SLG59H1126V

高压绿色FET负载开关

12 V，18 mΩ，6 A负载开关，带V_在里面锁定选择和I_DS电流监视器输出

SLG59H1126V是一款高性能、自供电的18MΩ NMOS负载开关专为所有4.5至12 V电源轨设计，最高可达6 A。采用专有MOSFET设计，SLG59H1126V可实现18 m的稳定负载Ω 无线电数据系统_在…上在很宽的输入电压范围内。SLG59H1126V封装结合了新颖的FET设计和铜柱互连，在大电流运行时还表现出低热阻。SLG59H1126V设计用于在-40°C至85°C的温度范围内工作，具有低热阻、符合RoHS标准、1.6 x 3.0 mm STQFN封装。

特征

针对电信设备、高性能企业计算、电机驱动进行了优化

18兆欧RDS_在…上

最大持续电流：6 A

宽工作电源电压：4.5 V至13.2 V

自动nFET SOA保护

2电平，引脚可选V_在里面过电压闭锁

电容可调励磁涌流控制

两级限流保护：

电阻器可调有功电流限值
固定的0.5A短路电流限制

开关控制：主动高电平

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企业计算和电信设备负载配电的5V和12V点

PCI/PCIe适配卡

通用高压、电源轨开关

多功能打印机

风扇电机控制

包裹

STQFN-18（1.6 x 3.0 x 0.55毫米）

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数据表
名称		日期	版本
SLG59H1126数据表（925.9 KB）

申请须知
名称	日期	版本
AN-1112改进型高压绿色FET的VIN瞬态保护（375.58 KB）
AN-CM-268在双向应用中应用绿色FET负载开关雷竞技安卓下载（389.54 KB）
AN-CM-272扩展对话框的绿色FET负载开关最大工作电流（943.55 KB）	22/02/2019	1