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GFET3 Ultra Low RDSON, High-current Integrated Power Switch Family

GreenFET 3

Ultra Low RDSON, High-current Integrated Power Switch Family

GFET3高性能集成电源开关的设计和优化，适用于0.25 V至5.5 V的所有高端电源轨控制应用，其中负载电流范围为1 a至9a。雷竞技安卓下载

使用专有MOSFET设计，所有GFET3集成电源开关都实现了超稳定的R.DSON跨越输入和电源电压范围。专有的MOSFET IP和高级装配技术，这些先进的最先进产品，可在超小型PCB占地面积为0.56mm²至4mm²，并为高电流操作表现出低热电阻。雷电竞官网登录

与分立FET电路实现相比，GFET3产品将高性能nFET或pFET结构、大电流处理能力、电荷泵以及多个保护和控制雷电竞官网登录电路结合到节省空间的单通道和双通道产品中。所有这些高级功能的结合直接导致BOM（物料清单）组件和成本的降低，以及系统可靠性的提高和电路板尺寸的减小。

All GFET3 low-voltage integrated power switches are designed and fully characterized over the commercial (0 °C to 70 °C), extended commercial (-20 °C to 70 °C), industrial (-40 °C to 85 °C), or extended industrial (-40 °C to 125 °C) temperature ranges. Consistent with generating very low thermal gradients, Dialog integrated power control switches are available in low thermal resistance, STDFN/STQFN RoHS-compliant packaging or wafer-level chip scale packaging (WLCSP).

主要特点

  • 高性能低rDSONnFET & pFET MOSFETs
    • 低至4 mΩ
  • Internal Protection Features:
    • Built-in Supply Undervoltage Lockout Protection
    • 固定和电容/电阻可调励磁涌流控制
    • Fixed and Resistor-adjustable Current Limit Protection
    • 内置短路电流保护
    • Built-in Thermal Shutdown Protection with Auto Restart
    • 使用大容量开关或背靠背场效应晶体管的反向电流阻断
    • Reverse-voltage Detection (selected part numbers)
    • Fast VOUT Discharge (VOUT Discharge delete options available)
  • 主动高开关控制（主动低开关控制可用）
  • Open-drain断层Signaling (selected part numbers)
  • Open-drain Power Good Signaling (selected part numbers)
  • Wafer-level Chip-scale Packaging (selected part numbers)
  • UL2967 Certified (selected part numbers)
,

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  • Smartphones and Fitness Bands
  • 不tebook and Tablet PCs
  • Enterprise Networking
  • 企业多功能复印机/打印机
  • 企业计算
  • 机顶盒
  • HDD和SSDS.
  • PCIE / PCI适配器卡
  • Portable Consumer Electronics
  • 通用，高压侧电源轨开关/控制
零件号 描述 类型 Cont. IDS (A) RDSON (mΩ) VDDl-VDDh (V) VD / VIN MIN-MAX（v） Temp Low-High 斜坡控制 Protection Features 放电回路 包装类型 文件
SLG59M1709V
（SLG59M1709，SLG59M1709VTR）
 ²4毫米,4场效应电晶体功率控制软件itch with 0.8 V to VDD input range and multiple protection features
1709
 Single N-Channel 4.0 4 2.5- 5.5 0.8-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 不 STQFN-16（1.6 x 2.5毫米） Documentation
SLG59M1710V
（SLG59M1710、SLG59M1710录像机）
 A 4 mm², 2 A nFET power control switch with 0.8 V to VDD input range and multiple protection features Single N-Channel 2 4 2.5- 5.5 0.8-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 不 STQFN-16（1.6 x 2.5毫米） Documentation
SLG59M1713V.
(SLG59M1713, SLG59M1713VTR)
 4mm²，2个nfet电源控制开关，具有0.8 V至VDD输入范围，多种保护功能和快速放电 Single N-Channel 2 4 2.5- 5.5 0.8-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STQFN-16（1.6 x 2.5毫米） Documentation
SLG59M1717V.
（SLG59M1717，SLG59M1717VTR）
 4mm²，5个NFET集成电源开关，具有0.8 V至VDD输入范围，多种保护功能，快速VOUT放电和开漏功率良好的输出信号 Single N-Channel 5.0 4 2.5- 5.5 0.8-VDD -40至85 电容器 CL (R)TSD公司 Yes STQFN-16（1.6 x 2.5毫米） Documentation
SLG59M1568V型
（SLG59M1568，SLG59M1568VTR）
 带充电泵、斜坡控制、输出放电和保护的3 mm²电源开关 Single N-Channel 9.0 7.3 2.5- 5.5 1.0 - VDD. -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1456V
(SLG59M1456, SLG59M1456VTR)
 带充电泵、斜坡控制、输出放电和保护的3 mm²集成电源开关 Single N-Channel 5.0 7.8 2.5- 5.5 1.0 - VDD. -20到70 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1457V
（SLG59M1457、SLG59M1457VTR）
 Ultra-small 7.8 mΩ / 6 A 3 mm² power switch with 0.85 VD, discharge, and two-level current-limit Single N-Channel 6.0 7.8 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1496V.
(SLG59M1496, SLG59M1496VTR)
 A 3 mm² integrated power switch with charge pump, 0.85 VD, ramp control, output discharge, and protection Single N-Channel 5.3 7.8 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1600V
（SLG59M1600，SLG59M1600VTR）
 A 3 mm² reverse-current blocking power switch with charge pump, 0.85 VD, ramp control, output discharge, and protection Single N-ChannelReverse Blocking 9.0 7.8 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 RCBTSD公司 Yes STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1655V电源
（SLG59M1655，SLG59M1655VTR）
 3 mm²，9 A反向电流阻断nFET电源开关，带电荷泵，0.85 VD，斜坡控制和保护 Single N-ChannelReverse Blocking 9.0 7.8 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 RCBTSD公司 不 STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1614V
（SLG59M1614、SLG59M1614VTR）
 A 3 mm² integrated power switch with charge pump, 0.85 VD, ramp control, and output discharge Single N-Channel 4.0 8.5 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M301V
(SLG59M301, SLG59M301VTR)
 带充电泵、斜坡控制、输出放电和保护的3 mm²集成电源开关 Single N-Channel 4.0 8.5 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M307V型
（SLG59M307、SLG59M307VTR）
 A 3 mm² integrated power switch with charge pump, 0.85 VD, ramp control, and output discharge Single N-Channel 4.0 7.8 1.5 - 5.5 0.85-VDD -20到70 电容器 - Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M308V.
（SLG59M308，SLG59M308VTR）
 带充电泵、斜坡控制、输出放电和保护的3 mm²集成电源开关 Single N-Channel 3 7.8 2.5- 5.5 1.0 - VDD. -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M309V.
(SLG59M309, SLG59M309VTR)
 A 3 mm² integrated power switch with charge pump, ramp control, and protection Single N-Channel 4.0 7.8 2.5- 5.5 1.0 - VDD. -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 不 TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1657V
(SLG59M1657, SLG59M1657VTR)
 A 3 mm², 125°C-rated, 4 A integrated power switch with 0.9 V to VDD input range, adjustable ramp control, and multiple protection features Single N-Channel 4.0 8.4 2.5- 5.5 0.9-VDD -40 to 125 电容器 Fixed CLTSD公司 不 TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1470V.
（SLG59M1470，SLG59M1470VTR）
 NanopowerFET™: A 3 mm² fast turn on, 0.85 VD nano-power consumption power switch Single N-Channel 6.0 9.8 3.0 - 5.25 0.85 - （VDD - 1.5 V） -40至85 不 - Yes TDFN-9 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1735C
(SLG59M1735, SLG59M1735CTR)
 10.5MΩ，4个NFET IP，具有1.5mm²WLCSP的软启动和保护功能 Single N-Channel 4.0 10.5 2.5- 5.5 0.9-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 不 WLCSP-8 (0.96 x 1.56 mm) Documentation
SLG59M1707V.
(SLG59M1707, SLG59M1707VTR)
 一个4 mm²、125°C额定值、3.5 A集成电源开关，带模拟电流监视器输出和开漏断层信号输出 Single N-Channel 3.5 13 2.5- 5.5 0.8-VDD -40 to 125 内部固定 CL (R)TSD公司 Yes STQFN-16（1.6 x 2.5毫米） Documentation
SLG59M1571V
（SLG59M1571、SLG59M1571录像机）
 1mm²，低压，0.85 Vd，反向电流阻塞电源开关，带电荷泵，输出放电，保护和4针封装 Single N-ChannelReverse Blocking 1 14.6 - 0.85 - 1.9 -40至85 不 RCBTSD公司 Yes STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1714V.
（SLG59M1714、SLG59M1714VTR）
 A 4 mm², 4 A back-to-back nFET reverse-current blocking power control switch with Analog current-monitor output, fast VOUT discharge, and open-drain断层信号输出 Single N-ChannelReverse Blocking 4.0 15 2.5- 5.5 0.8-VDD -40至85 内部固定 CL (R)RCBTSD公司 Yes STQFN-16（1.6 x 2.5毫米） Documentation
SLG59M1551V
(SLG59M1551, SLG59M1551VTR)
 A 1 mm², low voltage power switch with charge pump, 0.85 VD, output discharge, protection, and 4-pin package Single N-Channel 2 15.5 - 0.85 - 1.9 -40至85 不 TSD公司 Yes STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1556V型
(SLG59M1556, SLG59M1556VTR)
 A 1 mm², low voltage power switch with charge pump, 0.85 VD, protection, and 4-pin package Single N-Channel 2 15.5 - 0.85 - 1.9 -40至85 不 TSD公司 不 STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1448V
(SLG59M1448, SLG59M1448VTR)
 1.6mm²集成电源开关，带电荷泵，0.9 VD，斜坡控制，输出放电和保护 Single N-Channel 2.5 17 2.5- 5.5 0.9-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG59M1545V型
(SLG59M1545, SLG59M1545VTR)
 A 1.6 mm² integrated power switch with charge pump, 0.85 VD, ramp control, and protection Single N-Channel 2.5 17 2.5- 5.5 0.85-VDD -20到70 电容器 Fixed CLTSD公司 不 STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG59M1598V
(SLG59M1598, SLG59M1598VTR)
 1.6mm²集成电源开关，带电荷泵，0.85 VD，斜坡控制，输出放电和保护 Single N-Channel 2.5 17 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG59M1658V
(SLG59M1658, SLG59M1658VTR)
 1.6 mm²，125°C额定值，2.5 A集成电源开关，0.9 V至VDD输入范围，可调斜坡控制，快速VOUT放电和多种保护功能 Single N-Channel 2.5 17 2.5- 5.5 0.9-VDD -40 to 125 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG59M1685C型
（SLG59M1685，SLG59M1685CTR）
 0.82mm²WLCSP集成电源开关，具有多种保护功能 Single N-Channel 2 10 - 1.3 - 3.6 -40至85 固定SR 固定CL，TSD Yes WLCSP-6L (0.71 x 1.16 mm) Documentation
SLG59M1720V
(SLG59M1720, SLG59M1720VTR)
 1.4 mm²、18 mΩ、2 A集成电源开关，带VS转换速率控制、电流限制和热保护 Single N-Channel 2 18 2.5 - 3.6 0.85-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STDFN-6（1.0 x 1.4 mm） Documentation
SLG59M1721V
（SLG59M1721，SLG59M1721VTR）
 1.4 mm²、18 mΩ、2 A集成电源开关，带VS转换速率控制、电流限制和热保护 Single N-Channel 2 18 2.5 - 3.6 0.85-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 不 STDFN-6（1.0 x 1.4 mm） Documentation
SLG59M1515V
（SLG59M1515，SLG59M1515VTR）
 1.6 mm²快速开启集成电源开关，带斜坡控制和输出放电 Single N-Channel 2 20 2.5- 5.5 0.85 - （VDD - 1.5 V） -40至85 电容器 TSD公司 Yes STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG59M610V电源
（SLG59M610、SLG59M610VTR）
 单3mm²电源开关，具有反向电流阻塞，电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护 Single N-ChannelReverse Blocking 4.0 22 2.5- 5.5 1.0 - VDD. -40至85 电容器 Fixed CLRCBTSD公司 Yes TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M611V.
(SLG59M611, SLG59M611VTR)
 Single 3 mm² power switch with reverse-current blocking, charge pump, ramp control, and protection Single N-ChannelReverse Blocking 4.0 22 2.5- 5.5 1.0 - VDD. -40至85 电容器 Fixed CLRCBTSD公司 不 TDFN-8 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1563V
(SLG59M1563, SLG59M1563VTR)
 单1.6 mm²电源开关，带反向电流阻断、电荷泵和PG信号输出 Single N-ChannelReverse Blocking 2.5 22.5 1.5 - 5.5 1.0 - VDD. -40至85 内部固定 RCBTSD公司 不 STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG59M1460V.
（SLG59M1460、SLG59M1460录像机）
 NanopowerFET™: A 1.6 mm² fast turn on and nano-power consumption power switch Single N-Channel 2 30 2.5- 5.25 0.85 - （VDD - 1.5 V） -20到70 不 - Yes STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG59M1440V.
(SLG59M1440, SLG59M1440VTR)
 带充电泵、斜坡控制、输出放电、保护和4针封装的1 mm²电源开关 Single N-Channel 1 40 - 2.5- 5.5 -40至85 Resistor TSD公司 Yes STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1442V
(SLG59M1442, SLG59M1442VTR)
 A 1 mm² power switch with charge pump, ramp control, protection, and 4-pin package Single N-Channel 1 40 - 2.5- 5.5 -40至85 Resistor TSD公司 不 STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1466V
（SLG59M1466，SLG59M1466VTR）
 A 1 mm² power switch with charge pump, fixed ramp control, output discharge, and 4-pin package Single N-Channel 1 40 - 2.5- 5.5 -20到70 内部固定 - Yes STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1495V.
(SLG59M1495, SLG59M1495VTR)
 带充电泵、斜坡控制、输出放电、保护和4针封装的1 mm²电源开关 Single N-Channel 1 80 - 2.5- 5.5 -20到70 Resistor TSD公司 Yes STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1649V
(SLG59M1649, SLG59M1649VTR)
 A 1.6 mm², 23 mΩ/4 A Power Switch with reverse-current blocking, reverse-voltage detection, VOUT discharge, and Active HIGH ON‑OFF Control Single P-ChannelReverse Blocking 4.0 23 - 1.5 - 5.5 -40至85 不 RCBRVD Yes STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG59M1557V型
(SLG59M1557, SLG59M1557VTR)
 A 1 mm² power switch with output discharge Single P-Channel 1 28.5 - 1.5 - 5.5 -40至85 内部固定 - Yes STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1558V型
(SLG59M1558, SLG59M1558VTR)
 一个1mm²的电源开关，无输出放电 Single P-Channel 1 28.5 - 1.5 - 5.5 -40至85 内部固定 - 不 STDFN-4（1.0 x 1.0毫米） Documentation
SLG59M1736C
（SLG59M1736，SLG59M1736CTR）
 33 mΩ，2.2 A pFET IPS，在0.64 mm²WLCSP中具有受控涌入电流 Single P-Channel 2.2 33 - 2.5- 5.5 -40至85 不 Fixed I在 Yes WLCSP-4（0.8 x 0.8毫米） Documentation
SLG59M1730C型
(SLG59M1730, SLG59M1730CTR)
 在0.64 mm²WLCSP中，具有可控涌入电流的33 mΩ，1 A pFET IPS Single P-Channel 1 33 - 2.5- 5.5 -40至85 不 Fixed I在 Yes WLCSP-4（0.8 x 0.8毫米） Documentation
SLG59M1748C
（SLG59M1748、SLG59M1748CTR）
 A reverse-current blocking, reverse-voltage detection, 36-mΩ, 2.2-A pFET IPS in a 0.64 mm² WLCSP Single P-ChannelReverse Blocking 2.2 36 - 1.6 - 5.0 -40至85 内部固定 RCBRVD 不 WLCSP-4（0.8 x 0.8毫米） Documentation
SLG59M1638V
（SLG59M1638，SLG59M1638VTR）
 一个1.6毫米²,双通道45 mΩ/ 2电源开关h reverse-current blocking, reverse-voltage detection, VOUT discharge, and Active HIGH ON-OFF Control 双P通道Reverse Blocking 2 45 - 1.5 - 5.5 -40至85 不 RCBRVD Yes STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG59M1639V
(SLG59M1639, SLG59M1639VTR)
 一个1.6 mm²、双通道45 mΩ/2 A电源开关，具有反向电流阻断、反向电压检测和主动高通断控制 双P通道Reverse Blocking 2 45 - 1.5 - 5.5 -40至85 不 RCBRVD 不 STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG59M1640V电源
(SLG59M1640, SLG59M1640VTR)
 一个1.6毫米²,双通道45 mΩ/ 2电源开关h reverse-current blocking, reverse-voltage detection, VOUT discharge, and Active LOW ON-OFF Control 双P通道Reverse Blocking 2 45 - 1.5 - 5.5 -40至85 不 RCBRVD Yes STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG59M1641V型
（SLG59M1641、SLG59M1641VTR）
 一个1.6毫米²,双通道45 mΩ/ 2电源开关h reverse-current blocking, reverse-voltage detection, and Active LOW ON-OFF Control 双P通道Reverse Blocking 2 45 - 1.5 - 5.5 -40至85 不 RCBRVD 不 STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG59M1527V
（SLG59M1527、SLG59M1527VTR）
 在一个3 mm²的封装中，一个4.5 a双通道电源开关，带有电荷泵、斜坡控制、输出放电和保护 Dual N-Channel 4.5 14.5 2.5- 5.5 0.9-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1603V
（SLG59M1603、SLG59M1603录像机）
 In a single 3 mm² package, a 4.5 A dual-channel reverse-current blocking power switch with charge pump, 0.85 VD, ramp control, output discharge, and protection Dual N-ChannelReverse Blocking 4.5 16 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 RCBTSD公司 Yes STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1606V.
(SLG59M1606, SLG59M1606VTR)
 在单个3 mm²封装中，4.5 a双通道反向电流阻断电源开关，带电荷泵、斜坡控制和保护 Dual N-ChannelReverse Blocking 4.5 16 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 电容器 RCBTSD公司 不 STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1612V
（SLG59M1612、SLG59M1612VTR）
 在单个3mm²封装中，4.5个双通道反向电流阻塞电源开关，带电荷泵，斜坡控制，单通道输出放电和保护 Dual N-ChannelReverse Blocking 4.5 16 2.5- 5.5 1.0 - VDD. -40至85 电容器 RCBTSD公司 CH1：是的
CH2: No		 STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1599V
(SLG59M1599, SLG59M1599VTR)
 In a single 1.6 mm² package, a 1 A dual-channel power switch with charge pump, ramp control, and protection Dual N-Channel 1 40 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 Resistor TSD公司 不 STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG59M1446V
（SLG59M1446、SLG59M1446VTR）
 在单个1.6 mm²封装中，一个1 a双通道电源开关，带电荷泵、0.85 VD、斜坡控制、输出放电和保护 Dual N-Channel 1 40 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 Resistor TSD公司 Yes STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG59M1512V
（SLG59M1512、SLG59M1512VTR）
 在单个1.6 mm²封装中，一个1 a双通道电源开关，带电荷泵、0.85 VD、斜坡控制、输出放电和保护 Dual N-Channel 1 80 2.5- 5.5 0.85-VDD -40至85 Resistor TSD公司 Yes STDFN 8 (1.0 x 1.6 mm) Documentation
SLG5NT1533V
(SLG5NT1533, SLG5NT1533VTR)
 1.6 mm²快速开启集成电源开关，带斜坡控制和输出放电for 1 V processor power control Single N-Channel不tebook PC ref design 2.5 20 2.5- 5.5 0.85 - （VDD - 1.5 V） -40至85 电容器 TSD公司 Yes STDFN-8（1.0 x 1.6毫米） Documentation
SLG5nt1477v.
(SLG5NT1477, SLG5NT1477VTR)
 NanopowerFET™: A 3 mm² fast turn on, 0.85 VD nano-power consumption power switch Single N-Channel不tebook PC ref design 6.0 9.8 3.0 - 5.25 0.85 - （VDD - 1.5 V） -40至85 不 - Yes TDFN-9 (1.5 x 2.0 mm) Documentation
SLG59M1804V.
（SLG59M1804，SLG59M1804VTR）
 在单个3mm²封装中，UL2367认证，8.5带电荷泵，斜坡控制，输出放电和保护的双通道电源开关 Dual N-Channel 4.5 14.5 2.5- 5.0 0.9-VDD -40至85 电容器 Fixed CLTSD公司 Yes STDFN-14 (1.0 x 3.0 mm) Documentation
SLG59M1693C
（SLG59M1693，SLG59M1693CTR）
 An ultra-low power, 2 V, 15.8 mΩ, 1.0 A pFET Integrated Power Switch with Discharge in a 0.56 mm² WLCSP Single P-Channel 1 17.4 - 0.8 - 2.0 -40至85 内部固定 - Yes WLCSP-4 (0.75 x 0.75 mm) Documentation
SLG59M1742C型
(SLG59M1742, SLG59M1742CTR)
 0.82 mm²WLCSP集成电源开关，典型的总开启时间为550μs Single N-Channel 1 18 2.7 - 3.6 0.25 - 1.5 -40至85 不 - Yes WLCSP-6L (0.71 x 1.16 mm) Documentation
SLG59M1746C
（SLG59M1746、SLG59M1746CTR）
 A 0.82 mm² Integrated Power Switch with output Discharge Single N-Channel 1 17.6 2.7 - 3.6 0.25 - 1.5 -40至85 内部固定 - Yes WLCSP-6L (0.71 x 1.16 mm) Documentation

不tes:

  1. 固定CL–两级电流限制：
    a) Internally Fixed Active Current Limit and
    b) Internally Fixed Short-circuit Current Protection
  2. Сl（r） - 阶段电流限制：
    a) External resistor-adjustable Active Current Limit and b) Internally Fixed Short-circuit Current Protection
  3. Fixed I在- 固定V.在浪涌电流
  4. RVD - 反向电压检测
  5. RCB – Reverse-current Blocking
  6. TSD - 对于具有热关断保护的85°C级产品，阈值雷电竞官网登录设定为125°C，25°C滞后。对于125°C额定产品，热关断阈雷电竞官网登录值设定为150°C，具有20°C滞后。所有产品雷电竞官网登录在芯片温度冷却时自动尝试重启操作。

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