高侧栅极驱动器
N沟道MOSFET驱动程序
通过促进使用N沟道MOSFET而不是典型的P沟道MOSFET，高侧栅极驱动器可以以更有效和线性的方式切换桌面，笔记本电脑和上网本电源轨的能力，而不是典型的P沟道MOSFET。高侧栅极驱动器基本上减小了部分计数，从而节省了睡眠模式功率（通过泄漏电流降低）并以现有的解决方案在成本奇偶校验中减少PCB区域。
高侧栅极驱动器还为任何英特尔参考设计负载开关提供支持，用于坡度或延迟。此外，高侧栅极驱动器可以帮助您的产品满足当前和未来的能源结构，而不增加成本。雷电竞官网登录
| 零件号 | 描述 | 电源电压 | 包裹 | 文件 |
|---|---|---|---|---|
| SLG55021. | 高压门驱动器，带内部电荷泵，用于具有V的单个N通道MOSFETGS.<20V。软切换1.0 V至20 V电源轨。 |
5 V. | TDFN-8（2.0 x 2.0 mm） | 文件 |
| SLG55022 | 高压门驱动器，带内部电荷泵，用于具有V的单个N通道MOSFETGS.<20V。软切换1.0 V至20 V电源轨。 |
12 V. | TDFN-8（2.0 x 2.0 mm） | 文件 |
| SLG55026. | 具有内部电荷泵的高压门驱动器，用于背靠背N通道MOSFETV.Gd.<20V。充电泵为VD + 20 V.软切换1.0 V至20 V电源轨。 | 12 V. | TDFN-8（2.0 x 2.0 mm） | 文件 |
| SLG55031. | 具有用于单个N通道MOSFET的内部电荷泵的低压栅极驱动器。软切换0.7 V至1.5 V电源轨。 | 5 V. | TDFN-8（2.0 x 2.0 mm） | 文件 |
| SLG55221. | 双轨高压门驱动器，带有内部电荷泵，用于单或双通道MOSFET与V.GS.<20V。软切换1.0 V至20 V电源轨。 | 5 V. | TDFN-8（2.0 x 2.0 mm） | 文件 |
| SLG55321 | 带有内部电荷泵的三轨高压门驱动器，用于单/双/三沟道MOSFET，带VGS.<20V。软切换1.0 V至21 V电源轨。 | 5 V. | TDFN-8（2.0 x 2.0 mm） | 文件 |
常问问题
Greenfet Load开关的应用程序是什么？
Greenfet高性能负载开关可以任何地方使用，需要0.25 V至25.2 V的开关电源轨。它们具有非常小的物理尺寸，非常低的待机电流和受控电压坡度。
如何控制Greenfet负载开关上的电压斜坡率？
大多数绿色料装载开关具有可调节的电压坡度速率。在某些设备中，在其他设备中使用外部电容设置，在其他设备中使用串联的电阻设置为ON引脚。有一些具有固定电压坡度速率的家庭成员。
对话框为Greenfet提供演示套件和评估套件吗？
对话框提供了演示板进行评估。请联系您当地的销售代表或发送在线咨询以获得演示板。请指定您计划测试的Greenfet Load开关部件号。
Greenfet上的MSL级别和RoHS状态如何？
整个Greenfet家族包是MSL级别1和6/6 RoHS合规性。