLG59M1709 SLG59M1709VTR)
 4mm²，带电荷泵，斜坡控制和保护的负载开关 单一的n沟道 4. 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 是的 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 STQFN-16（1.6 x 2.5 mm） 文件
SLG59M1710V
（SLG59M1710，SLG59M1710VTR）
 4mm²，带电荷泵，斜坡控制和保护的负载开关 单一的n沟道 2 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 是的 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 STQFN-16（1.6 x 2.5 mm） 文件
SLG59M1713V
（SLG59M1713，SLG59M1713VTR）
 4毫米²，负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护 单一的n沟道 2 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 是的 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STQFN-16（1.6 x 2.5 mm） 文件
SLG59M1714V
（SLG59M1714，SLG59M1714VTR）
 4mm²，带有反向电流阻塞的负载开关，电荷泵，iDS.电流监控输出，输出放电，保护 单一的n沟道反向阻止 4. 15. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 内部固定 活性高 不 是的 可调节的 是的 是的 不 是的 不 是的 不 过错 是的 -40到+85 STQFN-16（1.6 x 2.5 mm） 文件
SLG59M1717V
(SLG59M1717 SLG59M1717VTR)
 4mm²，带电荷泵的负载开关，斜坡控制，输出放电，保护和pg信号输出 单一的n沟道 5. 4. 0.8 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 是的 可调节的 是的 是的 不 不 不 不 不 PG. 是的 -40到+85 STQFN-16（1.6 x 2.5 mm） 文件
SLG59M1720V
(SLG59M1720 SLG59M1720VTR)
 1.4 mm²，带有充电泵的负载开关，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 2 18. 0.85 V.DD. 2.5 - 3.6 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-6 (1.0 x 1.4 mm) 文件
SLG59M1721V
(SLG59M1721 SLG59M1721VTR)
 1.4 mm²，负载开关充电泵，斜坡控制，和保护 单一的n沟道 2 18. 0.85 V.DD. 2.5 - 3.6 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 STDFN-6 (1.0 x 1.4 mm) 文件
SLG59M1730C
（SLG59M1730，SLG59M1730CTR）
 0.64mm²负载开关，具有受控浪涌电流，输出放电 单一P沟道 1 33 2.5 5.5 - 不 活性高 不 不 固定浪涌电流限制 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 WLCSP-4（0.8 x 0.8 mm） 文件
SLG59M1735C
（SLG59M1735，SLG59M1735CTR）
 1.5mm²负载泵，坡道控制和保护 单一的n沟道 4. 10.5 0.9 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 wlsp -8 (0.96 x 1.56 mm) 文件
SLG59M1736C
(SLG59M1736 SLG59M1736CTR)
 0.64mm²负载开关，具有受控浪涌电流，输出放电 单一P沟道 2.2 33 2.5 5.5 - 不 活性高 不 不 固定浪涌电流限制 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 WLCSP-4（0.8 x 0.8 mm） 文件
SLG59M1742C.
(SLG59M1742 SLG59M1742CTR)
 0.82mm²负载开关，总共550美元，输出放电 单一的n沟道 1 18. 0.25 1.5 2.7 - 3.6 内部固定 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 WLCSP-6L（0.71 x 1.16 mm） 文件
SLG59M1746C
（SLG59M1746，SLG59M1746CTR）
 0.82mm²负载开关，输出放电 单一的n沟道 1 17.6 0.25 1.5 2.7 - 3.6 内部固定 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 WLCSP-6L（0.71 x 1.16 mm） 文件
SLG59M1748C
（SLG59M1748，SLG59M1748CTR）
 0.64mm²负载开关，具有反向电流阻塞，反向电压检测和斜坡控制 单一P沟道反向阻止 2.2 36 1.6 5.0 - 内部固定 活性高 不 不 不 不 不 不 是的 是的 不 不 不 不 -40到+85 WLCSP-4（0.8 x 0.8 mm） 文件
SLG59M1804V
(SLG59M1804 SLG59M1804VTR)
 3mm²，UL2367认证，双通道负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 双N频道 4.5 14．5 0.9 V.DD. 2.5 - 5.0 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-14（1.0 x 3.0 mm） 文件
SLG59M301V
(SLG59M301 SLG59M301VTR)
 3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 4. 8．5 0.85 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M307V.
（SLG59M307，SLG59M307VTR）
 3毫米²负载开关充电泵，斜坡控制，输出放电 单一的n沟道 4. 7.8 0.85 V.DD. 1.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -20 + 70 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M308V
(SLG59M308 SLG59M308VTR)
 3mm²负载开关，带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 单一的n沟道 3. 7.8 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M309V
（SLG59M309，SLG59M309VTR）
 带电荷泵，斜坡控制和保护的3mm²负载开关 单一的n沟道 4. 7.8 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 不 不 不 不 不 不 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M610V.
（SLG59M610，SLG59M610VTR）
 3 mm²负载开关，反向电流阻断，充电泵，斜坡控制，输出放电，和保护 单一的n沟道反向阻止 4. 22 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 是的 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG59M611V
(SLG59M611 SLG59M611VTR)
 3毫米²负载开关与反向电流阻断，电荷泵，斜坡控制，和保护 单一的n沟道反向阻止 4. 22 1.0 V.DD. 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 内部固定 是的 是的 不 是的 不 不 不 不 不 -40到+85 TDFN-8（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG5NT1477V
（SLG5NT1477，SLG5NT1477VTR）
 3mm²快速开启，纳米电流消耗负载开关为1 V处理器电源控制 单一的n沟道 6. 9．8 0.85 V.DD.- 1.5 v 3.0 - 5.25 不 活性高 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 TDFN-9（1.5 x 2.0 mm） 文件
SLG5nt1533v.
(SLG5NT1533 SLG5NT1533VTR)
 1.6 mm²快速打开负载开关斜坡控制，输出放电为1v处理器电源控制 单一的n沟道 2.5 20. 0.85 V.DD.- 1.5 v 2.5 - 5.5 电容器 活性高 不 不 不 不 是的 不 不 不 不 不 不 是的 -40到+85 STDFN-8（1.0 x 1.6 mm） 文件

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应用笔记
的名字 日期 版本
AN-1002反向电流与Greenfet Load开关阻塞(450.08 KB)
一个- 1007 Demoboard(中国)(676 KB)
一个- 1008 Demoboard(585.65 KB)
AN-1068 Greenfet和高压Greenfet负载开关基础(1.28 MB)
AN-1069 12 V 5 V POWER MUX（1.25 MB）
AN-1081 GreenFet负载开关基础（日语）(1.74 MB)
AN-1096使用PFET装载开关复用两个电源轨(749.42 KB)
AN-1112提高高压Greenfet的VIN瞬态保护(375.58 KB)
AN-1149辅助智能手机电池电源管理电路（3.83 MB）
AN-1160电源开关用于浪涌和噪声敏感的电感负载雷竞技安卓下载(4.93 MB)
AN-1202一种用于能量收集的升压变换器设计(上)雷竞技安卓下载(583.87 KB)
AN-1207电感负载电源开关注意事项（665.43 KB）
AN-CM-226使用对话框负载开关控制具有转换速率控制的浪涌电流(292.99 KB)
AN-CM-240扩展SLG59M1693C的最大工作电流范围（320.36 kB）
AN-CM-246在超级电容应用中使用Dialog的GreenFET负载开关雷竞技安卓下载（430.1 KB）
AN-CM-251选择输入和输出电容，具有对话框Greenfet负载开关（631.8 KB）
AN-CM-260应用对话框Greenfet负载开关在功率分配应用中雷竞技安卓下载(1.1 MB)
AN-CM-268:双向应用对话GreenFET负载开关雷竞技安卓下载(389.54 KB)
AN-CM-272扩展对话框负载开关最大工作电流（943.55 kB） 2019/02/22. 1.0
AN-CM-289 Greenfet Load开启PCB布局的热考虑因素(1.36 MB)
PCB库
的名字 日期 版本
GreenFET奥腾库(65.63 KB)
Greenfet Eagle图书馆（9.6 KB）
GreenFET OrCAD图书馆(221.1 KB)
高压Greenfet Altium图书馆（23.27 kB）
高压Greenfet Eagle库(2.14 KB)
高电压GreenFET OrCAD库(61.3 KB)
视频
的名字 日期 版本
GreenFET培训短片(中文)（46.22 MB）
Greenfet培训视频（英语）(50.43 MB)
GreenFET培训短片(日文)(27.86 MB)
Greenfet培训视频（韩国）（11.2 MB）
高压Greenfet培训视频（中文）(51.16 MB)
高电压绿场效应晶体管培训视频(英文)（63.92 MB）
高电压绿场效应晶体管训练视频(日文)（26.39 MB）
高压Greenfet培训视频（韩语）(12.44 MB)

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GreenFET负载开关简介

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高电压绿场效应晶体管负载开关简介

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负载开关网络研讨会第一部分

第1部分（中文）
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负载开关网络研讨会第2部分

第2部分（中文）

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常见问题解答

GreenFET负载开关的应用是什么?

Greenfet高性能负载开关可以任何地方使用，需要0.25 V至25.2 V的开关电源轨。它们具有非常小的物理尺寸，非常低的待机电流和受控电压坡度。

如何控制Greenfet负载开关上的电压斜坡率？

大多数GreenFET负载开关具有可调电压斜坡率。在一些设备中，这是通过外部电容设置的，在其他设备中，这是通过与ON引脚串联的电阻设置的。这个家族中有几个成员有固定的电压斜坡速率。

Dialog是否提供GreenFET的演示套件和评估套件?

对话框提供了演示板进行评估。请联系您当地的销售代表或发送在线咨询以获得演示板。请指定您计划测试的Greenfet Load开关部件号。

GreenFET的MSL水平和RoHS状态是什么?

整个GreenFET系列产品符合MSL 1级和6/6 RoHS要求。

回到结果

1个月前

SLG47004运算放大器模拟不工作

张贴了Twinbow.20分 3回复
0旋转

我试图让软件模拟器给出一个合理的结果对一个基本的反相放大器，但我认为我做了一些错误的事情。

它看起来opamp0输出是高阻抗，即使我已将pwr_up连接到por。

附上设计和仿真结果

谢谢——戴夫

模拟GreenPak（SLG47004） GreenPak Designer.
依恋 尺寸
反相放大器设计 366.24 KB.
仿真结果 352.02 KB

1个月前

ed_dialog.

你好Twinbow，

能否附上GreenPAK的设计文件?

亲切的问候，

埃德

1个月前

Twinbow. 20分

在这里 - 戴夫

依恋 尺寸
放大器Test.zip. 5.64 KB.
接受答案！

1个月前

Twinbow. 20分

你好,

完美的！

我可以用这个，非常感谢这么快解决。

全部 - 戴夫